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动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。收起

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    工业设备通常在高低温、异常断电、震动、冲击、脏污等环境下运行,存储器作为设备的数据中枢,要求支持宽温工作、高度抗振抗冲击、掉电保护以及强电磁兼容性等,以确保严苛环境下数据的可靠存储和快速访问,保障系统稳定运行。 近日,佰维存储面向轨道交通、工控、数据通信、电力等工业领域,推出了工规级宽温SSD——TGP200系列。TGP200系列SSD采用了DRAM-Less设计,兼顾-40°C~85°C宽温工作
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    4月9日晚,英特尔在年度Intel Vision大会上重磅推出新一代AI训练芯片Gaudi 3。相比英伟达上一代旗舰H100 GPU,Gaudi 3的训练性能可提高70%,推理性能提高50%,能效提高40%,同时价格低得多。在跑1800亿参数Falcon模型时,Gaudi 3的推理速度比英伟达H200快30%。
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    在AI服务器中,内存带宽问题越来越凸出,已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下,HBM内存很火,它相对于传统DRAM,数据传输速度有了明显提升,但是,随着AI应用需求的发展,HBM的带宽也有限制,而理论上的存算一体可以彻底解决“存储墙”问题,但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下,3D DRAM成为了一个HBM之后的不错选择。
  • 震后晶圆代工、内存产能最新情况追踪
    针对403震后各半导体厂动态更新,由于本次地震大多晶圆代工厂都位属在震度四级的区域,加上台湾地区的半导体工厂多以高规格兴建,内部的减震措施都是世界顶尖水平,多半可以减震1至2级。以本次的震度来看,几乎都是停机检查后,迅速复工进行,纵使有因为紧急停机或地震损坏炉管,导致在线晶圆破片或是毁损报废,但由于目前成熟制程厂区产能利用率平均皆在50~80%,故损失大多可以在复工后迅速将产能补齐,产能损耗算是影
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    罗彻斯特电子与Intelligent Memory携手合作,确保为工业应用和嵌入式应用提供传统和成熟的DRAM和NAND存储解决方案。 Intelligent Memory作为一家全球性企业,多年来专注服务于工业用内存市场和顶级用户,时刻支持各行业客户在工业市场领域中的持续发展。虽然领先的存储器制造商已不再专注于传统存储器,但许多停产微处理器仍然需要低密度的存储解决方案。Intelligent M
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    据商务部消息,3月23日,商务部部长王文涛会见美光科技公司总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉。双方就美光科技公司在华发展等议题进行了交流。王文涛表示,中国政府大力发展新质生产力,深入推进数字经济创新发展,将为包括美光在内的各国企业提供广阔发展空间,欢迎美光继续深耕中国市场,加快推进在华投资项目落地建设,并切实遵守中国法律法规。
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    由于HBM售价高昂、获利高,进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估,截至2024年底,整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m,占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%,供给位元年成长约260%。此外,2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。 HBM供应市况紧俏,2024年订单量持续
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    最近,Trendforce旗下DRAMeXchange在官网公布了23Q4的全球DRAM和NAND市场数据。不出所料,两者均出现暴涨趋势。具体而言:DRAM:市场规模174.6亿美金,同比增加42.2%,环比增加29.6%;NAND:市场规模114.9亿美金,同比增加11.7%,环比增加24.5%;
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    03/11 11:20
  • DRAM增长全面转正,六巨头大涨221%
    DRAM增长全面转正,六巨头大涨221%
    内存(DRAM)市场正在迎来一波上涨潮。据TrendForce统计,2023年第四季度,全球DRAM产业总营收达174.6亿美元,季增29.6%。排名前六的厂商在2023年第四季度营收环比增长都为正数,且增幅普遍较大,特别是力积电(PSMC),增幅最高,达到110%。
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    AI火的一塌糊涂,带动了相关产业,甚至是前几年一蹶不振的DRAM(动态随机存取存储器)领域一朝回春。作为半导体行业的重要组成部分,DRAM市场需求和应用也受到了AI发展的积极推动。君不见,春节过后,美韩存储芯片巨头均宣布涨价60%。
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    02/29 11:30
  • 内存芯片的疯狂或将在2024年重演
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    糟糕的2023年已经过去,存储芯片市场正在酝酿一场新的爆发。据TrendForce统计,2023年第四季度,全球DRAM(内存)和NAND闪存的价格约上涨 3%~8%。相对于PC市场而言,服务器DRAM市场对增长起到更大作用。2024年,随着运算速度的提升,DRAM和NAND闪存在各类AI应用,如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量都会增长,其中,服务器应用的增长幅度最高。
  • AI需求高涨,2024年Server DRAM单机平均搭载容量年增预估17.3%,领先其他应用
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    2024年市场持续聚焦AI议题,供应商也陆续推出AI高端芯片,随着运算速度的提升,TrendForce集邦咨询表示,2024年DRAM及NAND Flash在各类AI延伸应用,如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长,又以服务器领域成长幅度最高,Server DRAM单机平均容量预估年增17.3%;Enterprise SSD则预估年增13.2%。 首先从智能手机来看,由于手机芯片商主要
  • 存储芯片,中国什么时候能成?
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    2023年,为提升国内芯片企业在全球范围的影响力,促进和记录国内芯片的技术、市场应用进程,芯师爷特别策划《2023年硬核芯产业专题报告》。本篇为系列专题报告之《深耕中小容量市场,存储芯片静待产业回暖--2023年国内存储芯片产业概述及产品选型参考》。以下为报告全文。
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    02/02 09:11
  • 千亿美元蛋糕!3D DRAM分食之战悄然开局
    千亿美元蛋糕!3D DRAM分食之战悄然开局
    从目前公开的DRAM(内存)技术来看,业界认为,3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一,是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工?如何解决尺寸限制等行业技术痛点?大厂布局情况?
  • 开箱即用,为DDR DRAM一键开启硬件保护罩
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    接下来,我们将深入探讨黑客如何利用DRAM设备破坏数据和窃取信息,以及在SoC中保护DDR接口时可以采取的策略。希望通过这些内容能让开发者们更好地理解硬件安全的重要性,了解如何在实际操作中实施有效的防护措施。
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    01/30 11:10
  • 针对DDR5电竞模块提供1.0V I3C接口以及高效电竞灯光控制LLSI接口应用
    在绿能时代,企业普遍关注低功耗议题,电子装置逐渐朝向节能技术演进,尤其是DRAM模块供电结构的改变和高速传感器总线的需求,推动了I3C接口的广泛应用。新唐科技宣布推出首款微控制器NUC1263系列,支持DDR5模块的1.0V电压I3C接口,且提供独家LLSI (LED Light Strip Interface) 专利技术,此一技术不仅可用于控制RGB灯条,亦可控制新一代ARGB Gen 2灯条。

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