3D DRAM_3D DRAM是什么意思

7年后再访存储老兵：行业逻辑大反转！

罗彤七年后复盘2019预判：DRAM先触摩尔定律瓶颈、HBM成AI核心已验证；AI放大需求，存储涨价缺货，供需双指数形成周期，传统长周期消失，供给物理约束成主矛盾。HBM是过渡，三维DRAM与存算一体将破冯诺依曼瓶颈，AI可降低定制门槛。新人应先懂摩尔定律及失效，从低门槛入行，随产业增长。

芯片揭秘

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09/16 08:59

dram HBM

DRAM的下一个十年，要“站起来”

2026年9月，AMD和北方华创分别在3D DRAM领域取得了重要进展。AMD展示了基于混合键合技术的3D DRAM架构，能效提升显著；北方华创则在3D DRAM制造工艺上取得突破，解决了高深宽比结构下的横向选择性刻蚀难题。随着传统DRAM逼近物理极限，各大存储芯片巨头纷纷转向3D DRAM，力求突破存储密度和性能瓶颈。

半导体产业纵横

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09/15 13:27

dram 3D DRAM

全球首款4层3D DRAM存算一体芯片，点亮了！

谦合益邦成功点亮其4层3D DRAM堆叠存算一体芯片，标志着从实验室技术验证迈向工程化阶段。该芯片采用垂直堆叠技术，显著提升了访存带宽、降低了延迟和功耗，并已在实际应用场景中取得初步成果。谦合目前拥有两条产品线，一条主打低功耗的SoC，另一条针对云游戏场景。尽管面临制造良率和软件生态搭建的挑战，谦合凭借长期积累和技术策略，有望在全球竞争中占据一席之地。

是说芯语

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08/24 21:04

存算一体 3D DRAM

三星发布新一代3D DRAM和400层NAND

三星电子在FMS 2026上发布新一代3D DRAM技术和超高堆叠NAND闪存，展示新型高带宽内存(zHBM)和高性能NAND解决方案(zNAND-O)，大幅提升带宽和能效，适用于AI加速器。同时推出第十代V-NAND原型，提高密度和性能。

芯片说 IC TIME

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08/09 14:06

NAND 3D DRAM

下一代 DRAM技术发展2025报告，重点关注 HBM 和 3D DRAM

这份报告来自Yole，发布于2025年，共225页。该报告详细分析了DRAM市场和技术趋势，重点关注DRAM微缩技术、高带宽内存(HBM)和3D DRAM。