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氮化镓

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氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。收起

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  • 多家汽车Tier1厂商集体采用GaN
    氮化镓在车载领域的应用加速推进，多家厂商如联合电子、浩思动力、青山工业、法雷奥、镓未来、英飞凌等纷纷推出创新产品与方案，涵盖了车载充配电、电驱系统、增程系统等多个核心场景。例如，联合电子展示的新一代氮化镓车载充配电单元，功率密度达到6.3kW/L，OBC峰值效率达到96%；浩思动力推出甲醇灵活燃料增程系统，控制器效率高达99.79%；镓未来研发的双向氮化镓车载充电系统，峰值转换效率高达96.5%，功率密度达到3.5kW/L。这些创新推动了电动汽车技术的发展。
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    15小时前
    GaN 氮化镓
  • SiC营收超10亿，英飞凌、Wolfspeed、纳微披露最新业绩
    英飞凌、Wolfspeed、纳微半导体公布最新业绩，披露碳化硅/氮化镓业务进展。英飞凌预测AI数据中心将推动碳化硅业务低双位数增长，Wolfspeed营收超10亿，纳微半导体预计2027年实现8英寸氮化镓制造转型。
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    SiC 英飞凌
  • 浙江SiC相关企业扩产，今年营收将增长200%
    浙江益中半导体有限公司正加速发展，二期厂房预计2026年6月交付，目标销售额8000万元。公司由吉利晶能微全资控股，近期收购钱江摩托的益中封装技术，并扩建一期产线，产能可达2.6亿至3.9亿颗。此外，益中半导体计划借助二期厂房切入AI赛道，研发国产钽电容，并升级自动化水平。
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    碳化硅 氮化镓
  • 汇川/致能/国星等联手，国产1200V氮化镓冲刺产业化
    国产高压GaN功率器件产业化加速，致能、国星、汇川等企业联手攻关1200V/10kW器件，目标当年送样、次年量产；中科华盈突破三相桥串扰技术，实现1200V氮化镓电机控制器产业化验证并投资建设功率模组项目。
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    碳化硅 氮化镓
  • 大咖谈技术丨为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点
    AI数据中心的电力挑战与GaN半导体的应用前景
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    04/15 13:24
    数据中心 氮化镓
  • GaN第四代新品发布！华润微2026增长确定性大幅提升
    近日，华润微接受华泰证券、亚太财产保险、昆泰资本等多家机构调研。公司透露，6吋、8吋及重庆12吋产线自去年四季度以来持续满载，深圳12吋处于产能快速爬坡阶段。当前在手订单能见度已延伸至今年下半年，同比实现明显增长。 公司正抓住产能紧张及行业价格上行的窗口期，加快产线优化与产品结构升级，持续巩固并提升核心产品的盈利能力。整体经营呈现稳健向好态势。 自2月1日起，华润微对产品业务启动提价。目前各产品线
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    04/09 21:55
    氮化镓
  • 美的、长虹、科沃斯：采用GaN赋能家电
    氮化镓技术在家电领域加速应用，美的、长虹、科沃斯分别推出了搭载GaN技术的新品，涉及油烟机、电视和扫地机器人，展示了GaN在节能、轻薄化和高效率方面的优势。
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    04/09 13:23
    氮化镓 家电行业
    美的、长虹、科沃斯：采用GaN赋能家电
  • 铭扬半导体：单片SiC CMP成本控制在百元级别
    2025年，碳化硅与氮化镓行业在多个领域取得显著成就，同时经历产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既有技术突破与场景扩容的机会，也有产业优化与市场竞争的挑战。铭扬半导体总经理刘鹏表示，过去一年他们在多个方面取得进展，包括设备平台成熟、工艺验证和量产导入等。他强调，CMP工艺对于第三代半导体产业降低成本和提高良率至关重要。刘鹏预测，未来五年第三代半导体行业将进入成熟阶段，CMP等关键工艺的重要性将进一步提升。铭扬半导体将继续深耕CMP工艺平台，重点优化SiC/GaN/Poly-SiC工艺，推进12英寸CMP平台，并拓展Device与先进封装应用。
