PFC

• 高功率服务器电源革新：混合 TCM/CCM 控制的交错式 TTP PFC 设计指南

  混合 TCM/CCM 控制策略与交错式图腾柱（TTP）PFC 的结合，是高功率 AI 服务器电源的核心革新方案。其核心价值在于突破传统 PFC“轻载低效、重载不稳” 的痛点，通过 “轻载 TCM 零电压开关（ZVS）+ 重载 CCM 稳定运行” 的智能切换，配合交错拓扑，实现 5.5-8kW 功率等级下 97.5% 峰值效率、62W/in³ 功率密度，完美适配 AI 服务器 3-10 倍于传统服务器的功率需求，满足 80PLUS Ruby 最高能效认证标准。

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  2025/12/31

  PFC CCM
• “光储直柔”时代降临：霍尔电流传感器如何赋能直流空调能效革命

  近年来，随着大环境的变化，以及人们居住理念的转变，房产逐渐从投资属性回归以人文居住为核心的新建筑定位，与此同时，在“双碳”目标推动下，新能源技术正加速融入日常生活，尤其是光伏发电组件与储能系统成本持续下降，以及直流电器生态的日趋完善，使得曾经作为实验室阶段的“光储直柔（PEDF）”技术逐渐迈入大规模商用阶段。直流电直接驱动空调是其中重要环节，但这在直流系统中，由于没有自然过零点，电流的精确监测对于

  芯森电子

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  2025/12/18

  霍尔电流传感器 PFC
• 数据中心不断演进以满足 AI 的巨大电力需求

  随着大型语言模型彻底改变我们访问数据的方式，人工智能 (AI) 的进步正在颠覆各行各业及社会对数据中心计算资源的运用模式。我们正逐步进入能够直接向 AI 提问并获取详尽答案的时代，这与向真人提问无异，而非仅仅在搜索引擎中输入特定关键词。当然，这仅是 AI 能力的冰山一角。AI 还能编写代码、生成图像和视频、完成会议记录与纪要。为实现所有这些 AI 功能，需要的电力急剧攀升。 要提供如此大的电力并确

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  2025/11/28

  人工智能 微控制器

  
• 英飞凌扩展其CoolSiC产品系列

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V（连续）和455V（瞬态）的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效

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  2025/10/24

  英飞凌 PFC

  
• 体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS（储能系统）以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。 与以往封装产品相比

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  2025/10/17

  MOSFET ROHM

  
• CS6010：兼容MP44019管脚的CrM/DCM多模式功率因数校正(PFC)控制器

  CS6010S 是一款高度集成的 CrM/DCM 多模式 PFC 控制器，旨在用极简的外围电路实现高性能的功率因数校正。 它通过谷底导通技术和智能降频策略，并在轻载时无缝切换至 DCM 模式甚至进入突发模式，不仅实现了全负载范围内的高效率，还将待机功耗压低至 50mW 以下。 芯片内置了全面的多重保护机制，包括过压保护 (OVP)、二次过压保护 (OVP2)、过流限制 / 保护 (OCL/OCP)

  上大科技蔡生

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  2025/09/25

  PFC DCM
• 德州仪器模拟设计｜采用峰值电流模式控制的功率因数校正

  在上期中，我们探讨了使用第二级滤波器来减少电压纹波。 本期，为大家带来的是《采用峰值电流模式控制的功率因数校正》，将介绍一种无需采样电阻、避免中点采样问题的创新 PFC 控制方法。 引言 当处理 75W 以上的功率级别时，离线电源需要功率因数校正 (PFC)。PFC 的目标是控制输入电流以跟随输入电压，从而使负载看起来像是纯电阻器。对于正弦交流输入电压，输入电流也需为正弦电流。要控制输入电流，必须

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  2025/09/22

  滤波器 德州仪器

  
• 从驱动到控温：植物灯电源芯片系统全面介绍

  现代农业和室内种植领域，植物生长灯已经成为确保作物健康生长的关键设备。而植物灯的性能和效率，很大程度上取决于其电源管理系统。接下来讨论植物灯电源管理中使用的各类芯片及其实际效果。 植物灯电源管理的重要性 植物生长灯需要提供特定光谱和强度的光照，以模拟自然阳光促进光合作用。不同于普通照明，植物灯往往需要长时间连续工作，这对电源管理系统提出了更高要求：高效转换电能、精确控制电流、减少能量损耗，并保证长

  华芯邦

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  2025/09/13

  电源管理 驱动
• 采用 GaN 的 Cyclo 转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计

  1.简介 微型逆变器中的功率转换系统通常采用两级式设计，如图 1-1 所示。 图 1-1. 微型逆变器两级拓扑 在这种方案中，首先是一个直流/直流级（反激式或推挽式升压级），然后是另一个交流/直流级（自换向交流/直流或图腾柱 PFC），将光伏电池板提供的直流电转换为通常在 400VDC 左右的临时直流总线。然后，根据国家或地区的电网情况，将直流总线转换为交流电压 (110VAC..230VAC)。

