三星电子宣布,在其晶圆代工产品组合中将增加 11nm 的 FinFET 工艺。
公司表示,11nm LPP 或者 11LPP 是从上一代 14nm 工艺进一步发展而来,它能提供 15%的性能提升,减少 10%面积,但功耗却保持不变。
三星补充道:使用该制程的产品将在 2018 年上半年才开始。
这位韩国科技巨头在去年年底就为自己的芯片和客户提供了先进的 10nm 工艺,目前也在为最新的 Galaxy Note 8 的处理器使用第二代 10nm 工艺。
三星表示,10nm 工艺是针对旗舰手机的处理器,而 11nm 则将被用于中高端手机。将为客户提供“更广泛的选择”。
三星正在与台积电进行 10nm 工艺竞争,并将成为第一个部署 7nm 制程的公司。
得益于极紫外(EUV)光刻技术的成熟,三星表示其 7nm 的定价和收益的优势高于台积电。
三星还在计划能在 2018 年上半年提供 8nm 制程,该工艺将比台积电 7nm 工艺在价格竞争上更具优势,而且在技术水准上却很接近。
自 2014 年以来,三星已经使用 EUV 光刻制造了 20 万个晶圆,并包揽了 805 的 256M SRAM 产量。
今年 5 月,三星将芯片制造部门提升为一项业务。它以前是在逻辑芯片业务下生产处理器的。
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