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动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。收起

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  • 2026年DRAM均价预计再涨 58%,谁能在“史上最疯狂”周期下少挨点打?
    引言:2026年DRAM均价(ASP)年对年上涨约58%;行业营收将再增长约85%,DRAM产业规模首次突破3000亿美元。 近日,在深圳举行的“MTS2026存储产业趋势研讨会”上,集邦咨询(TrendForce)资深研究副总经理吴雅婷给出了一个大胆的预测:2026年全球DRAM供应(bit)年增约20%,需求年增约26%,至少存在6个百分点的缺口。在这一前提下,吴雅婷预估——2026年DRAM
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    12/02 17:25
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    11/28 10:03
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    11/26 15:41
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    11/24 08:48
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