宽禁带半导体_宽禁带半导体是什么意思 - 与非网

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 安森美半导体固态断路器解决方案

安森美半导体

09/02 08:39

1263

文章

宽禁带赋能图腾柱PFC效率革新：拓扑演进、硅基瓶颈与 SiC 器件选型分析
图腾柱无桥PFC是当前服务器算力电源、新能源充电桩、工业变频电源、储能变流器前端的主流高能效拓扑，是实现电源系统99%+超高转换效率、高功率密度的核心技术路径。相较于传统二极管桥式整流PFC，图腾柱拓扑通过移除低频整流桥，从拓扑结构根源上消除了固有导通损耗；而传统硅基MOSFET、IGBT的反向恢复损耗、开关损耗瓶颈，长期制约图腾柱PFC在大功率、高频化、连续导通模式（CCM）下的效率落地。

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

477

09/28 08:21

PFC 宽禁带半导体
两部门发文：推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展
9月15日工信部、发改委发布电子信息制造业“十五五”规划，提出到2030年规上营收超30万亿元、研发投入强度3.5%。规划聚焦集成电路全链条攻关与先进封装、三维集成，推动SiC/GaN等宽禁带提质升级和氧化镓、金刚石等超宽禁带产业化，并布局先进材料、光电共封装、新型存储与先进计算，提升自主可控能力。

DT半导体

1249

09/16 18:19

金刚石宽禁带半导体
β-Ga₂O₃、金刚石、AlN，超宽禁带半导体三强竞逐
随着新能源汽车、电力电子、5G通信、雷达以及高压电网等应用不断发展，电子器件正在向更高电压、更高频率和更严苛的工作环境演进。以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体已经显著推动了高效率电力电子和射频技术的发展，但当应用进一步向高压、高频拓展时，其材料性能也逐渐接近新的瓶颈。

DT半导体

1382

08/14 14:03

金刚石宽禁带半导体
英飞凌 CoolGaN 双向开关：第三代半导体的双向功率变革
氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体，正加速向工业级渗透，推动双向功率器件成为新战场。英飞凌作为功率半导体龙头，通过自主研发与战略并购，推出了CoolGaN双向开关，采用GaN-on-Si技术，具备极低导通电阻与开关损耗，适用于矩阵变换器、电流源逆变器等多种应用。该产品不仅简化系统设计，提高效率，还提供了全面的生态系统支持，助力各行业实现高效、可靠的双向功率转换。

芯次元玩家

729

07/31 11:18

GaN 氮化镓
电力电子高频化浪潮下，650V GaN 双向开关重塑功率变换架构
宽禁带半导体技术，尤其是氮化镓（GaN），正引领电力电子系统向高频高效演进。GaN器件因其出色的开关特性和导通性能，成为下一代高效系统的理想选择。本文介绍了650V GaN双向开关评估板，它作为新型拓扑的快速验证平台，具有极致集成、高效低损、驱动简化、高可靠性和生态完善的优点。该评估板适用于多种应用场景，包括工业电源、新能源、数据中心、充电与电源等领域，助力工程师快速开发高性能电力电子系统。

芯次元玩家

413

07/31 09:38

宽禁带半导体 GaN器件

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