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MRAM

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。收起

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  • 下一个“黑马”赛道,MRAM存储器市场蠢蠢欲动
    下一个“黑马”赛道,MRAM存储器市场蠢蠢欲动
    据日经新闻网报道,近期晶圆代工厂商力积电(PSMC)传出将和日本新创企业合作,目标在2029年量产MRAM,将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。根据报道,东北大学长年来持续研究MRAM,而PowerSpin将提供MRAM IP给力积电,力积电在推动研究、试产后,目标在2029年开始进行量产,期待可应用于生成式AI数据中心。
  • 巨头押注,MRAM开始爆发
    巨头押注,MRAM开始爆发
    存储技术发展更迭50年,逐渐形成了SRAM、DRAM及Flash这三大主要领域。但是随着半导体制造技术持续朝更小的技术节点迈进,传统的DRAM和NAND Flash开始面临越来越严峻的微缩挑战;再加上由于这些存储技术与逻辑计算单元之间发展速度的失配,严重制约了计算性能和能效的进一步提升。
  • MRAM:RAM和NAND再遇强敌
    MRAM:RAM和NAND再遇强敌
    MRAM是一种非易失性存储技术,通过磁致电阻的变化来表示二进制中的0和1,从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性,让其在断电情况下依然可以保留数据信息,并拥有不逊色于DRAM内存的容量密度和使用寿命,平均能耗也远低于DRAM。
  • 恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
    恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.,纳斯达克股票代码:NXPI)近日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM(磁随机存储器)。在向软件定义汽车(SDV)的过渡中,汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件升级。利用16纳米FinFET技术将恩智浦的高性能S32汽车处理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存储器MRAM相结合,为向软件定义汽
  • 迷人的新型存储
    多年来,各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。现代社会已经进入大数据、物联网时代——一方面,数据呈爆炸式增长,芯片就必须需要具备巨大的计算能力 ;另一方面,依据传统摩尔定律微缩的半导体技术所面临的挑战越来越大、需要的成本越来越高、实现的性能提高也趋于放缓。