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DrMOS与DrGaN—浅谈中低压功率模组中材料体系与不同集成度的选择

AI功耗提升带动DrMOS与DrGaN电源竞争：DrMOS是驱动+硅MOSFET，成熟于低压大电流末级供电，优势在散热与平台配套，趋势是多相集成与国产替代；DrGaN是驱动+GaN，利于高频小体积，先从中间级切入核心供电，挑战在可靠性与系统验证。未来需按应用场景权衡集成度、成本与商业落地。

半导体产业研究

1009

09/28 12:24

GaN 功率模块

数据中心电力架构低压侧DrMOS：市场趋势与企业画像

DrMOS是Driver MOSFET的缩写，是一种集成栅极驱动器、高边MOSFET和低边MOSFET的封装形式，主要用于数据中心的板级供电最后一级。DrMOS的关键在于高效地将控制信号转换为低损耗的大电流，从而减少寄生电感和导通损耗。随着AI服务器的发展，DrMOS的需求显著增加，尤其是在高电流密度、快速瞬态响应和热管理方面的要求不断提升。市场预测显示，AI服务器将成为DrMOS市场的增长主引擎，预计到2032年市场规模将达到9.7557亿美元，复合增长率高达16.12%。中国市场上，AI服务器与国产算力平台的扩张、高电流等级升级以及供应链安全诉求，将共同抬升本土DrMOS需求。中国DrMOS产业正从单点器件突破转向多相控制器+DrMOS+POL/eFuse的平台竞争。代表性企业包括杰华特、矽力杰、晶丰明源等，各自在技术和市场竞争力上有不同的特点。例如，杰华特在90A大电流DrMOS领域有较强的量产能力，而矽力杰的产品参数完整，具备套片能力。此外，从英伟达供应链来看，国际DrMOS市场竞争激烈，MPS、Infineon、Renesas等厂商各有优势。对于国内厂商来说，突破路径不仅仅是单一的90A DrMOS，还需要在国产CPU/GPU和服务器平台建立规模量产记录，最终通过系统级协同实现平台可量产。

半导体产业研究

2006

09/07 11:56

数据中心 DrMOS

分析和仿真PCB 交流电阻损耗，优化DrMOS核心电压

同步降压变换器的主要功率损耗可归纳为有源元件损耗（MOSFET 直流和开关损耗、MOSFET 驱动器损耗）、无源元件损耗（电感直流电阻、交流电阻和核心损耗、电容等效串联电阻损耗）和印刷电路板损耗（PCB 直流电阻和交流电阻损耗）。

MPS

812

2024/01/22

降压变换器交流电阻

电源系统设计优化秘技：单片驱动器+MOSFET(DrMOS)

现阶段，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速，令这些器件所需功率急剧增加，直接导致向微处理器供电的稳压器模块(VRM)的升级需求：一是稳压器的功率密度（单位体积的功率）升级，为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度；另一是功率转换效率提升，高效率可降低功率损耗并改善热管理。

与非网编辑

354

2022/10/21

驱动器 PWM

何谓 DrMOS ?

一家电信产品制造商需要一个 5V 输入、1V 输出、负载能力为 30A 的电压转换器为其 FPGA 供电，我推荐了 RT2702。

立锜科技

70

2020/07/23

电路分析电压转换器

DrMOS

DrMOS（Driver and MOSFET）是一种集成了驱动器和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的功率模块，常用于电源供应、电机驱动和其他高功率应用中。DrMOS技术的出现极大地改进了功率转换和管理领域的设计和性能。