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绝缘栅双极晶体管

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绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。

绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。收起

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    绝缘栅双极晶体管（以下简称IGBT）是一种复合半导体器件，融合了MOSFET的快速开关能力、高频操作、高输入阻抗、简单的驱动电路和有利的热特性等优点，同时还具备了GTR的大电流承载能力和高阻挡电压等优势。因此，IGBT是一种理想的开关器件，可以替代GTR，广泛应用于各种需要具备关闭能力的应用领域，如各种固态电源供应系统。
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    绝缘栅双极晶体管只需通过激活和停用其栅极端子即可“开启”或“关闭”。在栅极和发射极之间施加正输入电压信号将使器件保持在“ON”状态，而使输入栅极信号为零或稍微为负将导致其以与双极晶体管大致相同的方式关闭“OFF”或eMOSFET。IGBT的另一个优点是它的通态沟道电阻比标准MOSFET低得多。
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    绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于电力电子设备和工业控制系统中。它集成了双极晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的优点，在高压、高电流和高频率条件下工作。IGBT具有可靠性高、开关速度快和低功耗等特点，因此被广泛应用于各种领域，如电机驱动、变频器、逆变器、电子焊接和电源系统等。
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