氮化镓

英诺赛科氮化镓功率芯片出货量达到20亿颗，同比增长显著，尤其在数据中心、汽车电子和消费电子领域取得进展，与多家知名企业达成合作，推动氮化镓技术广泛应用。

2025年12月31日，上海证券交易所官网公示信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司（简称“中图科技”）首次公开发行股票并在科创板上市的申请已正式获受理，保荐机构为国泰海通证券股份有限公司，审计机构为天健会计师事务所(特殊普通合伙)，律师事务所为北京市中伦律师事务所。

氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体材料，因其出色的性能优势，正在取代传统的硅材料，成为电力电子领域的“金钥匙”。氮化镓的禁带宽度约为硅的3倍，使其具备更高的耐压性、热稳定性和开关速度，适用于快充、新能源汽车、数据中心等高要求领域。自20世纪80年代以来，氮化镓经历了从实验室到产业化的快速发展，特别是近年来在消费电子、新能源汽车和数据中心等领域的广泛应用，推动了行业的变革。 氮化镓的主要优点包括： 1. **高耐压性**：氮化镓器件能在更高的电压下工作，且导电层更薄，导通电阻更低。 2. **卓越的热稳定性**：工作温度可达200°C以上，显著优于硅器件。 3. **高速开关能力**：电子迁移率高，开关速度快，能量损耗低。 氮化镓技术已经取得了重大突破，并形成了多个关键发展阶段： 1. **基础研究期**：1980年代，氮化镓薄膜生长和p型掺杂技术取得突破，成功研制出蓝色发光二极管（LED）。 2. **技术突破期**：2000年代初，GaN-on-Si异质外延技术取得进展，降低了氮化镓器件的生产成本。 3. **产业爆发期**：2010年代，增强型氮化镓技术取得突破，解决了安全性问题，推动了消费电子和民用领域的应用。 4. **技术多元化期**：2025年至今，氮化镓技术呈现出多样化的发展态势，涵盖了横向和垂直结构、通用与专用领域。 氮化镓的应用场景非常广泛，主要包括消费电子、新能源汽车、数据中心、工业与新能源、航空航天和医疗电子等领域。在全球范围内，氮化镓市场正处于快速增长阶段，预计到2030年将达到50亿美元，成为半导体产业增长最快的细分领域之一。 然而，氮化镓的可靠性仍然是制约其大规模应用的重要因素。针对电荷陷阱、热管理和栅极泄漏等问题，科研机构和企业正在进行技术攻关，以提升器件的可靠性。未来十年，随着技术的进步和成本的下降，氮化镓将从高端领域走向大众市场，成为推动全球能源转换效率革命的关键技术。

安森美与格芯签署合作协定，联手开发基于格芯eMode GaN-on-silicon制程的下一代氮化镓功率元件，预计2026年上半年提供样品。该技术应用于AI资料中心、电动汽车、能源基础设施及工业等领域，有望大幅提升能效与系统尺寸。安森美通过整合其硅基技术和格芯的GaN技术，加速SiC/GaN产能扩展与IDM供应链策略，同时格芯通过战略收购与技术授权，强化在全球供应链中的地位。

安森美在氮化镓领域频繁合作，与格罗方德和英诺赛科分别在中低压和中高压氮化镓功率器件上展开合作，旨在扩大生产规模和产品组合，应对快速增长的市场需求。安森美此举不仅为其自身带来发展机遇，还将推动全球氮化镓产业格局的变化，促进市场竞争和技术进步。