屯兵22纳米低功耗工艺,3巨头意欲何为?

2017-09-26 23:38:18 来源:EEFOCUS
分享到:
标签:

在中国建厂与投资FD-SOI(全耗尽绝缘层上硅)工艺,或许是格芯(GlobalFoundries)CEO Sanjay Jha职业生涯最重要的赌注,期望通过这两项举措给晶圆代工市场格局带来变化。在第五届FD-SOI论坛上,介绍完格芯成都工厂建设进度与22FDX工艺发展近况以后,Sanjay表示,2017年格芯22FDX平台接到的试验性流片(即MPW,直译为多项目晶圆)订单有20例,其中10例来自中国设计公司。“市场广阔,机会难得,FDX就是为中国市场量身打造的技术。”


在演讲中,Sanjay Jha对三个尚未量产的22纳米工艺进行了对比。与台积电22ULP(超低功耗22纳米工艺)及英特尔22FFL(22纳米低功耗鳍式场效应晶体管工艺)相比,格芯的22FDX(22纳米FD-SOI工艺)晶体管密度最高,光罩数最少(流片成本低),功耗也最低。

 

 

由于和体硅工艺路线不同,所以格芯22FDX在2018年推出并不奇怪,但对台积电和英特尔而言,最先进工艺已经走到了10纳米节点,为何又回头重新开发22纳米低功耗工艺?(当然,英特尔刚在中国召开新闻发布会,宣布2017年下半年量产10纳米工艺,并称根据其计算方法,台积电和三星的10纳米工艺远远落后英特尔10纳米,根本就不是一代技术。)


芯原董事长兼CEO戴伟民认为,台积电22ULP的推出,很大程度是为5G做准备,因为在FinFET上很难实现射频工艺,退回平面工艺以后,可以相对容易地集成射频功能。


英特尔推出的22FFL工艺,也特地强调包含一个完整的射频(RF)套件,可结合多种模拟和射频器件来实现高度集成的芯片。

 

与28纳米工艺相比,这三种22纳米工艺功耗更低,晶体管密度更高,而与14/16纳米工艺相比,22纳米工艺开发成本更低,也都可实现射频工艺集成。

 

所以,5G到来以后新一代物联网终端芯片,将是这三种22纳米工艺的最主要目标市场。


虽然近年来资本支出排行榜排名前三的公司中,两家都回头去做22纳米低功耗工艺,但三星现在并没有在22纳米工艺投资的计划。这一方面是由于三星28纳米FD-SOI工艺当前最为成熟,据三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung介绍,过去三年,三星FD-SOI工艺已经有7家客户,36个产品进行了流片,现在流片产品数量在不断增加。相比28纳米体硅工艺,28纳米FD-SOI的特色就是功耗低,因此非常适合物联网应用。

 

另一方面,三星FD-SOI工艺规划的下一个节点是18纳米,因此在三星代工产品线当中,28纳米和14纳米节点之间,除了规划中的18纳米FD-SOI,就没有其他工艺提供。

 

不过,如果22纳米低功耗工艺市场接受度良好,不知道急于扩大代工业务的三星是准备用18纳米FD-SOI工艺来错位竞争,还是也跟风上22纳米?反正对财大气粗的三星电子来说,开发22纳米工艺的资金不成问题。

 

与非网原创文章,未经许可,不得转载!

 
关注与非网微信 ( ee-focus )
限量版产业观察、行业动态、技术大餐每日推荐
享受快时代的精品慢阅读
 

 

作者简介
王树一
王树一

与非网高级行业分析师。长期跟踪行业的变化发展,时刻关注产业动态,对于电子行业上下游的产业趋势变化、技术革新发展、行业新闻八卦均有浓厚的兴趣,希望通过自己的努力把握电子市场动态,架构交流平台,为中国的电子人提供有价值的信息资源。

继续阅读
MicroLED是啥?有啥优缺点?
MicroLED是啥?有啥优缺点?

电视技术在不断地推陈出新,2017年oled技术风靡全球,现在又推出下一代的MicroLED技术。MicroLED到底是什么?又时候才会普及,三星力捧这项技术的原因又是什么?

2017年最强三款手机横评,iPhone X/华为Mate 10 Pro/三星 Note8谁更强

上一篇横评我们给大家解决了如何购买主流机的疑惑,今天我们将聚焦土豪的烦恼,毕竟谁身边没有几个有钱的朋友。

服务器和标准型DRAM依然看涨

南亚科总经理李培瑛16日表示,今年上半年DRAM价格持续看涨,但涨幅会收敛些,下半年则仍待观察三星、 SK海力士二大韩厂实际增产内容才能做明确分析。 目前来看,韩国二大厂都表明将依市场需求增产,分析DRAM产业到明年都可维持健康稳定。

三星4G手机或在国内被禁售,这场诉讼大战华为赢了?

提要:国内首例无线通信国际标准必要专利侵权案宣判。这一判决也意味着,除非获得专利权人华为的许可,否则三星将必须停止在中国销售4G 手机。专家认为,由于华为持有的专利为涉及4G技术的标准必要专利,华为胜诉案例可能将影响所有智能手机厂商。

夏普OLED面板即将量产,打破三星垄断格局

鸿海集团副总裁暨夏普社长戴正吴15日首度证实,夏普本季将可成功量产OLED面板, 打破过往三星独霸的局面;同时,夏普也将在今年中推出搭载OLED面板的手机。

更多资讯
拥有寒武纪/纵目科技/森亿智能,上海在世界AI版图上扮演什么角色
拥有寒武纪/纵目科技/森亿智能,上海在世界AI版图上扮演什么角色

上海并不是最早全面推出人工智能发展规划的省份,但基于其科技实力,在中国AI版图甚至是世界AI版图上的话语权都是够份量。2017年11月14日,上海推动新一代人工智能发展实施意见正式出台,指出将全面实施“智能上海(AI@SH)”行动。

AGC开发出深紫外LED专用“石英透镜”
AGC开发出深紫外LED专用“石英透镜”

AGC旭硝子(简称AGC)已开发出用于深紫外LED的石英透镜(图1)。有了这款产品,深紫外LED制造工艺可大大简化,资本投入也有所减少。原型设计将于2018年第三季度开始,并计划于2019年开始量产。

Vishay新款中压厚膜片式电阻已通过AEC-Q200认证,可为系统节省空间并减少元器件用量
Vishay新款中压厚膜片式电阻已通过AEC-Q200认证,可为系统节省空间并减少元器件用量

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通过AEC-Q200认证的新系列中压厚膜片式电阻。

来自TT Electronics的高耐脉冲电阻器 在紧凑设计中提供业界领先的浪涌性能

全球关键性能应用工程电子产品供应商TT Electronics今天宣布推出HPWC(高脉冲耐受芯片)的高能浪涌电阻产品系列。高脉冲电阻器旨在最大限度提高单边扁平芯片设计中可用的浪涌性能水平。 HPWC系列产品适用于要求电阻容差为5%的紧凑型电源和功率控制电路中的保护和放电应用。

COB封装的现状及发展趋势探究
COB封装的现状及发展趋势探究

随着LED应用市场的逐渐成熟,用户对产品的稳定、可靠性需求越来越高,特别是在同等条件下,要求产品可以实现更优的能效指标、更低的功耗,以及更具竞争力的产品价格。正是基于此,与传统LEDSMD贴片式封装和大功率封装相比,板上芯片(COB)集成封装技术将多颗LED芯片直接封装在金属基印刷电路板上,作为一个照明模块通过基板直接散热。

Moore8直播课堂