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SiC MOSFET

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  • SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
    本文介绍了SiC MOSFET的体二极管及其关键特性，包括反向恢复电荷小和导通压降较高。文中详细解释了体二极管的形成机制和特性，并讨论了如何选择合适的死区时间以避免器件损坏。最后，文章提供了死区时间选择的方法和步骤，包括初步设置、逐步优化以及全工况验证，以确保系统的稳定性和可靠性。
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    21小时前
    SiC MOSFET
  • ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
    全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。 ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时（T
    470
    04/21 15:17
    电动汽车 ROHM
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    英飞凌碳化硅应用技术大会即将开幕，聚焦前沿技术，探讨零碳未来。重点介绍SiC MOSFET在高电流应用场景下的并联应用技巧，包括器件参数一致性、功率回路布局及驱动电路优化设计，以实现电流均匀分布和消除芯片间振荡。特别强调英飞凌SiC MOSFET在导通电阻和阈值电压上的优异表现及其对并联应用的支持。
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    04/16 15:53
    SiC MOSFET 并联电路
  • 沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解
    对于我国的电力电子界来说，固态变压器（SST）并非是一个全新的话题，在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈，SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇。智算中心800V高压直流供电系统概念的普及，和未来智能电网的电力潮流双向流动，让SST的商业价值获得了前所未有的想象力。
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    04/09 11:34
    SiC MOSFET 固态变压器
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  • 碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
    碳化硅（SiC）在服务器和工业电源中的应用日益广泛，特别是SiC JFET系列器件因其出色的性能优势受到关注。本文深入探讨了SiC CJFET的动态特性和应用灵活性，包括其极低的导通电阻、显著的开关损耗优势以及独特的栅极驱动特性。此外，还介绍了SiC Combo JFET的应用灵活性，提供了多种控制选项和高电流能力。这些技术革新不仅提高了电源设计的效率，也为工业与服务器电源带来了新的解决方案。
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    碳化硅 SiC MOSFET

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