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Power Integrations, Inc.是一家专注于半导体领域高压功率变换的技术创新型公司。PI旗下产品是清洁能源生态系统中的关键组成部分，可在包括家用电器、移动设备、计算机和无数工业应用在内的各种应用中实现可再生能源发电以及高效输电和用电。我们的PowiGaN™氮化镓技术和EcoSmart™能效技术等节能技术每年可避免数十亿千瓦时的能源浪费，而高集成度芯片每年可节省数十亿个电子元件。由于旗下产品对环境保护的作用，Power Integrations的股票已被归入Nasdaq Clean Edge Green Energy Index（纳斯达克Clean Edge清洁绿能指数）和Etho Climate Leadership Index（Etho气候领导指数）等清洁技术股票指数的成分股，绿色空间则提供了有关全球能效标准的综合指南。收起展开全部

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在高功率开架式反激电源中实现超高效率的方法

得益于宽禁带(WBG)开关、同步整流(SR)和自适应控制技术的进步，反激式变换器的效率得以提高,使其能够应用于以往通常依赖谐振拓扑结构的应用场景。随着效率提高，反激式变换器在中功率应用中的作用正日益扩大，尤其体现在电动自行车和电动工具的开架式充电器中。采用750VGaN初级开关并结合可变关断时间PWM控制的300W设计方案，在未增加系统复杂性或显著提高成本的情况下，实现了93%的效率。设计过程中对

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采用自适应零电压开关的1700V GaN开关在多路输出反激式变换器中的应用

本文介绍了一种面向90-670VAC超宽输入范围的60W单级多路输出反激式电源方案,采用集成自适应零电压开关(ZVS)技术的1700V氮化镓(GaN)开关。通过省去DC-DC后级稳压器,该方案在实现优于±1%输出电压调节精度的同时，显著提升了系统效率、温升性能和EM表现。所提出的自适应ZVS控制方案可根据工作条件动态调节同步整流管(SR)的工作时序，从而最大限度地降低高压GaN开关的开关损耗。实

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1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI数据中心架构中的应用

GaN功率半导体器件因其优异的材料特性而非常适合高效率功率变换器。GaN HEMT (氮化镓高电子迁移率晶体管)已被广泛应用于众多商用电源设计中，覆盖各类应用场景。该技术凭借其低损耗、快速开关特性，在电源领域展现出显著优势。市面上大部分制造商提供的商用器件通常具有低于200V的额定耐压，或其额定耐压介于600V至650V之间。在650V以上电压领域，仅有少数制造商推出了900V额定耐压的GaN

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2025工业技术论坛
2025年8月20日，与非网将以在线直播的方式举行第四届“工业技术论坛”，邀请一众在工业领域深耕多年的知名企业、专家学者，投资机构等集聚上下游产业链，来深入研讨工业市场重要的发展机遇和挑战，以及细分行业的技术趋势和解决方案。

公司： ADI / PowerIntegrations 时间：2025/08/20 13:30~14:00
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