pn结击穿

pn结是半导体器件中一种重要的电子器件，它由一个n型半导体区和一个p型半导体区组成。在一定条件下，当外部电压超过某个值时，pn结会出现击穿现象。

1.什么是pn结击穿

pn结击穿是指在一定条件下，当外加电压超过一定值时，pn结内的电场足以克服固有屏障将载流子拦截的作用，形成电流大幅度增加的现象。pn结击穿是半导体器件中不可避免的物理现象，但要尽量避免击穿带来的损害。

2.pn结击穿电压计算公式

pn结击穿电压的计算是非常重要的，通常可以采用以下公式进行计算：

V_BR = E_BR × W

其中V_BR为击穿电压，E_BR为单位长度上的电场强度，W为pn结的宽度。

3.pn结击穿的类型

pn结击穿可分为以下几种类型：

① 热击穿：发生在高掺杂区。当电压达到某一水平时，高能电子即可被加速至足以晋升价带，使局部的电阻急剧下降。

② 齐纳击穿：指的是反向电场加速带电粒子的整个过程，其本质上类似于放电。

③ 内界击穿：发生在耗尽区，当反向电压继续增大时，就会出现内界击穿。