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同步动态随机存取内存(synchronous dynamic random-access memory,简称SDRAM)是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机,对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(asynchronous DRAM)相比,可以有一个更复杂的操作模式。管线意味着芯片可以在处理完之前的指令前,接受一个新的指令。在一个写入的管线中,写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行,而不需要等待数据写入存储队列的时间。在一个读取的流水线中,需要的数据在读取指令发出之后固定数量的时钟频率后到达,而这个等待的过程可以发出其它附加指令。这种延

同步动态随机存取内存(synchronous dynamic random-access memory,简称SDRAM)是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机,对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(asynchronous DRAM)相比,可以有一个更复杂的操作模式。管线意味着芯片可以在处理完之前的指令前,接受一个新的指令。在一个写入的管线中,写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行,而不需要等待数据写入存储队列的时间。在一个读取的流水线中,需要的数据在读取指令发出之后固定数量的时钟频率后到达,而这个等待的过程可以发出其它附加指令。这种延收起

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  • DDR SDRAM技术发展历程概述
    DDR SDRAM技术自2000年起历经多代迭代,从DDR到DDR5,每一代都围绕“更高速度、更低功耗、更大容量”的目标进行技术创新。具体表现为:- DDR:2000年,首次提出“双倍数据速率”,工作电压2.5V;- DDR2:2003年,引入4bit预取,工作电压降为1.8V; DDR3:2007年,预取增至8bit,采用点对点“Fly-by”总线架构,工作电压1.5V;DDR4:2014年,引入Bank Group架构,工作电压1.2V;DDR5:2020年,采用32bit预取,工作电压1.1V。
    DDR SDRAM技术发展历程概述
  • DDRX SDRAM中的预取技术说明
    DDRX SDRAM预取技术概述及其对数据传输率的影响。通过预取技术,DDR SDRAM能够在较低内存核心频率下实现高速数据传输。预取长度从DDR1的2n逐渐增加至DDR5的16n,每一代预取技术都通过不同方式优化数据传输效率,如DDR4引入Bank Group概念,DDR5采用双通道机制。预取技术虽能显著提升数据传输率,但也带来访问延迟增加的问题,需通过Bank Group等技术手段进行缓解。
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  • SDRAM中Bank和Rank的概念解析
    SDRAM中的Bank和Rank概念解析:Bank是芯片内部的独立工作区域,允许多个操作并行执行;Rank是由一组内存芯片组成的集合,提供与CPU数据总线宽度相同的数据位,通过分时复用提高整体效率。两者协同工作以最大化内存系统性能。
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  • DDRX SDRAM中ODT信号的作用
    ODT(片内终端电阻)在DDR2 SDRAM中用于动态调整终端电阻,以匹配信号传输线的特性阻抗,吸收信号反射,提高信号完整性。它解决了传统外部终端电阻占用空间大、成本高、功耗大的问题,并且在DDR3/4/5中进一步智能化,支持更多阻值选择和精细控制,显著提升了内存稳定性与频率。
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  • SDRAM详细分析- 10内存特性对比
    文章对比了DDR颗粒的时钟/带宽差异,介绍了DDR和LPDDR特性,探讨了不同DDR速率的比较,并解释了带宽和速率的区别及其影响因素。
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    2025/09/16