三星电子

• 三星开始量产eSSD，配套英伟达Vera Rubin

  三星电子宣布其面向AI基础设施的eSSD PM1763已开始量产，具备快速读取速度和高效数据处理能力，适用于大规模数据存储需求。该产品采用第九代V-NAND闪存和新型控制器，提供4TB、8TB和16TB三种容量选项，性能大幅提升，特别适合AI任务处理。此外，PM1763针对液冷环境优化，增强能效并强化数据安全性，通过PQC加密算法和TDISP技术保障数据安全。三星电子表示，该产品将成为支持客户高效运行AI模型的核心解决方案。

  芯片说 IC TIME

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  07/09 12:17

  三星电子 SSD
• 存储大厂Q2利润4600亿！超越英伟达，荣登全球第一

  三星电子第二季度营业利润突破89万亿韩元，创历史最高记录，超越英伟达和苹果，成为全球科技公司中营业利润最高的公司。得益于存储器市场的强劲增长，特别是人工智能投资的扩大和存储器半导体超级周期的全面启动，三星电子的半导体部门表现尤为突出。尽管面临智能手机业务的首次季度亏损，整体业绩仍超出市场预期，显示出半导体行业的强劲势头。

  芯片说 IC TIME

  546

  07/08 12:28

  存储器
• 芯片法案四年复盘：390亿美元花出去，美国半导体制造回来没？

  2022年8月，拜登签署《芯片与科学法案》时，华盛顿的叙事非常统一：美国半导体制造能力从1990年的 40% 跌到了2020年的12%，必须把产能拉回来。 四年过去，这份产业刺激计划交出了怎样的成绩单？ 钱去了哪里？ 据供应链分析机构SupplyICs报道，目前用于制造补贴的390亿美元已完成分配，23家受助方得到补贴承诺，约110亿美元已据里程碑拨付，剩余已承诺资金将在各项目于2028年前陆续达

  史德志

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  07/01 10:00

  晶圆制造

  
• 存储大厂计划十年投资4.42万亿！

  三星集团计划在6月29日宣布一项超过1000万亿韩元的投资计划，涉及半导体、人工智能数据中心等领域，旨在保持竞争优势并支持韩国政府的均衡区域增长政策。此投资额相当于韩国年度GDP的一半，显示出三星对未来的坚定投入。

  芯片说 IC TIME

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  06/30 05:31

  存储 三星电子
• 三星GAA垂直架构：全球首个42nm栅极间距3D堆叠晶体管问世

  三星展示了栅极间距为42纳米的三维堆叠场效应晶体管（3D Stacked FETs），获得VLSI研讨会高评分并被评为最佳论文。此技术采用三层堆叠的纳米片通道，垂直堆叠n型和p型FET，显著提升集成密度，为未来逻辑和SRAM技术铺路。

  赵元闯

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  06/29 13:08

  场效应晶体管 3D堆叠

  
• 三星研发出业界首款端侧AI移动NAND，Q4量产

  三星电子开发了业界首款专为设备端人工智能（AI）设备量身定制的下一代通用闪存（UFS）5.0，基于第九代V-NAND闪存，具有10.8GB/s的数据传输带宽，能效提高40%以上，尺寸缩小16.7%，适用于移动设备、可穿戴设备和XR设备。

  芯片说 IC TIME

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  06/24 23:11

  NAND 端侧AI
• 全球DRAM产能何时释放，释放多少？

  随着AI需求持续走高，全球DRAM市场长期处于供给偏紧状态。目前三星电子、SK海力士、美光科技、长鑫存储等头部企业纷纷推进产线技改与新建扩产，但晶圆工厂从投产、爬坡到满产达产需要较长周期。本文梳理各大厂商现有产能及扩产进度，希望能够为研判DRAM行业中长期供给走势的人士提供参考依据。 三星电子：平泽P4厂现陆续投产，P5 Fab1预计2028年投产 据《ETNews》援引业内消息人士透露，三星计划

