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  • 2026年万亿美元AI开支,具体花在哪儿?
    2026年,全球AI资本支出要花掉9980亿美元,差不多等于一个中等发达国家全年的GDP体量。按瑞银的估算,这笔钱在2025年是5060亿,2027年进一步升到1.447万亿,两年累计上涨了186%。 这笔万亿美元级别的开支,究竟流向产业链哪些环节? 多出来的钱,九成是存储 比规模更值得琢磨的,是瑞银为什么要把这个预测往上修。 它给的理由相当直接:主要源于存储价格的快速攀升,而非基础设施投资规模的
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    09/23 07:59
    2026年万亿美元AI开支,具体花在哪儿?
  • 存储巨头公布最新技术路线图,HBM的下一站在哪?
    三星发布zHBM技术,将HBM直接堆叠在GPU上,大幅提升性能和能效;SK海力士推出多元化的HBM解决方案,包括混合键合和EMIB技术,以应对更高的堆叠层数和散热挑战;美光强调HBM在散热、面积和可靠性方面的挑战,并探索先进封装技术以解决这些问题。
    存储巨头公布最新技术路线图,HBM的下一站在哪?
  • 从1亿到390亿美元,CPO突然火了!谁在卡位?
    SK海力士联合五所全球顶尖高校在《自然·电子学》发布CPO技术路线图,提出了将光互连从交换芯片间延伸至内存接口的解决方案,以应对AI扩张中的“带宽墙”问题。论文详细阐述了CPO技术的价值、架构演进,并提出光中心架构的概念,强调了多路并行推进的重要性。
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    08/24 20:40
  • 英伟达、SK海力士:必须拿下CPO!
    SK海力士和英伟达相继推出CPO技术,旨在应对数据中心面临的带宽和功耗挑战。CPO通过将光引擎与ASIC交换芯片封装在一起,实现了低功耗、高带宽的解决方案。尽管目前CPO尚未大规模商用,但其潜力巨大,有望推动光模块行业的转型。
    英伟达、SK海力士:必须拿下CPO!
  • 存储巨头招聘高管,负责信披!
    SK海力士澄清Solidigm IPO传闻,称尚未证实;Solidigm正招聘高管负责SEC信息披露,表明可能筹备上市。
  • SK海力士业绩“炸裂”却不及预期:存储从周期走向成长
    当“暴增557%”与“不及预期”这两个截然相反的标签贴在SK海力士同一份财报上时,全球半导体投资者的焦虑与兴奋被同时点燃了。 2026年7月29日,SK海力士交出了一份足以载入史册的季度成绩单:营收79.32万亿韩元,营业利润60.54万亿韩元,净利润93.92万亿韩元,均创历史新高。然而,这组数据的每一项,都比韩国证券分析师的共识预期低了约4万亿至5万亿韩元。这种“完美的缺憾”,在资本市场掀起了
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    07/29 08:26
    SK海力士业绩“炸裂”却不及预期:存储从周期走向成长
  • 【存储器】长鑫存储和海力士密集上市,加速还是顶峰?
    AI算力需求激增推动存储器市场迎来超级周期,SK海力士和长鑫存储相继上市,展示强劲业绩和增长潜力。存储器产能供应紧张,导致价格飙升,预计未来两年内将继续保持高位。
    【存储器】长鑫存储和海力士密集上市,加速还是顶峰?
  • 刚刚,万亿存储之王登陆美股!开盘大涨14%,开创“第一”
    SK海力士成功登陆纳斯达克,发行价149美元,开盘价170美元,总市值1.25万亿美元。SK海力士是一家全球领先的存储半导体企业,主营先进存储芯片的研发、制造与销售业务。2023年至2026年第一季度,SK海力士的营收和净利润显著增长,特别是DRAM产品的爆发式增长。SK海力士计划在未来五年内将晶圆制造产能扩大一倍,并持续扩产。客户集中度较高,主要客户包括英伟达、谷歌、微软、博通和苹果等企业。
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    07/13 23:35
  • 冲向美股,SK海力士准备了十三年
    SK海力士正式启动纳斯达克上市,拟募集资金约294亿美元,股票代码为SKHY。凭借HBM技术,SK海力士在AI时代脱颖而出,成为全球AI存储的关键供应商。尽管面临存储市场低迷,SK海力士通过HBM3和HBM3e的成功,实现了业绩逆袭。随着AI需求激增,SK海力士的战略转向全栈AI存储创造者,计划在未来五年内大幅扩张产能,总投资高达1100万亿韩元。此次上市不仅是融资需求,更是希望通过美股市场重塑估值逻辑,摆脱“周期股”标签,巩固其在全球半导体行业的领先地位。
  • 全球DRAM产能何时释放,释放多少?
    随着AI需求持续走高,全球DRAM市场长期处于供给偏紧状态。目前三星电子、SK海力士、美光科技、长鑫存储等头部企业纷纷推进产线技改与新建扩产,但晶圆工厂从投产、爬坡到满产达产需要较长周期。本文梳理各大厂商现有产能及扩产进度,希望能够为研判DRAM行业中长期供给走势的人士提供参考依据。 三星电子:平泽P4厂现陆续投产,P5 Fab1预计2028年投产 据《ETNews》援引业内消息人士透露,三星计划
    1万
    06/24 10:22
    全球DRAM产能何时释放,释放多少?
