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氮化镓

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氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。收起

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    第三代半导体其实是一个更靠材料学分类的术语，按照禁带宽度这个理化指标定义的。但在真实商战语境里，大家聊的还是那两员老将：碳化硅（
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    都柏林大学学院与江苏大学科研团队提出混合偏置型双频氮化镓（GaN）单片微波集成电路（MMIC）Doherty 功率放大器（DPA）全新方案，有效解决传统双频 Doherty 功放带宽受限难题，为 6G FR3（7.125–24.25 GHz）多频段基站、无线通信设备提供了高性能集成化功放新选择。
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    安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）推出GaNEXUS™氮化镓功率产品组合，首批样品包括覆盖40V至650V电压范围的GaNEXUS FET，以及650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件。该产品组合适用于对电力需求高的应用场景，包括AI数据中心供电、48V系统、机器人与工业自动化，以及能源基础设施等。 GaNEXUS的加入扩展了安森美智能电源产品组合的能力，能够为不
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    作者利用AI工具对全球氮化镓外延片供应商进行统计，但由于AI幻觉错误，需要整合多个AI结果并相互验证才能得到准确数据。此次统计按晶圆尺寸分类，并标注产品用途。虽然可能存在一些问题，但作者希望读者能帮助确认数据准确性。更多信息可在作者的知识星球中获取。
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  • 瞄准AI算力电源，翌创微发布ET6000系列数字电源控制DSP
    成都翌创微电子有限公司在上海发布ET6000系列数字电源控制DSP新品矩阵。这是豪威集团于2026年3月对翌创微完成战略控股后，双方首次联合对外展示产品。 AI训练集群的功率密度正在改写数据中心的配电规则。单机柜功率从20至30千瓦向百千瓦级跃升，电源控制芯片的环路带宽和PWM精度直接决定了系统能否稳定跑满算力。ET6000系列采用300MHz ARM® Cortex®-M7内核，性能达到1575
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    利用AI工具自动化收集氮化镓晶圆衬底供应商数据，并分享了近十年半导体供应链数据、财务分析、行业景气度报告及线上知识讲座等内容，提供给知识星球会员免费访问。
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  • 2026英飞凌宽禁带论坛在深圳举行
    伴随新能源汽车加速发展、AI算力需求激增，以及能源结构向绿色低碳转型，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体，凭借高效率、高功率密度等优势，正加速在电动汽车、光伏储能、AI数据中心等应用场景落地。顺应这一趋势，2026英飞凌宽禁带论坛于5月21日在深圳举行，汇聚产业链上下游伙伴，共探技术演进、应用创新与生态协同。 市场持续增长，宽禁带进入规模化拐点 宽禁带半导体市场近年来保持高速
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  • 意法半导体发布VIPerGaN 100W转换器，主攻注重能效的家电市场
    意法半导体（STMicroelectronics）推出两款 100 W高压VIPerGaN转换器，将宽带隙节能技术普及到家电、楼宇家居自动化、智能照明，以及电视、充电器等消费类产品领域。 新推出的两款功率转换器是漏极限流 3.5A的 VIPerGaN100W和4.2A的VIPerGaN100WB，后者可短暂耐受125W 的峰值功率，这一灵活的裕量避免了设计人员在开发带电磁阀、电机等感性负载的设备（
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    氮化镓在车载领域的应用加速推进，多家厂商如联合电子、浩思动力、青山工业、法雷奥、镓未来、英飞凌等纷纷推出创新产品与方案，涵盖了车载充配电、电驱系统、增程系统等多个核心场景。例如，联合电子展示的新一代氮化镓车载充配电单元，功率密度达到6.3kW/L，OBC峰值效率达到96%；浩思动力推出甲醇灵活燃料增程系统，控制器效率高达99.79%；镓未来研发的双向氮化镓车载充电系统，峰值转换效率高达96.5%，功率密度达到3.5kW/L。这些创新推动了电动汽车技术的发展。
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    GaN 氮化镓
  • SiC营收超10亿，英飞凌、Wolfspeed、纳微披露最新业绩
    英飞凌、Wolfspeed、纳微半导体公布最新业绩，披露碳化硅/氮化镓业务进展。英飞凌预测AI数据中心将推动碳化硅业务低双位数增长，Wolfspeed营收超10亿，纳微半导体预计2027年实现8英寸氮化镓制造转型。
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    05/10 11:27
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  • 汇川/致能/国星等联手，国产1200V氮化镓冲刺产业化
    国产高压GaN功率器件产业化加速，致能、国星、汇川等企业联手攻关1200V/10kW器件，目标当年送样、次年量产；中科华盈突破三相桥串扰技术，实现1200V氮化镓电机控制器产业化验证并投资建设功率模组项目。
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    AI数据中心的电力挑战与GaN半导体的应用前景
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  • GaN第四代新品发布！华润微2026增长确定性大幅提升
    近日，华润微接受华泰证券、亚太财产保险、昆泰资本等多家机构调研。公司透露，6吋、8吋及重庆12吋产线自去年四季度以来持续满载，深圳12吋处于产能快速爬坡阶段。当前在手订单能见度已延伸至今年下半年，同比实现明显增长。 公司正抓住产能紧张及行业价格上行的窗口期，加快产线优化与产品结构升级，持续巩固并提升核心产品的盈利能力。整体经营呈现稳健向好态势。 自2月1日起，华润微对产品业务启动提价。目前各产品线
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    氮化镓

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