三星电子

• 晶圆代工业，集体涨涨涨！

  AI需求激增引发晶圆代工行业涨价潮，先进与成熟制程均受影响。三星、台积电等大厂上调价格，涨幅最高达25%。英特尔凭借先进封装技术和订单优势成为替代选项。国内晶圆厂也开始调整价格，中芯国际等表现亮眼。成熟制程涨价源于产能转移和配套需求增加。芯片设计公司面临成本上升压力，短期内难见降价机会。

  半导体产业纵横

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  15小时前

  芯片设计 晶圆代工

  
• 先进制程进入埃米时代，三大晶圆制造巨头走出差异化迭代路线

  三星电子宣布1.4纳米制程延迟至2029年，台积电A16制程预计2026下半年量产，英特尔14A制程有望2027下半年风险试产。三星聚焦2纳米制程优化，英特尔以14A展现技术突破。台积电凭借完整路线图和先进技术保持领先，三星和英特尔分别在不同赛道展开竞争。

  TechSugar

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  09/02 23:03

  先进制程
• HBM的下一个十年：三星Hot Chips2026发布cHBM架构，从定制基础裸片到3D垂直集成的三阶段路线图

  三星在Hot Chips 2026会议上发布的论文详细介绍了HBM（高带宽内存）从标准HBM向定制HBM（cHBM）、再到3D垂直集成zHBM的三阶段演进路线图。该论文强调了B-die从DRAM工艺转向先进逻辑工艺的重要性，以解决带宽和容量瓶颈问题。具体来说： 1. **第一阶段**：通过使用先进逻辑工艺实现D2D接口和内存控制器卸载，回收xPU硅面积。 2. **第二阶段**：增加RAS和测试能力，集成内存扩展和处理单元，增强功能和能效。 3. **第三阶段**：通过3D垂直集成（zHBM）消除中介层，实现极致能效。 论文认为，将先进逻辑工艺应用于HBM B-die，释放了前所未有的架构灵活性，使得HBM从标准存储器件向定制化、智能化、3D集成化方向演进。这一路线图不仅有助于提高AI加速器的性能和能效，还推动了内存和计算的融合，预示着下一代HBM市场的重大变革。

  芯科技圈

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  08/31 10:17

  HBM

  
• 三星携USB4接口移动固态硬盘P9经典版、P7标准版亮相2026科隆游戏展

  旗舰款P9经典版与全能型P7标准版，凭借USB4接口进一步丰富了三星移动固态硬盘产品阵容，最高4,000MB/s 的顺序读取性能较上代实现翻倍，可胜任12K视频直录等高负荷工作场景。 全球首款8TB USB4移动固态硬盘，顺序读取速度可达4,000MB/s，兼具高速、大容量存储、广泛兼容性与可靠耐用性表现。 德国科隆，2026年8月26日——在存储技术领域具备深厚技术积累的三星电子，今日发布新一代

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  08/26 16:16

  存储 三星电子
• 存储巨头公布最新技术路线图，HBM的下一站在哪？

  三星发布zHBM技术，将HBM直接堆叠在GPU上，大幅提升性能和能效；SK海力士推出多元化的HBM解决方案，包括混合键合和EMIB技术，以应对更高的堆叠层数和散热挑战；美光强调HBM在散热、面积和可靠性方面的挑战，并探索先进封装技术以解决这些问题。

  全球半导体观察

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  08/26 09:18

  dram HBM

  
• 晶圆代工巨头们，不抢顶尖光刻机了？

  三星宣布将在2030年前后导入高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术，用于1纳米级（A10）工艺。此前，台积电和英特尔也在考虑是否提前引入该技术，但最终都选择了推迟至2030年后才开始大规模使用。

  全球半导体观察

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  08/13 09:21

  英特尔 台积电

  
• 三星发布新一代3D DRAM和400层NAND

  三星电子在FMS 2026上发布新一代3D DRAM技术和超高堆叠NAND闪存，展示新型高带宽内存(zHBM)和高性能NAND解决方案(zNAND-O)，大幅提升带宽和能效，适用于AI加速器。同时推出第十代V-NAND原型，提高密度和性能。

