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GIDL（Gate-Induced Drain Leakage）栅感应漏极漏电

GIDL（Gate-Induced Drain Leakage）栅感应漏极漏电收起

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  • 在MOS晶体管中，什么是GIDL效应？
    栅感应漏极漏电（GIDL，Gate-Induced Drain Leakage），MOS管的GIDL效应是指在栅极电压较高的情况下，绝缘层下的沟道区域会发生漏电现象的现象。这种现象是由于高电场导致绝缘层中的电子发生穿隧效应，从而形成漏电流。
    2万
    06/09 10:25
    MOS晶体管 GIDL
    在MOS晶体管中，什么是GIDL效应？
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