MRAM

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。收起

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  • 自旋芯片与技术全国重点实验室发布全球首款单片容量4 Mb全功能SOT-MRAM芯片
    自旋芯片与技术全国重点实验室发布全球首款单片容量达4 Mb的全功能第三代MRAM芯片——SOT-MRAM芯片,这是全球第一款Mb容量的垂直磁化SOT-MRAM芯片。SOT-MRAM采用自旋轨道矩写入机制,具备高速、低功耗、抗辐射、近乎无限的可重写次数等特点。实验室通过新材料、新工艺和技术优化,实现了芯片容量突破和性能提升,有力推动了SOT-MRAM技术的发展及产业化进程。
  • 这类存储,AI端侧悄然走红
    随着AI功能在小型设备中的广泛应用,高性能、小体积、低延迟的嵌入式存储需求急剧上升。全球半导体存储产品市场规模因AI渗透而迅速扩张,特别是嵌入式存储市场,预计在未来五年内保持高速增长。本土厂商如晶存科技、佰维存储、江波龙和德明利凭借技术创新和市场需求,取得了显著成绩。此外,新型非易失性存储技术如MRAM、ReRAM等也开始在嵌入式应用中崭露头角,为存储性能和能效带来新突破。
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  • 从闪存到MRAM:满足现代FPGA配置的需求
    在技术飞速发展的今天,新兴的航空电子、关键基础设施和汽车应用正在重新定义人们对现场可编程门阵列(FPGA)的期望。FPGA之前主要依靠闪存来存储配置位流。这种方法适用于许多主流FPGA配置应用;然而,随着技术的进步以及对更高可靠性和性能的需求增加,人们需要更多样化的配置存储选项。这种转变的催化剂在于应用和行业的不同需求,它们目前正不断突破FPGA应用的极限,要求在数据完整性、系统耐用性和运行效率等
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  • 这个30亿元的MRAM项目顺利封顶,存储项目多点开花
    半导体产业日新月异,存储芯片领域始终是技术角逐与产业革新的关键战场。近期,致真存储30亿元MRAM项目顺利封顶,行业内多个存储项目你追我赶,多点开花。华为在存储设备采购项目中标,晶存科技稳步扩张,佰维存储以及美光的项目也即将投产...
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  • MRAM,新兴的黑马
    1956 年,IBM推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC 305,可以存储 5MB 的数据,传输速度为 10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱,重量超过一吨,但是却标志着磁盘存储时代的开始。
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