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    04/04 17:51
    碳化硅 氮化镓
  • 扬杰科技：2025年SiC产线稼动率超80%，出货量再创新高
    2025年，碳化硅与氮化镓行业在多个领域取得显著成就，但同时也经历了深刻的产业结构调整。扬杰科技在这一年中克服了多项技术难题，推出了具有成本竞争力的SiC MOS平台，并实现了较高的工厂稼动率和实际量产出货记录。展望2026年，行业将迎来更多的技术突破和应用场景扩展，但也面临着产业优化和市场竞争的挑战。预计SiC市场需求将持续增长，而产能扩张则相对缓慢，供需关系有望改善。此外，AI和消费电源领域的应用将成为推动SiC发展的新动力。
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    04/03 15:30
    碳化硅 氮化镓
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  • 9家GaN厂商齐推新方案，加速渗透汽车/AIDC等领域
    氮化镓领域迎来新品发布潮，多家企业推出超薄衬底、车规级器件、集成驱动、AIDC应用、双向开关等新技术，推动氮化镓技术向汽车、工业、AI等领域渗透。
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    04/03 11:31
    氮化镓
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  • 能华半导体：GaN量产交付提速，车规认证稳步推进
    2025年，碳化硅与氮化镓行业取得亮眼成果，经历产业格局调整后，2026年迎来新机遇与挑战。能华半导体市场总监刘宝生分享了公司在技术、产能与市场拓展方面的进展，并预测未来五年第三代半导体行业将以“普及”为核心关键词，推动技术与应用场景不断扩展。
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    03/28 11:25
    GaN 氮化镓
    能华半导体：GaN量产交付提速，车规认证稳步推进
  • SiC产业头部效应显现，分化格局日趋显著
    2025年，碳化硅与氮化镓行业在多个领域取得了显著成就，经历了产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既有技术突破与场景扩容的机会，也有产业优化与市场竞争的挑战。为了解读当前产业态势并明晰未来发展路径，《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道邀请了泰坦未来总经理汪徵和华工激光半导体事业部总经理黄伟博士分享见解。他们指出，2025年第三代半导体产业的关键进展包括国产化比例大幅提升、市场规模扩展和技术突破。然而，行业仍面临衬底成本高昂、良率提升困难等问题。未来，行业需要加速多维度创新，预计将在接下来的五年内实现对硅基材料的大部分替代。
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    03/24 09:20
    碳化硅 氮化镓
    SiC产业头部效应显现，分化格局日趋显著
  • 瑞萨电子推出全新GaN充电方案，为广泛的工业及物联网电子设备带来500W强劲功率
    基于GaN的HWLLC转换器拓扑结构，为下一代计算设备、电动工具及电动自行车树立功率密度与峰值效率新标杆 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布推出基于氮化镓（GaN）的半波LLC（Half-wavd LLC, HWLLC）平台及其四款控制器IC RRW11011、RRW30120、RRW40120和RRW43110，进一步扩展其交流/直流（AC/DC）转换器及电源适配器解决方案
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    03/23 14:39
    氮化镓 瑞萨电子
    瑞萨电子推出全新GaN充电方案，为广泛的工业及物联网电子设备带来500W强劲功率
  • 瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关，标志着功率转换设计规范的重大变革
    全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，推出业界首款采用耗尽型（d-mode）氮化镓（GaN）技术的双向开关——TP65B110HRU：该产品能够在单一器件中阻断正负电流的功能。该款器件主要应用于单级太阳能微型逆变器、人工智能（AI）数据中心和电动汽车车载充电器等系统，可大幅简化功率转换器设计，以单个低损耗、高速开关且易驱动的产品替代传统背靠背FET开关。 单级拓扑结构：提升效率
