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闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小;而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的"内存"容量通常不大;NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。接下来小编给大家介绍一下闪存芯片性能参数以及闪存芯片引脚说明。
1.闪存芯片性能参数
采用3. 3V电源;
芯片内部的存储单元阵列为(256M +8.192M) bit ×8bit,数据寄存器和缓冲存储器均为(2k + 64) bit ×8bit ;
具有指令/地址/数据复用的I/O口;
在电源转换过程中,其编程和擦除指令均可暂停;
由于采用可靠的CMOS移动门技术, 使得芯片最大可实现100kB编程/擦除循环,该技术可以保证数据保存10 年而不丢失。
2.闪存芯片引脚说明
I/O0~I/O7:数据输入输出口, I/O口常用于指令和地址的输入以及数据的输入/输出,其中数据在
读的过程中输入。当芯片没有被选中或不能输出时, I/O口处于高阻态。
CLE:指令锁存端,用于激活指令到指令寄存器的路径, 并在WE上升沿且CLE 为高电平时将指令锁存。
ALE: 地址锁存端, 用于激活地址到内部地址寄存器的路径,并在WE上升沿且ALE为高电平时,地址锁存。
CE: 片选端, 用于控制设备的选择。当设备忙时, CE 为高电平而被忽略, 此时设备不能回到备用状态。
RE: 读使能端,用于控制数据的连续输出,并将数据送到I/ O 总线。只有在RE的下降沿时,输出数据才有效, 同时, 它还可以对内部数据地址进行累加。
WE: 写使能控制端, 用于控制I/O口的指令写入,同时,通过该端口可以在WE脉冲的上升沿将指令、地址和数据进行锁存。
WP: 写保护端, 通过WP 端可在电源变换中进行写保护。当WP为低电平时,其内部高电平发生器将复位。
R/ B : 就绪/ 忙输出, R/ B 的输出能够显示设备的操作状态。R/ B 处于低电平时,表示有编程、擦除或随机读操作正在进行。操作完成后, R/B会自动返回高电平。由于该端是漏极开路输出, 所以即使当芯片没有被选中或输出被禁止时, 它也不会处于高阻态。
PRE:通电读操作,用于控制通电时的自动读操作,PRE 端接到VCC可实现通电自动读操作。
VCC :芯片电源端。
VSS :芯片接地端。
NC:悬空。