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  2025/08/20

  电源 GaN

  
• 工业充电器拓扑结构选型基础知识：升压PFC拓扑

  作者：安森美 小到电动工具、割草机，大到叉车、托盘车及自动导引车等物料搬运设备，电池供电设备正日益成为工业和建筑领域的理想选择。这类电池充电器系统必须兼具可靠性与耐用性，在恶劣的户外工业环境中保持性能良好，同时满足紧凑轻量化设计且无需强制冷却。此外，这些电池充电器系统可能需要由120 - 277 伏交流电甚至480 伏交流电供电。 碳化硅（SiC）功率开关器件正成为一种广受欢迎的选择，因其能够实现

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  2025/08/13

  碳化硅 MOSFET

  
• Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二极管在提高效率的同时增强电绝缘性

  这些1 A和2 A器件采用小尺寸SlimSMA HV (DO-221AC)封装，提供了低电容电荷和3.2 mm的较大最小爬电距离 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV（DO-221AC）封装的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管---2 A的 VS-3C02

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  2025/07/29

  SiC Vishay

  
• 大联大品佳集团推出基于Microchip产品的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案

  致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于微芯科技（Microchip）dsPIC33CK256MP506主控MCU的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案。 图示1-大联大品佳基于Microchip产品的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案的展示板图 随着全球能源结构的深刻变革，家用储能系统迎来巨大发展机遇。据权威机构数据显示，全球户用储能市场新增装

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  2025/07/08

  PWM 大联大

  
• 意法半导体推出针对消费类和工业电源转换器和电机控制器

  意法半导体推出两款高压GaN半桥栅极驱动器，为开发者带来更高的设计灵活性和更多的功能，提高目标应用的能效和鲁棒性。STDRIVEG610 和 STDRIVEG611两款新产品为电源转换和电机控制设计人员提供两种控制GaN功率器件的选择，可以提高消费电子和工业应用的能效、功率密度和鲁棒性。 STDRIVEG610主打那些要求启动时间300ns级别的栅极驱动应用，启动时间是LLC或ACF电源转换拓扑的

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  2025/05/28

  意法半导体 GaN
• ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV（电动汽车）车载充电器（以下简称“OBC”）的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐压的7款机型（BSTxxx2P4K01）。通过将各种大功率应用的电路中所需的

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  2025/04/24

  SiC ROHM

  
• MDD超快恢复二极管的典型失效模式分析 如何避免过热与短路

  MDD超快恢复二极管因其反向恢复时间短、开关损耗低的特性，广泛应用于高频开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路及新能源领域。然而，在实际应用中，超快恢复二极管可能因不合理的电路设计或使用环境导致失效，常见的失效模式主要包括过热失效和短路失效。 1.过热失效及其规避措施 过热失效通常是由于功率损耗过大、散热不良或工作环境温度过高导致的。主要成因包括： 正向导通损耗：当二极管导通时，流经器件

  MDD辰达半导体

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  2025/04/11

  二极管 PFC
• SiC MOSFET 如何提高 AI 数据中心的电源转换能效

  作者：安森美产品线经理 Wonhwa Lee 如今所有东西都存储在云端，但云究竟在哪里？ 答案是数据中心。我们对图片、视频和其他内容的无尽需求，正推动着数据中心行业蓬勃发展。 国际能源署 (IEA) 指出，人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间，数据中心的耗电量将翻一番以上。 这不仅增加了运营成本，还给早已不堪重负的老旧电力基础设

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  2025/04/10

  数据中心 MOSFET

  
• MDD超快恢复二极管vs 普通整流二极管 核心参数对比与应用

  在整流电路中，二极管的选择至关重要，直接影响电源系统的转换效率、开关损耗和可靠性。常见的MDD整流二极管包括普通整流二极管和超快恢复二极管。两者在恢复时间、正向压降、功率损耗等方面存在显著差异，适用于不同的应用场景。 1.核心参数对比 从上表可以看出，超快恢复二极管的反向恢复时间(trr)极短，可以显著减少反向恢复损耗，使其在高频开关电源、PFC（功率因数校正）、逆变器等高效能电路中更具优势。而普

  MDD辰达半导体

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  2025/04/07

  二极管 PFC
• 驱动电路设计（七）——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用

  从设计上看，这是一个很好的工业应用案例，涉及自举电路用在中功率驱动和工频50Hz的驱动中的应用。

  英飞凌

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  2025/03/25

  电路设计 PFC

  
• Vishay推出多款采用工业标准SOT-227封装的650 V和1200 V SiC肖特基二极管

  40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V，QC仅为56 nC 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。这些Vishay半导体器件旨在为高频应用提供高速和高效率，在同类二极管中，它们在电容电荷（Qc）和正向压

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  2025/02/27

  SiC Vishay

  
• 大联大友尚集团推出基于onsemi产品的6.6kW车载电动汽车充电器方案

  致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCV4390、FAN9673Q、NVHL020N090SC1、NVHL060N090SC1等产品的6.6kW车载电动汽车充电器方案。 图示1-大联大友尚基于onsemi产品的6.6kW车载电动汽车充电器方案的展示板图 随着全球新能源汽车市场的迅猛发展，电动汽车的保有量不断攀升。与此同时，与

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  2025/02/06

  安森美 PFC

  

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