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    03/23 10:15
    碳化硅 氮化镓
    瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关，标志着功率转换设计规范的重大变革
  • 国产SiC渗透率提高，产业将进入良性循环
    2025年，碳化硅与氮化镓行业在多个领域取得了显著成就，尤其是在充电桩、新能源汽车、AI电源等领域的应用日益广泛。展望2026年，行业正处于技术突破与市场需求扩大的关键时刻，但仍面临成本、供应链和标准等方面的挑战。中瑞宏芯半导体CEO张振中和宇泉半导体技术总工徐文辉分别分享了他们对于行业发展前景的看法和规划，强调了技术创新和市场扩展的重要性。
    2695
    03/20 14:09
    SiC 碳化硅
    国产SiC渗透率提高，产业将进入良性循环
  • HORIBA携EtaMax首度亮相SEMICON China 2026
    /美通社/ -- 从材料研发到量产良率，化合物半导体的产业化之路，每一步都依赖于精准的"丈量"。自2025年完成对韩国领先化合物半导体晶圆检测企业EtaMax的收购以来，HORIBA持续推进双方技术整合，将自身先进光谱技术融入量产量测端，构建起覆盖"从Lab到Fab"的全链检测能力。 值此SEMICON China 2026召开之际，HORIBA将首次全面展示整合后的检测方案，搭载HORIBA光谱
    1036
    03/20 07:18
    半导体产业 氮化镓
    HORIBA携EtaMax首度亮相SEMICON China 2026
  • SiC进入关键增长期，大尺寸落地进程提速
    2025年，碳化硅与氮化镓行业取得亮眼成果，经历产业格局调整后，2026年迎来技术突破与场景扩容机遇，但仍面临产业优化与市场竞争挑战。中恒微新能源事业部总监孔令超认为2025年是SiC走向普及的关键一年，成本、市场和国产替代三个拐点凸显。飞仕得科技设备事业部销售总监骆皓荣则指出产业呈现全方位分化格局，包括应用市场、企业业绩、材料角色和技术价格等方面的分化。未来五年，第三代半导体行业将以“规模化”为主题，实现技术、市场和生态的全方位质变，推动SiC从“高端选配”变为“产业标配”。
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    03/19 22:36
    碳化硅 氮化镓
  • SiC产业分化加剧，多维度迎来发展拐点
    2025年，碳化硅与氮化镓行业在多个领域取得亮眼成果，但同时也面临产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业迎来技术突破与场景扩容的新机遇，但也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
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    03/17 23:21
    SiC 碳化硅
  • SiC替代IGBT进程提速，高压应用崭露头角
    2025年，碳化硅与氮化镓行业取得显著进展，尤其是在汽车、光伏、AI电源等领域。然而，行业面临成本压力和技术迭代挑战。展望2026年，第三代半导体行业有望迎来技术突破和应用场景扩展，但仍需应对产能过剩和市场需求集中的问题。未来五年，行业将以“波澜壮阔”之势推进全面替代，实现能效与性能升级。
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    03/16 23:24
    半导体 SiC
  • 氮化镓，全面起飞
    GaN功率器件市场规模预计2026年达到9.2亿美元，较2025年增长58%，标志着宽禁带半导体进入大规模商业化落地的临界点。GaN在AI服务器电源中的应用可显著降低功耗损耗，实现97.5%的峰值效率，大幅提高服务器机架功率密度。衬底技术和封装技术的发展成为GaN性能释放的关键，垂直GaN技术在高压、高温、高频领域的应用前景广阔。GaN产业呈现出技术路线多元化与生态系统成熟化并行的特点，各技术路线将在不同细分市场中找到最优解。全球范围内形成了“竞合”的技术创新格局，GaN产业将迎来超预期增长，并加速向汽车、工业、AI等领域渗透。
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    氮化镓
    氮化镓，全面起飞

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