半导体材料

亦盛科技推出光刻胶去胶液产品，助力半导体图形化工艺洁净升级 在半导体芯片制造的光刻工艺中，去胶（即光刻胶去除）是必不可少的关键环节。无论是刻蚀、离子注入后的残留光刻胶清除，还是晶圆制程中的表面净化，去胶液（剥离液） 的性能直接关系到后续工艺的稳定性和芯片最终良率。 广州亦盛环保科技有限公司（以下简称“亦盛科技”）依托在半导体湿电子化学品领域十余年的技术积累，正式推出高性能光刻胶去胶液系列产品，为半

近期，全球氦气供应市场出现显著波动，主要供应区域的生产与运输环节受到影响，导致全球氦气供应陷入紧张状态。 4月8日，据TheElec报道，三星电子与SK海力士分别与德国林德公司（Linde）、美国空气产品公司（Air Products）签署长期额外氦气供应合同，此举旨在应对卡塔尔氦气断供引发的全球供应危机，保障自身先进制程芯片产能稳定。 据悉，此次签约的核心是“长期稳定供应”与“美国气源锁定”。林

金刚石因其优异特性在多个领域备受关注，然而在制备铜、铝基金属基复合材料时，由于金刚石与金属基体之间的润湿性差和界面结合弱，严重影响复合材料性能。为此，研究人员通过在金刚石表面构建微结构来提高界面结合强度和优化热传输路径。最近，南京航空航天大学、郑州大学和惠丰钻石的研究团队在《Diamond & Related Materials》上发表了关于熔融硝酸钾体系中金刚石不同晶面刻蚀行为与机理的研究。他们发现金刚石刻蚀具有明显的晶面各向异性，{100}晶面形成小方形刻蚀坑，而{111}晶面则形成大三角形刻蚀坑。此外，研究揭示了刻蚀过程的动力学和热力学机制，这对金刚石/铜、金刚石/铝等高导热复合材料的界面结构设计和性能优化具有重要意义。

在中美科技博弈下，半导体产业链自主可控成为国家战略重点，尤其是7nm及以下先进制程中的原子层沉积（ALD）工艺急需国产化突破。安德科铭作为国内领先的半导体用高纯前驱体材料提供商，通过技术创新和差异化竞争策略，逐步打破国外垄断，实现技术自立。公司不仅在国内市场取得显著进展，还在国际市场积极探索技术输出模式，与日本伙伴建立合资工厂，共同开拓市场。未来，安德科铭将继续深耕材料研发，推动更先进制程的应用，助力我国半导体产业链自主可控目标的实现。

化合物半导体因其优越性能在市场中占据重要地位，但宽带隙和超宽带隙半导体材料的体缺陷密度限制了其性能和可靠性，阻碍了市场推广。Space Forge提出在太空中制造高质量半导体晶体的新方法，通过微重力、极低温度和高真空环境改善晶体质量。他们计划首先在低地球轨道上进行小规模试验，随后逐步扩大规模，最终实现地面规模化生产。