  芯片说 IC TIME

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  08/09 14:06

  NAND 3D DRAM
• 三星首次推出zHBM，性能是HBM5的8倍

  三星电子发布下一代内存技术愿景，推出zHBM、zNAND-O和BV-NAND，旨在应对高性能计算和人工智能基础设施的需求，提升AI系统性能和能效。

  芯片说 IC TIME

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  08/06 17:05

  存储 zHBM
• 存储巨头亮剑PCIe 6.0 SSD，企业级爆发、消费级要等多久？

  企业级SSD加速落地，PCIe 6.0产品已全面面向企业级市场，多家存储原厂率先推出，而消费级市场还需等待更多主控芯片和平台支持。

  全球半导体观察

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  08/06 16:45

  SSD NAND
• 又签长单！存储大厂Q3利润将超4650亿元

  三星电子计划通过扩大与主要科技企业的长期供应协议，增加高价值高带宽内存（HBM）产品的供应量，并专注于获取高利润先进工艺节点的代工订单，以维持其在全球存储器市场的领导地位。预计三星第三季度的营业利润可能首次突破100万亿韩元，得益于存储器价格上涨和HBM4产品的推出。三星还将通过提高先进制程的营收占比，实现利润最大化。

  芯片说 IC TIME

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  08/01 08:54

  存储
• 押注人形机器人，三星评估并购海外机器人初创公司！

  三星电子正考虑收购海外机器人初创企业，加速其在人形机器人与具身智能领域的研发和商业化进程。三星已成立专门的机器人事业部，并计划在全球多个机器人技术前沿市场设立研发中心。此外，三星还加大了对机器人赛道的投资力度，预计未来将在自有工厂落地人形机器人，并逐步拓展到家庭和零售场景。随着三星在机器人领域的不断投入，市场对其未来的投资与并购活动寄予厚望。

  人形大讲堂

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  07/31 13:31

  人形机器人 具身智能

  
• 三星掷19万亿韩元“造人”，消费电子巨头要抢谁的饭碗？

  三星电子宣布成立“RX”事业部，计划投资19万亿韩元建设人形机器人量产基地，并收购Rainbow Robotics股份至35%。三星希望通过自研自用的闭环策略，将人形机器人解决方案推向市场，目标是在2030年前将所有制造业务转型为“AI智能工厂”。三星的优势在于全产业链垂直整合、丰富的制造场景和提前布局的AI基础设施。同时，消费电子企业如荣耀、小米、vivo等纷纷加入人形机器人赛道，利用自身AI软件能力、芯片设计和成本控制优势，打造面向未来的AI伙伴。

  行家说功率半导体与新能源

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  07/27 16:39

  人形机器人
• 三星新品模仿华为阔折叠？OPPO跻身一线，苹果苦等供应链

  三星将于7月22日在伦敦举行Galaxy Unpacked发布会，主题为“A New Shape Unfolds”。三星选择在欧洲市场发布折叠屏手机，显示出其对折叠屏业务的战略重视。三星将推出Galaxy Z Fold和Galaxy Z Flip两条产品线，分别主打大屏生产力和广泛消费市场。尽管三星拥有强大的技术积累和品牌影响力，但行业对于折叠屏未来的形态选择出现了分歧。三星选择同时推进窄屏和阔屏两条路线，体现了其在快速变化市场中的平衡策略。华为通过阔折叠产品探索手机和平板之间的新空间，引领折叠屏走向新阶段。苹果则选择等待，依靠其成熟的生态系统和硬件可靠性来定义下一代移动设备形态。三星、华为和苹果的不同策略反映了折叠屏市场的多样化竞争态势。

