MRAM_MRAM资讯 - 与非网

MRAM产业化进入“临界点”

2026年以来，MRAM产业化进入“临界点”，亚洲首个8nm eMRAM流片、搭载致真存储SOT-MRAM的无人机完成试飞、台积电1纳秒SOT-MRAM突破、全球首条8英寸磁性随机存储芯片产线在青岛建成等事件表明MRAM产业化正从“技术突破”进入“场景落地”的新阶段。MRAM分化出STT、SOT和VC-MRAM三条主要路线，其中STT-MRAM是当前产业化的“主力军”，SOT-MRAM则以其低功耗与高速的特点受到关注，而VC-MRAM则是面向极致低功耗的应用方向。MRAM的杀手级应用包括端侧AI、低空经济和太空算力，尤其是在低功耗和高可靠的场景中展现出不可替代的优势。

半导体产业纵横

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05/13 15:30

存储器 MRAM

自旋芯片与技术全国重点实验室发布全球首款单片容量4 Mb全功能SOT-MRAM芯片

自旋芯片与技术全国重点实验室发布全球首款单片容量达4 Mb的全功能第三代MRAM芯片——SOT-MRAM芯片，这是全球第一款Mb容量的垂直磁化SOT-MRAM芯片。SOT-MRAM采用自旋轨道矩写入机制，具备高速、低功耗、抗辐射、近乎无限的可重写次数等特点。实验室通过新材料、新工艺和技术优化，实现了芯片容量突破和性能提升，有力推动了SOT-MRAM技术的发展及产业化进程。

半导体产业纵横

1112

02/05 09:50

MRAM

这类存储，AI端侧悄然走红

随着AI功能在小型设备中的广泛应用，高性能、小体积、低延迟的嵌入式存储需求急剧上升。全球半导体存储产品市场规模因AI渗透而迅速扩张，特别是嵌入式存储市场，预计在未来五年内保持高速增长。本土厂商如晶存科技、佰维存储、江波龙和德明利凭借技术创新和市场需求，取得了显著成绩。此外，新型非易失性存储技术如MRAM、ReRAM等也开始在嵌入式应用中崭露头角，为存储性能和能效带来新突破。

半导体产业纵横

1730

2025/11/10

存储芯片端侧AI

从闪存到MRAM：满足现代FPGA配置的需求

在技术飞速发展的今天，新兴的航空电子、关键基础设施和汽车应用正在重新定义人们对现场可编程门阵列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠闪存来存储配置位流。这种方法适用于许多主流FPGA配置应用；然而，随着技术的进步以及对更高可靠性和性能的需求增加，人们需要更多样化的配置存储选项。这种转变的催化剂在于应用和行业的不同需求，它们目前正不断突破FPGA应用的极限，要求在数据完整性、系统耐用性和运行效率等

与非网编辑

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2025/02/24

FPGA 电子应用

这个30亿元的MRAM项目顺利封顶，存储项目多点开花

半导体产业日新月异，存储芯片领域始终是技术角逐与产业革新的关键战场。近期，致真存储30亿元MRAM项目顺利封顶，行业内多个存储项目你追我赶，多点开花。华为在存储设备采购项目中标，晶存科技稳步扩张，佰维存储以及美光的项目也即将投产...

全球半导体观察

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2025/01/26

半导体产业存储芯片

MRAM，新兴的黑马

1956 年，IBM推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC 305，可以存储 5MB 的数据，传输速度为 10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱，重量超过一吨，但是却标志着磁盘存储时代的开始。

半导体产业纵横

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2024/10/15

dram MRAM

北京航空航天大学副校长赵巍胜：MRAM最新进展及未来发展趋势

近日，北京航空航天大学党委常委、副校长赵巍胜，分享了MRAM最新进展及未来发展趋势。MRAM的前身是磁存储，其是人工智能时代的根技术，如今数据中心中有70%以上的数据依旧保存其中。十年前就有不少专家认为未来磁存储将被SSD完全取代，然而十年后，磁存储依旧是最重要的存储技术。

半导体产业纵横

1364

2024/10/08

存储技术 MRAM

下一个“黑马”赛道，MRAM存储器市场蠢蠢欲动

据日经新闻网报道，近期晶圆代工厂商力积电（PSMC）传出将和日本新创企业合作，目标在2029年量产MRAM，将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。根据报道，东北大学长年来持续研究MRAM，而PowerSpin将提供MRAM IP给力积电，力积电在推动研究、试产后，目标在2029年开始进行量产，期待可应用于生成式AI数据中心。

全球半导体观察

1651

2024/02/18

存储器存储市场

巨头押注，MRAM开始爆发

存储技术发展更迭50年，逐渐形成了SRAM、DRAM及Flash这三大主要领域。但是随着半导体制造技术持续朝更小的技术节点迈进，传统的DRAM和NAND Flash开始面临越来越严峻的微缩挑战；再加上由于这些存储技术与逻辑计算单元之间发展速度的失配，严重制约了计算性能和能效的进一步提升。

半导体产业纵横

896

2024/02/01

存储市场存储技术

MRAM：RAM和NAND再遇强敌

MRAM是一种非易失性存储技术，通过磁致电阻的变化来表示二进制中的0和1，从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性，让其在断电情况下依然可以保留数据信息，并拥有不逊色于DRAM内存的容量密度和使用寿命，平均能耗也远低于DRAM。

半导体产业纵横

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2023/11/22

NAND RAM

恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM

恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克股票代码：NXPI）近日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁随机存储器）。在向软件定义汽车（SDV）的过渡中，汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件升级。利用16纳米FinFET技术将恩智浦的高性能S32汽车处理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存储器MRAM相结合，为向软件定义汽

与非网编辑

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2023/05/22

台积电 MRAM

迷人的新型存储

多年来，各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。现代社会已经进入大数据、物联网时代——一方面，数据呈爆炸式增长，芯片就必须需要具备巨大的计算能力；另一方面，依据传统摩尔定律微缩的半导体技术所面临的挑战越来越大、需要的成本越来越高、实现的性能提高也趋于放缓。

半导体产业纵横

717

2023/03/17

存储器三星电子

破解内存墙，除了“存算一体”还需要什么？

20世纪初的物理学家不会想到，悬浮在物理学大厦上的两朵乌云会彻底颠覆整个物理学体系，冯·诺依曼在参与曼哈顿工程提出新架构时，也不会想到未来阻止芯片算力进步的竟然不是芯片本身。冯·诺依曼结构的诞生与局限 1945年6月30日，美国正在秘密进行曼哈顿计划。冯·诺依曼作为该计划的重要参与者与领导者，与另外两位组内科学家发表了一篇长达101页的报告，这就是计算机史上著名的“101页报告”，