宽禁带_宽禁带资讯

ST 宽禁带器件高压无线供电方案：300W + 级高效传输，赋能多场景无线供电

基于 ST 宽禁带（WBG）器件（GaN/SiC）的高压无线供电（WPT）方案，以 LCC-S 拓扑为核心，结合 MasterGaN 模块与 STM32G474 控制器，实现输入最高 400V、输出 100V/3A+、传输距离达 15cm 的 300W + 级无线供电，峰值效率超 96%，适配电动汽车、工业设备、无人机等高压高功率场景，解决传统无线供电功率低、距离近、电压受限的痛点。

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2025/11/18

无线供电宽禁带

升级电源和机架架构，满足AI服务器的需求

英飞凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM产品非常适用于应对数据中心机架和电源供应单元（PSU）电力需求增长所需的新架构和AC-DC配电配置。前言人工智能（AI）的迅猛发展推动了数据中心处理能力的显著增长。如图1所示，英飞凌预测单台GPU的功耗将呈指数级上升，预计到2030年将达到约2000 W [1]，而AI服务器机架的峰值功耗将突破惊人的300 kW。这一趋势促使数据中心机架的AC和D

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2025/02/24

英飞凌功率器件

白皮书导读 | 电机驱动系统中的宽禁带开关器件

近年来，电动汽车的兴起带动了宽禁带器件的应用，并逐渐渗透到各个市场。目前，工业电机主要使用逆变器来提高能效等级，这些逆变器在使用传统硅MOSFET和IGBT作为功率开关时存在一些限制，如总体损耗较高、开关频率和功率输送受限等。随着第三代半导体的兴起，宽禁带器件的应用使得提高电机的功率密度、功率输送能力和效率成为可能。《电机驱动系统中的宽禁带开关器件》白皮书共18页，主要探讨了采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）宽禁带器件对电机驱动器效率的提升和应用中需要克服的设计问题。

英飞凌

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2024/12/26

电机驱动宽禁带

Nexperia与KOSTAL就先进车规级宽禁带器件达成战略合作伙伴关系

Nexperia今天宣布已与领先的汽车供应商KOSTAL（科世达）建立战略合作伙伴关系，旨在生产更符合汽车应用严苛要求的宽禁带(WBG)器件。根据合作条款，Nexperia将开发、制造和供应由Kostal设计和验证的宽禁带功率电子器件。此次合作初期将专注于开发用于电动汽车(EV)车载充电器(OBC)的顶部散热(TSC) QDPAK封装的碳化硅(SiC) MOSFET器件。 KOSTAL Autom

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2024/11/07

SiC Nexperia

【向宽禁带演进】：您能跟上宽禁带测试要求的步伐吗？

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带(WBG)材料的使用度正变得越来越高。在电气方面，这些物质比硅和其他典型半导体材料更接近绝缘体。这些物质的采用旨在克服硅的局限性，而这些局限性源自其是一种窄禁带材料，所以会引发不良的导电性泄漏，且会随着温度、电压或频率的提高而变得更加明显。这种泄漏的逻辑极限是不可控的导电率，相当于半导体运行失效。在这两种宽禁带材料中，GaN主要适合中低档功率

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2023/03/15

测试测量泰克

从测试角度看宽禁带技术的挑战，泰克为工程师提供简化工具

从测试的角度来看宽禁带技术带来的诸多挑战，例如如何筛选不同厂家的器件及必要性，如何解决目前宽禁带器件应用测试和驱动测试的难题，如何能充分发挥器件的性能等。泰克针对性的测试解决方案覆盖了从半导体材料、生产、可靠性到电源设计应用的全流程，帮助用好宽禁带技术，推动技术进步。不断增长的电力电子市场受到氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）半导体的驱动，这些半导体目前被应用于汽车和射频通信等

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2022/12/28

泰克宽禁带

知名行业领军人物Dieter Liesabeths加入VisIC 担任产品高级副总裁

作为汽车应用氮化镓（GaN）解决方案的全球领导者，VisIC Technologies LTD公司很高兴地宣布： Dieter Liesabeths将加入公司，担任产品高级副总裁。

美通社

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2022/10/12

SiC GaN

宽禁带

宽禁带是指半导体材料的能隙较大，需要较高能量才能激发载流子的现象。在电子半导体行业中具有重要意义，本文将对宽禁带进行详细介绍，以及其在半导体领域的应用和影响。

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2024/11/11

宽禁带