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  • 顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET
    全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。 新产品通过采
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