  芯流智库

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  07/22 12:54

  智能手机市场 折叠屏手机
• 三星开始量产eSSD，配套英伟达Vera Rubin

  三星电子宣布其面向AI基础设施的eSSD PM1763已开始量产，具备快速读取速度和高效数据处理能力，适用于大规模数据存储需求。该产品采用第九代V-NAND闪存和新型控制器，提供4TB、8TB和16TB三种容量选项，性能大幅提升，特别适合AI任务处理。此外，PM1763针对液冷环境优化，增强能效并强化数据安全性，通过PQC加密算法和TDISP技术保障数据安全。三星电子表示，该产品将成为支持客户高效运行AI模型的核心解决方案。

  芯片说 IC TIME

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  07/09 12:17

  三星电子 SSD
• 存储大厂Q2利润4600亿！超越英伟达，荣登全球第一

  三星电子第二季度营业利润突破89万亿韩元，创历史最高记录，超越英伟达和苹果，成为全球科技公司中营业利润最高的公司。得益于存储器市场的强劲增长，特别是人工智能投资的扩大和存储器半导体超级周期的全面启动，三星电子的半导体部门表现尤为突出。尽管面临智能手机业务的首次季度亏损，整体业绩仍超出市场预期，显示出半导体行业的强劲势头。

  芯片说 IC TIME

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  07/08 12:28

  存储器
• 芯片法案四年复盘：390亿美元花出去，美国半导体制造回来没？

  2022年8月，拜登签署《芯片与科学法案》时，华盛顿的叙事非常统一：美国半导体制造能力从1990年的 40% 跌到了2020年的12%，必须把产能拉回来。 四年过去，这份产业刺激计划交出了怎样的成绩单？ 钱去了哪里？ 据供应链分析机构SupplyICs报道，目前用于制造补贴的390亿美元已完成分配，23家受助方得到补贴承诺，约110亿美元已据里程碑拨付，剩余已承诺资金将在各项目于2028年前陆续达

  史德志

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  07/01 10:00

  晶圆制造

  
• 存储大厂计划十年投资4.42万亿！

  三星集团计划在6月29日宣布一项超过1000万亿韩元的投资计划，涉及半导体、人工智能数据中心等领域，旨在保持竞争优势并支持韩国政府的均衡区域增长政策。此投资额相当于韩国年度GDP的一半，显示出三星对未来的坚定投入。

  芯片说 IC TIME

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  06/30 05:31

  存储 三星电子
• 三星GAA垂直架构：全球首个42nm栅极间距3D堆叠晶体管问世

  三星展示了栅极间距为42纳米的三维堆叠场效应晶体管（3D Stacked FETs），获得VLSI研讨会高评分并被评为最佳论文。此技术采用三层堆叠的纳米片通道，垂直堆叠n型和p型FET，显著提升集成密度，为未来逻辑和SRAM技术铺路。

  赵元闯

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  06/29 13:08

  场效应晶体管 3D堆叠

  
• 三星研发出业界首款端侧AI移动NAND，Q4量产

  三星电子开发了业界首款专为设备端人工智能（AI）设备量身定制的下一代通用闪存（UFS）5.0，基于第九代V-NAND闪存，具有10.8GB/s的数据传输带宽，能效提高40%以上，尺寸缩小16.7%，适用于移动设备、可穿戴设备和XR设备。

  芯片说 IC TIME

  999

  06/24 23:11

  NAND 端侧AI
• 全球DRAM产能何时释放，释放多少？

  随着AI需求持续走高，全球DRAM市场长期处于供给偏紧状态。目前三星电子、SK海力士、美光科技、长鑫存储等头部企业纷纷推进产线技改与新建扩产，但晶圆工厂从投产、爬坡到满产达产需要较长周期。本文梳理各大厂商现有产能及扩产进度，希望能够为研判DRAM行业中长期供给走势的人士提供参考依据。 三星电子：平泽P4厂现陆续投产，P5 Fab1预计2028年投产 据《ETNews》援引业内消息人士透露，三星计划

  史德志

  9668

  06/24 10:22

  dram

  

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