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MDD肖特基整流桥失效模式解析 温升 漏电与击穿的工程应对
MDD肖特基整流桥因其低正向压降、高速开关特性和良好的导通能力,广泛应用于电源适配器、LED驱动、DC-DC转换器、车载电源等中低压、高频整流场合。然而,在实际应用中,工程师常常会遇到肖特基整流桥失效的问题,如温升过高、反向漏电流异常、器件击穿等。本文将系统解析肖特基整流桥的三大典型失效模式及其背后的机理,并提出具体的设计与使用建议,助力提升电路的稳定性与可靠性。 一、失效模式一:温升过高导致热失
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2025/06/19
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Diodes 公司推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器,在同级产品中实现了业界极高的电流密度,以低正向压降和热阻的特性,为体积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路
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2022/05/05
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