DrMos技术属于Intel在04年推出的服务器主板节能技术,三合一封装的DrMOS面积是分离MOSFET的1/4,功率密度是分离MOSFET的3倍,增加了超电压和超频的潜力。应用DrMOS的主板能拥有节能、高效能超频、低温等特色。
DrMos技术属于Intel在04年推出的服务器主板节能技术,三合一封装的DrMOS面积是分离MOSFET的1/4,功率密度是分离MOSFET的3倍,增加了超电压和超频的潜力。应用DrMOS的主板能拥有节能、高效能超频、低温等特色。收起
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