  • 存储技术前沿汇总:铠侠、三星、海力士、Saimemory、中科院3D闪存与DRAM最新突破
    铠侠和闪迪推出多层堆叠单元阵列架构,采用晶圆到晶圆铜直接键合技术,实现超高密度3D闪存,达到1000字线以上。Saimemory项目展示了一种多晶圆、超薄、创新的熔融键合一体式通孔架构,旨在解决HBM在功耗和成本上的问题。三星展示垂直堆叠DRAM技术,采用全环绕栅极单元晶体管和水平储能电容,推进缩放演进。中科院微电子所与北京超弦存储器联合研发的IGZO 2T0C 3D DRAM单元,实现了3bits/cell存储和400秒数据保留时间。
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    06/23 09:31
    存储技术前沿汇总:铠侠、三星、海力士、Saimemory、中科院3D闪存与DRAM最新突破
  • 英伟达与SK海力士签署长协,扩大合作规模
    英伟达与SK集团宣布建立“超级紧密联盟”,共同构建未来AI基础设施市场,加强合作范围从AI服务器高带宽内存扩展到下一代产品线,旨在解决全球AI市场资源短缺问题,预计未来十年内AI基础设施将持续增长。
  • 这些芯片供应商,深陷降价泥潭
    韩国半导体产业在AI需求推动下的增长与本土供应商面临的降价压力形成鲜明对比。三星和SK海力士在2026年第一季度的供应商谈判中普遍下调了存储相关材料和组件的采购价格,这是韩国上游供应商连续第二年面临降价压力。上游供应商面临的主要问题是利润分配与定价权失衡,宏观经济环境变化以及中国半导体材料与设备的崛起。尽管如此,韩国供应商的困境揭示了全球半导体产业在高速发展阶段需要解决的结构性问题:如何在头部企业追求利润最大化与维护上游供应链健康之间找到平衡。
    这些芯片供应商,深陷降价泥潭
  • 本土存储厂商的“备胎时刻”
    全球存储产能紧张下,头部厂商转向数据中心用料,导致通用型DRAM与NAND产能受挤。多家国际PC厂商开始评估并引入中国存储,如长鑫存储和长江存储加快扩产步伐。中国存储厂商正从低价竞争转向高质量交付承诺,面对美国实体清单禁锢,需平衡产能规模与合规性。未来三年内,量产能力和交付承诺将成为衡量中国存储是否能成为“潜在第四极”的关键因素。
    本土存储厂商的“备胎时刻”
  • 100%关税压力!SK海力士将追加投资美国
    SK海力士计划在印第安纳州投资38.7亿美元建设先进封装工厂,以应对美国半导体政策变化带来的挑战。公司考虑通过发行美国存托凭证(ADR)筹集资金,同时调整资本支出策略,以满足未来的免税优惠要求。
  • “涨”声一片
    全球电子元器件与工业自动化领域迎来新一轮“涨价潮”,涉及存储芯片、被动元件、功率半导体等多个产品线,涨幅显著且集中在2025下半年至2026年第一季度。此轮涨价呈现范围广、幅度大、持续性强的特点,主要由需求增长和供给端成本上升推动。预计将持续增加下游制造业的成本压力,供应链企业需加强库存管理和技术创新。
    “涨”声一片
  • 芯耀要闻 | 美国对 H200 出口附加三项前提;中国电子企业海外扩张提速
    AI推动半导体产业增长至1万亿美元,存储厂商因HBM短缺价格上涨;台积电先进制程表现强劲,集中供应格局不变。中美就H200贸易争端达成妥协,但仍需严格管控。亚洲制造业表现稳健,中国电子企业加快海外扩张步伐。工业AI加速落地,成为2026年的技术主线。
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    01/19 09:35
    芯耀要闻 | 美国对 H200 出口附加三项前提;中国电子企业海外扩张提速
  • SK海力士DRAM业务今年利润将超4700亿!
    SK海力士超越英特尔,成为全球第三大半导体公司,受益于HBM和通用DRAM的强劲销售,营收增长显著,市场份额提升至7.6%。证券行业上调估值目标,看好其未来盈利前景。
    SK海力士DRAM业务今年利润将超4700亿!
  • SK海力士又扩产,砸900亿建存储封测厂!
    SK海力士(000660)正在韩国忠清北道清州市兴建一座大型先进封装工厂,以满足日益增长的人工智能(AI)内存需求。这项战略投资旨在提升AI内存的竞争力,重点发展高带宽内存(HBM),同时促进区域均衡发展。
    SK海力士又扩产,砸900亿建存储封测厂!
  • SK海力士预计:今年内存市场将超4400亿美元
    SK海力士强调将持续领先高带宽内存(HBM)市场,预计2026年全球内存半导体市场规模超4400亿美元,其中HBM3E将成为主要产品,SK海力士计划凭借HBM4继续占据领先地位。
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    01/07 11:26
    SK海力士预计:今年内存市场将超4400亿美元

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