巨头抢滩HBM，边缘侧存储“隐形冠军”悄然崛起

2025年，全球存储市场迎来结构性转折。伴随AI算力需求从云端向边缘端渗透，以及三星、SK海力士、美光等原厂全面转向DDR5与HBM，一场由技术迭代驱动、产能结构性转移引发的供应紧张，正重塑存储产业格局。

在这场变局中，利基型存储市场与主流大宗商品市场加速“解耦”，成为独立赛道。长期聚焦中小容量、定制化存储方案的华邦电子，正凭借其IDM产能自主、产品矩阵精准、技术路线前瞻三大优势，迎来新一轮成长机遇。

在同与非网记者的深入交流中，华邦电子产品总监朱迪进一步阐述了公司面对市场变局时的战略思考与技术路径。

DDR4“退场”与边缘AI“登场”

本次存储缺货潮，并非传统的周期性波动，而是由技术断层与需求结构性迁移共同驱动的“超级周期”。

2025年4月起，三星、SK海力士、美光及长鑫存储陆续宣布停产DDR4/LPDDR4，将产能转向DDR5、LPDDR5及HBM。朱迪指出：“一旦国际大厂制程推进至DDR5，就不可能回去生产DDR4。”这意味着，DDR4近半数产能已永久性退出市场，缺口短期难以填补。

随着AI向摄像头、机器人、AR/VR眼镜、车载系统等边缘侧落地，存储需求从追求“大容量”转向 “高带宽、低功耗、中小容量、强定制” 组合，市场开始呼唤创新、多样化的解决方案。

正是这一“供给退、需求进”的剪刀差，为以华邦电子为代表的利基型存储厂商打开了时间窗口。

事实上，在当前由AI驱动的边缘计算浪潮下，不同类型的边缘设备对存储提出了多样化的性能要求。针对这一市场需求，华邦电子已构建起覆盖低、中、高性能场景的完整产品矩阵，并以差异化技术路线精准服务于不同层级的边缘智能应用。

在低功耗、小尺寸的端侧场景中，当MCU内部SRAM容量不足时，外挂华邦电子的HYPERRAM™可作为高效的扩展方案。

朱迪表示，该存储器专为小容量场景优化，支持256Mb及以下规格，采用低功耗架构与混合睡眠模式，在维持高性能的同时显著降低能耗。其紧凑型封装与精简的引脚设计，使其能够适配各类空间受限的终端设备。

在传输性能方面，HYPERRAM™的带宽表现已达到甚至超越传统MCU外挂SDRAM与DDR1的水平，为准实时数据处理与轻量AI推理提供了可靠的存储支持。凭借均衡的性能功耗比与高集成度设计，该方案已在智能穿戴、传感器模组等边缘设备中实现规模化部署，出货量相当可观。

LPDDR4正从移动终端向更广泛的边缘AI场景拓展。在智能摄像头、扫地机器人、无人机等设备中，伴随主控SoC算力提升，其对存储带宽的要求已超越传统DDR3/4的能力范围。LPDDR4凭借其双通道32位I/O架构，可提供翻倍的传输带宽，同时保持低功耗特性，成为高算力边缘设备的理想内存选择。

根据朱迪的介绍，华邦电子的LPDDR4产品已在该领域实现规模化出货，并且体量很大。

在边缘AI对存储带宽提出更高要求的背景下，华邦电子推出了专为边缘人工智能场景设计的CUBE架构。

该架构采用先进的2.5D/3D封装技术，通过TSV和晶圆级堆叠实现高密度互联，其I/O数量可达数千个，创造了堪比HBM的超高传输带宽。由于存储单元与SoC的物理距离缩短，信号传输功耗显著降低，同时保持了适中的存储容量配置。

朱迪认为，相较于面向数据中心应用的HBM系列，CUBE及其精简版本CUBE-Lite专门为端侧设备设计，在带宽、功耗和尺寸之间实现了精细平衡。

当前CUBE架构单组容量已支持4GB配置，并通过持续的工艺优化，可扩展至8GB及以上规格。这种在有限尺寸内实现超高带宽的设计理念，使CUBE成为机器视觉、自动驾驶感知系统等高性能边缘应用的理想存储解决方案。

在产能决定交付的当下，华邦电子的IDM模式正成为其应对缺货、保障客户的战略资产。

朱迪认为，IDM模式的核心优势，在于其对生产制造的绝对自主权。对于华邦电子而言，其在高雄与台中的两座自有12英寸晶圆厂，就是保障产品可靠性、实现敏捷交付的基石。

高雄厂：作为先进DRAM制造基地，月产能约1.5万片，目前以20nm制程为主力（约占1万片），并已于近期推出先进16nm制程8Gb DDR4 DRAM。该厂是华邦制程进入“一字头”时代、冲刺技术高地的关键。
台中厂：作为Flash产品与成熟DRAM的供应核心，总月产能约6万片。其中，NOR Flash、NAND Flash与传统型DRAM生产配比保持动态调整。这种动态的产品组合能力，使得华邦能根据市场需求（如当前紧张的SLC NAND市场）快速调整产出重点。

此外，2025年11月，华邦电子董事会通过了一项近400亿新台币的资本预算，用于Flash与客制化内存解决方案（CMS）产能扩张。“工厂属于华邦电子，我们可以自行调配产能，尤其在缺货时期更能保障客户需求。”朱迪强调，这种产能自主性正是其在高门槛的汽车、工业市场持续获单的关键。