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LPDDR6内存标准正式发布 性能再升级 高达14.4GHz

07/14 11:24
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近日,LPDDR6最新标准发布,助力移动和AI内存性能安全大提升!

微电子行业标准开发领域的全球领导者JEDEC 固态技术协会在7月9日宣布发布最新的低功耗双倍数据速率6(LPDDR6)标准JESD209-6。JESD209-6 旨在显著提高各种用途的内存速度和效率,包括移动设备和 AI。新的 JESD209-6 LPDDR6 标准代表了内存技术的重大进步,提供了增强的性能、能效和安全性。 

一、更节能 电源效率更高

为了帮助满足不断增长的电源效率需求,与LPDDR5 相比,LPDDR6 采用更低电压和低功耗的 VDD2 电源运行,并为 VDD2 提供两个电源。其他节能功能包括:

1.交替时钟命令输入用于提高性能和效率

2.低功耗动态电压频率调节(DVFSL) 可在低频运行时降低 VDD2 电源,以降低功耗

3.Dynamic Efficiency 模式利用单个子通道接口,适用于低功耗、低带宽用例

4.支持部分自刷新和主动刷新,以减少刷新功耗

二、性能爆发 数据传输率达14.4Ghz

JEDEC并未规定LPDDR6的数据传输率(频率),根据此前说法起步就超过了10Gbps,可以达到10667Mpbps,而最高可以做到14400Mbps,也可以说是14.4GHz。

为了实现AI 应用程序和其他高性能工作负载,LPDDR6 采用双子通道架构,允许灵活作,同时保持32 字节的小访问粒度。此外,LPDDR6 的主要功能还包括:

1.每个晶片2 个子通道,每个子通道 12 个数据信号线 (DQ),以优化通道性能

2.每个子通道包括4 个命令/地址 (CA) 信号,经过优化以减少球数并提高数据访问速度

3.静态效率模式旨在支持大容量内存配置并最大限度地提高存储区资源利用率

4.灵活的数据访问,即时突发长度控制,支持32B和64B访问

5.动态写入NT-ODT(非目标片上端接)使存储器能够根据工作负载需求调整 ODT,从而提高信号完整性

JEDEC 董事会主席 Mian Quddus“JEDEC 很自豪地推出 LPDDR6,这是 JC-42.6 低功耗存储器小组委员会成员多年努力的结晶”。他补充道:“LPDDR6 在能效、强大的安全选项和高性能之间取得平衡,是下一代移动设备、人工智能和相关应用在注重功耗的高性能世界中蓬勃发展的理想选择。”

存储现货市场资源紧缺,拉动行业DDR4和LPDDR4X价格上涨

Advantest、Cadence、Synopsys、三星、SK海力士美光高通联发科等半导体测试厂商、内存芯片厂商、终端厂商都表达了对LPDDR6的支持和期待。就在上个月,三星电子宣布,将于今年下半年采用第六代“1c DRAM”工艺,开始量产下一代LPDDR6内存,并向高通等科技巨头供货。

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