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中国台湾积体电路制造股份有限公司,中文简称:台积电,英文简称:tsmc,属于半导体制造公司。成立于1987年,是全球第一家专业积体电路制造服务(晶圆代工foundry)企业,总部与主要工厂位于中国台湾省的新竹市科学园区。2017年,领域占有率56%。2018年一季度,合并营收85亿美元,同比增长6%,净利润30亿美元,同比增长2.5%,毛利率为50.3%,净利率为36.2%,其中10纳米晶圆出货量占据了总晶圆营收的19%。截止2018年4月19日,美股TSM,市值2174亿美元,静态市盈率19。2018年8月3日晚,台积电传出电脑系统遭到电脑病毒攻击,造成竹科晶圆12厂、中科晶圆15厂、南科晶圆14厂等主要厂区的机台停线等消息。台积电证实,系遭到病毒攻击,但并非外传遭黑客攻击。8月4日,台积电向外界通报已找到解决方案。2020年7月16日,在台积电二季度业绩说明会上,发言人在会上透露,未计划在

中国台湾积体电路制造股份有限公司,中文简称:台积电,英文简称:tsmc,属于半导体制造公司。成立于1987年,是全球第一家专业积体电路制造服务(晶圆代工foundry)企业,总部与主要工厂位于中国台湾省的新竹市科学园区。2017年,领域占有率56%。2018年一季度,合并营收85亿美元,同比增长6%,净利润30亿美元,同比增长2.5%,毛利率为50.3%,净利率为36.2%,其中10纳米晶圆出货量占据了总晶圆营收的19%。截止2018年4月19日,美股TSM,市值2174亿美元,静态市盈率19。2018年8月3日晚,台积电传出电脑系统遭到电脑病毒攻击,造成竹科晶圆12厂、中科晶圆15厂、南科晶圆14厂等主要厂区的机台停线等消息。台积电证实,系遭到病毒攻击,但并非外传遭黑客攻击。8月4日,台积电向外界通报已找到解决方案。2020年7月16日,在台积电二季度业绩说明会上,发言人在会上透露,未计划在收起

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    近日,在台积电2026年北美技术论坛上,台积电联席副首席运营官Kevin Zhang(张晓强)明确表示,台积电将暂缓采购High-NA EUV设备,直言现阶段台积电没有任何部署这款全新高阶光刻设备的相关计划,最快要到2029年推进A13制程节点时,才会考虑导入这款下一代芯片制造核心设备。他表示:“我们仍然能够从现有EUV设备中获益。” 谈及暂缓采购的核心缘由,张晓强表示,设备非常非常高昂的采购成本
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    04/29 01:09
  • M31携手台积电完成 eUSB2V2 在 N2P 工艺流片,强化先进工艺设计 IP 生态系统
    /美通社/ -- 全球硅知识产权(IP)领导供应商 M31 円星科技(M31)于 2026 年台积电北美技术研讨会宣布,其 eUSB2V2 接口 IP 已于台积电(TSMC)N2P 工艺完成流片(Tapeout)。M31 表示,该成果展现公司在先进工艺接口IP的投入,并将强化 2 纳米世代的设计,支援客户于高整合 SoC 中导入高速、低功耗的连结接口。 M31携手台积电完成 eUSB2V2 在 N
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  • 台积电最新路线图曝光:N2U/A13/A12齐发,无需High-NA EUV!
    台积电公布2029年制造技术路线图,A12和A13两大全新工艺节点亮相;A16量产时间推迟至2027年,A12预计2029年推出;A13为A14的光学微缩版,N2U为N2平台的第三代延伸;暂无High-NA EUV计划,将持续挖掘现有EUV潜力;N2A工艺针对车用市场,N16HV工艺引入高压技术。
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  • 台积电官宣1.2nm!
    台积电发布2026-2029年先进制程路线图,推出A12(1.2nm)、A13(1.3nm)两大新工艺,并调整策略应对AI与HPC市场分化。消费端采用渐进优化策略,AI/HPC则追求极致性能,引入背面供电架构。放弃高NA EUV,专注现有技术,强调市场需求和技术实用性。
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    04/24 11:54
  • 一文看懂!台积电为何要用SiC中介层?
    《2026碳化硅(SiC)衬底与外延产业调研白皮书》正在进行紧锣密鼓的调研工作。台积电已经向部分企业提出较为明确的12英寸中介层SiC衬底需求,今年将开启交付,明年需求预期量将翻倍增长。 台积电为何探索SiC中介层路线?台积电的CoWoS封装遇到什么难题?SiC中介层如何帮助解决问题? 为什么需要中介层? 中介层通过高密度水平互连与超短垂直互连的组合,解决芯片间的横向通信带宽和纵向对外连接的瓶颈问题。 中介层类型及其应用: 常见的中介层结构包括硅中介层、再分布层(RDL)、嵌入式硅桥(LSI)、玻璃中介层、SiC中介层、金刚石中介层和陶瓷中介层等。 CoWoS技术路线: 台积电有三种CoWoS技术路线,其中SiC中介层可用于CoWoS-S和CoWoS-L。 CoWoS-S与CoWoS-R的中介层材料变化: CoWoS-S采用硅中介层,而CoWoS-R则采用聚合物RDL。 CoWoS-L的中介层结构: CoWoS-L采用硅桥小芯片(LSI)替代硅中介层。 CoWoS-L的优势: CoWoS-L的成本低于CoWoS-S,且不影响性能。 SiC中介层的机会: SiC中介层在CoWoS-L中仍有潜力,尤其是在应对更高功率GPU的散热挑战方面。 总结: SiC中介层不仅能提升散热性能,还能增强机械强度、改善信号传输完整性和缩小封装尺寸。随着CoWoS-L技术的发展,SiC中介层有望成为高级封装的重要解决方案之一。
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