  史德志

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  06/24 10:22

  dram

  
• 存储技术前沿汇总：铠侠、三星、海力士、Saimemory、中科院3D闪存与DRAM最新突破

  铠侠和闪迪推出多层堆叠单元阵列架构，采用晶圆到晶圆铜直接键合技术，实现超高密度3D闪存，达到1000字线以上。Saimemory项目展示了一种多晶圆、超薄、创新的熔融键合一体式通孔架构，旨在解决HBM在功耗和成本上的问题。三星展示垂直堆叠DRAM技术，采用全环绕栅极单元晶体管和水平储能电容，推进缩放演进。中科院微电子所与北京超弦存储器联合研发的IGZO 2T0C 3D DRAM单元，实现了3bits/cell存储和400秒数据保留时间。

  赵元闯

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  06/23 09:31

  dram 存储

  
• 9个月暴涨288%，DDR5价格能涨到天上去吗？

  存储行业涨价潮持续发酵，内存、HDD、SSD三大品类价格集体走高，行业紧缺危机尚未缓解。根据ComputerBase追踪数据，2025年9月至2026年6月，存储市场价格持续攀升，全行业成本压力大幅上行。 三大存储品类，价格涨幅分化但高位确立 以2025年9月中旬为基准，九个月的时间里存储市场走出超级涨价行情，品类涨幅分化明显。截至2026年6月中旬，DDR5内存较基准价暴涨288%，较上月小幅抬

  史德志

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  06/18 09:42

  存储

  
• 谷歌联手三星，两款AI眼镜今秋上市

  Google I/O 2026展示AI智能眼镜，分为音频和显示两类，音频眼镜搭载Gemini底层模型，支持AI视觉和多模态输入，拍照功能有卡通化效果并同步显示在智能手表上。显示眼镜由XREAL打造，采用Micro-OLED屏幕，支持70度可视角度，电池续航约4小时。谷歌还发布了最新视频模型Gemini Omni和面向个人用户的Agent Gemini Spark。

  中国电子报

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  05/21 23:30

  AI眼镜
• 三星家电闪退中国，都怪内存赚的太多

  三星宣布在中国停止销售家电产品，主要原因是中国市场竞争激烈，特别是白电和电视业务份额下降明显。尽管三星在半导体和其他业务板块表现强劲，但家电和显示业务的盈利能力较低，导致其决定退出中国市场。这一举动反映了三星调整战略，聚焦更高附加值业务的趋势。

  远川科技评论

  713

  05/11 13:17

  家电市场 家电行业

  
• 苹果“备胎”沉默的真相：中国芯片代工被双重屏蔽

  据媒体最新报道，苹果正秘密与英特尔及三星电子展开初步谈判，试图打破台积电对其核心处理器近十年的独家垄断。此消息一出，台积电股价应声波动，而英特尔股价则一度飙升近10%。外界普遍将此解读为苹果分散风险的常规操作，但在我看来，这更像是一场精心策划的阳谋。 为何是三星与英特尔？ 苹果寻找第二来源并非心血来潮。表面看是AI需求爆发导致3nm产能被英伟达和高通挤占，影响了iPhone出货；深层次看，这是苹果

  曹顺程

  3651

  05/06 10:25

  苹果 ic设计

  
• 2nm芯片落地，晶圆代工厂商加速角逐新战场

  2026年，AI算力需求推动芯片制程逼近物理极限，台积电、三星、英特尔、Rapidus均取得重要进展。台积电N2已量产，A14/A12瞄准2028-2029年；三星良率突破60%，SF2Z背面供电2027年登场；英特尔18A量产，14A加速推进；Rapidus计划2027财年下半年量产2nm，1.4nm研发同步启动。

  全球半导体观察

  1913

  05/06 10:24

  晶圆代工厂 2nm芯片

  
• 汽车向“物理AI”演进，三星半导体“全栈式”布局，成为车企技术赋能者

  三星半导体在北京车展上展示了其在存储、图像传感器和晶圆代工三大领域的技术布局，强调了这些技术如何共同支撑“物理AI”时代的汽车发展。他们推出了具有更高带宽和更强性能的Automotive LPDDR6，解决了车载存储的速率瓶颈，并展示了可拆式车载固态硬盘Detachable AutoSSD，增强了存储的灵活性和安全性。此外，三星半导体还分享了其针对未来汽车存储解决方案的技术细节，表明其致力于为汽车制造商提供全面的技术支持，助力汽车向智能化和自动化方向发展。

