芯耀
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一般Fabless公司设计的芯片在工程批回来之后，都会做芯片级的ESD测试和latchup等测试，对很多客户朋友来说，有可能对latchup稍微陌生，本篇文章将简要介绍latchup。
latchup的中文译名为闩锁或闩锁效应，要想了解清楚latchup，需要先了解MOS管的结构。
1、MOS管的结构
关于栅氧层，因为SiO2是绝缘的，所以NMOS管的输入阻抗Rgs是无穷大，输入电流趋近于零。现在国内发展得如火如荼的电容隔离器，隔离栅使用的绝缘介质也是SiO2。
在现代CMOS工艺中，PMOS器件做在n阱（即n-well）中，而之所以这么做，是因为在实际生产中，NMOS器件和PMOS器件必须做在同一衬底上，所有的NMOS器件都共享一个P衬底，而每一个PMOS可以处于各自独立的N阱中。对于PMOS，源和漏重掺杂P型元素，导电载流子为空穴，栅源电压足够负，在氧化层-硅界面才会形成一个由空穴组成的反型层，从而为源和漏之间提供一个导电沟道，所以PMOS器件的阈值电压通常是负的。
2、latchup的形成原因
实际上，如果有电流注入结点X使Vx上升，则Q2的Ic2增大，那么Vy=VDD-Rwell*Ic2会减小，Vy减小会导致IC1增大，进而导致Vx进一步上升。如果环路增益≥1，这种现象会持续下去，直至两个晶体管都完全导通，从VDD抽取很大的电流。此时称该电路被闩锁。
闩锁效应通常发生在大尺寸的输出反相器的情况下，因为在这种情况下，一是这种电路容易通过晶体管较大的漏结电容向衬底注入大电流，另外一种情况，是由于在与地相连的键合线上，产生相当大的瞬态电压，通过正偏源衬二极管向衬底注入大电流。
Latchup就是闩锁效应，它是CMOS工艺所特有的寄生效应，是指在CMOS电路中，电源VDD和地GND之间由于寄生的NPN和PNP双极性BJT的相互影响而产生一个低阻通路，低阻通路会在电源和地之间形成大电流，可能会使芯片永久性损坏。
