芯耀
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5V直流MCU供电口浪涌静电保护
从东沃汽车IGBT SiC浪涌静电保护方案设计图可知，用于满足MCU电源供电口浪涌静电保护器件，东沃FAE工程师推荐选用自恢复保险丝和TVS二极管。保护电路中的自恢复保险丝PPTC选型DW-MSM050/24，保持电流0.5A、触发电流1A、耐压值24V、1812封装。TVS选用汽车级TPSMBJ6.5CA，双向、工作电压6.5V、钳位电压11.2V、峰值脉冲电流53.57A、功率600W、SMB封装、符合AEC-Q101认证，稳定高可靠性。
汽车IGBT SiC驱动接口浪涌静电保护
关断IGBT时由于电感中储存有能量，集电极-发射极间会发生浪涌电压，建议在c、e之间选用TVS二极管进行防护。东沃FAE工程师推荐在c、e之间选用2个双向TVS管TPSMBJ250CA串接（截止总电压500V），峰值脉冲电流1.48A、单颗最大钳位405V、功率600W、SMB封装、符合AEC-Q101认证。除了减少c、e之间的过电压之外，为防止栅极电荷积累、栅源电压出现尖峰损坏IGBT，还需要在g、e之间选用TVS进行保护。东沃FAE工程师推荐汽车级TVS管TPSMBJ16CA，双向、工作电压16V、钳位电压26V、峰值脉冲电流23.08A、功率600W、SMB封装。
以上是东沃汽车IGBT SiC浪涌静电保护方案介绍，如有特殊需求，欢迎前来探讨。浪涌静电防护方案，找东沃电子，电路保护不 迷路！匠心智造，真芯守护，东沃电子DOWOSEMI是一家全方位的半导体器件制造商及保护解决方案服务商，集研发、生产、销售为一体的高新技术企业。公司产品线涵盖电路保护器件（TVS二极管、ESD静电保护器件、陶瓷气体放电管、压敏电阻、自恢复保险丝、半导体放电管）、二极管（肖特二极管、稳压二极管、整流二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管、开关二极管）、三极管、场效应管、桥堆、碳化硅器件、集成电路等等，广泛应用于汽车电子、工控、仪器仪表、安防、通信、照明、电源、医疗、家电、智能穿戴等多个行业和领域。
方案设计图中选用到的自恢复保险丝DW-MSM050/24、汽车级TVS二极管TPSMBJ6.5CA、TPSMBJ16CA、TPSMBJ250CA，东沃电子已全面量产、品质稳定、高可靠性、交期迅速、厂家价格、免费样品、免费EMC测试，欢迎广大新老客户前来咨询：13675816901（微信同号）朱工