  芯东西

  672

  04/28 22:58

  物理AI
• 三星40亿美元押注，越南“芯”跳加速

  三星计划在越南投资40亿美元建设半导体封测厂，Amkor也在加快其在越南的生产线扩建。越南政府正积极吸引半导体投资，制定分阶段发展计划，旨在将其打造成“封测强国”。然而，越南面临能源和人才短缺等问题，亟待解决。

  芯智讯

  769

  04/13 11:05

  半导体产业 封测厂
• 这些芯片供应商，深陷降价泥潭

  韩国半导体产业在AI需求推动下的增长与本土供应商面临的降价压力形成鲜明对比。三星和SK海力士在2026年第一季度的供应商谈判中普遍下调了存储相关材料和组件的采购价格，这是韩国上游供应商连续第二年面临降价压力。上游供应商面临的主要问题是利润分配与定价权失衡，宏观经济环境变化以及中国半导体材料与设备的崛起。尽管如此，韩国供应商的困境揭示了全球半导体产业在高速发展阶段需要解决的结构性问题：如何在头部企业追求利润最大化与维护上游供应链健康之间找到平衡。

  半导体产业纵横

  537

  04/13 10:31

  芯片供应商

  
• 三星入门级Mini LED低至2499，2026年战略转向？

  近日，三星电子传来两大消息，一是CES披露的电视产线陆续发售，其中Mini LED电视新增入门级系列（无量子点），最低价可至2499元；其二是斯洛伐克电视工厂将在今年5月正式停产，而这个工厂覆盖了高端QLED 电视到中低端LCD 电视。 从今年的情况来看，三星VD事业部自2025年Q3起持续亏损。再加上中国品牌持续追赶，2025年TCL与三星的市占率差距进一步缩小，随着索尼与TCL电子股权转让进入

  行家说Display

  577

  03/26 21:48

  三星电子 MiniLED
• 三星电子：8英寸GaN产线预计今年投产

  3月20日，据韩国媒体THE ELEC报道，三星电子计划启动一条8英寸氮化镓功率半导体代工厂生产线，预计最早将于今年第二季度实现全面量产。 这一举措标志着三星在宣布进军氮化镓晶圆代工业务三年多后，正式落地相关布局、跻身这一赛道。据悉，三星目前已斩获一位客户，但受限于客户基础尚未完善，该氮化镓晶圆代工业务初期收入预计将低于1000亿韩元。 THE ELEC进一步透露，三星电子已将其产品定位为不含芯片

  行家说三代半

  544

  03/25 21:51

  半导体 GaN
• 三星Unpacked 2026：在利润压力下的长远布局

  三星Galaxy S26机型周期反映了旗舰竞争进入了一个更务实的阶段，三星必须在利润压力、市场旗舰定位和明确的消费者价值之间取得平衡。本文探讨了S26系列的上市定价及内存成本影响，以及三星以隐私为核心的AI功能和平台战略如何塑造其长期市场旗舰地位。

  Canalys

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  03/23 10:38

  三星手机
• AI时代 内存发展的下一个黄金十年在哪里？三星 VLSI 报告给你答案

  AI时代，内存和处理器紧密融合成为必然趋势。三星全面布局先进封装技术，包括MOP、HBM、PIM、3D HBM等，以应对AI大模型带来的内存墙和功耗墙挑战。现有成熟方案如MOP和HBM有效缩短内存与处理器的距离，而未来技术如PIM和定制HBM则进一步提升内存计算能力，推动整体性能突破。三星凭借其全面的封装平台和技术储备，引领行业向更高集成度和能效方向发展。

  芯科技圈

  812

  03/23 09:57

  内存 VLSI

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