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MOS管

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PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor;别名 : positive MOS。

PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor;别名 : positive MOS。收起

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  • 横河700924差分探头测量MOS管Vds
    深圳市科瑞杰科技有限公司-在开关电源测试时如何使用探头的问题,主要集中在探头参数的解读、不同电压探头测试MOS管Vds的尖峰电压会有不同的测试结果等等,本文就这些实测问题进行解答。 使用差分探头700924测量MOS管Vds,虽然开关波形频率只有几十KHz,但尖峰部分的震荡频率超过10MHz,客户查看了我们产品规格书中Input voltage derating 图表。 虽然700924规格是14
  • MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就“歇菜”?
    MOS管作为电源设计和驱动电路中的重要组件,因其高输入电阻和低栅源极间电容特性,使其易于遭受静电击穿。静电击穿分为电压型和功率型两种方式,其中电压型击穿涉及栅极薄氧化层击穿,而功率型则涉及金属化薄膜铝条熔断。现代MOS管,特别是大功率VMOS,通常配备二极管保护,有效降低静电击穿风险。静电放电形成的短暂大电流会导致局部过热,进而可能导致PN结短路或器件失效。静电对MOS管的危害表现为吸附灰尘、绝缘层破坏或过热损伤,且具有随机性。为了预防静电损害,应采取措施如使用金属容器包装、良好接地、穿戴防静电衣物等。同时,合理设置栅极电阻,既能提供偏置电压又能起到泻放电阻作用,保护MOS管免受静电干扰。
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    01/16 13:47
  • MOS管开关时的米勒效应!
    米勒平台是MOSFET栅极驱动过程中的一种现象,表现为在MOSFET开通初期,Vgs电压上升缓慢并形成平台。这是由于米勒效应导致的,即栅极电容Cgd在MOSFET开通瞬间通过漏极电容Cds进行充电,造成Vgs电压上升延迟。这种现象会导致开通损耗增加,并影响MOSFET的开关速度。为了减小米勒效应的影响,通常会在栅极和源极间添加额外电容,但这样做会延长开关时间。
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    01/13 09:26
  • 12.6V三节锂电池2A降压充电芯片PL7322内置MOS管
    一、产品概述 PL7322是一款专为三节串联锂离子电池设计的高效充电电路,采用700KHz固定频率的同步降压型转换器技术,实现了高达95%以上的充电效率,同时发热量极小,确保了充电过程的稳定性和安全性。 二、核心特性 高效充电: 700KHz固定开关频率,优化充电效率。 输出效率高达95%以上,减少能量损失。 最大支持5A输出电流,满足快速充电需求。 精准控制: 预设6V充电电压,精度达到±1.0
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    2025/12/08
  • 为什么MOS管要并联个体二极管,有什么作用?体二极管的原理
    原文来自我的原创书籍《硬件设计指南 从器件认知到手机基带设计》 昨天发文介绍了MOS管,有同学留言体二极管部分没看懂,恰好我的书里有相关介绍,今天摘出分享给大家。 MOS管,是MOSFET的缩写,全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管,根据导电沟道的不同,MOS可以细分为NMOS和PMOS两
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    2025/09/05