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扫码加入IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。收起
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