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近日，多家半导体头部企业加速布局8英寸宽禁带半导体制造。5月9日，有消息称，联电加速布局8英寸晶圆宽禁带半导体制造，近期正大举购置新机台扩产，预计下半年进驻厂区。
在实现高效能、节能降耗的过程中，电力科技一直都起着关键作用，而未来的重点方向之一就是新材料的运用，例如宽禁带半导体材料SiC和GaN。
让我们开始今天的话题，宽禁带半导体(这里主要就SiC展开)中普遍易于硅基的振荡。
特斯拉在Model3使用了意法半导体生产的碳化硅MOSFET，开启了碳化硅上车之路。碳化硅 MOSFET 模组使特斯拉的逆变器效率从Model S的82%提升至Model 3的90%。
近日，由忱芯科技（UniSiC）主办的碳化硅功率半导体及应用研讨会在苏州成功召开，横跨芯片、材料、封装及应用领域的多位国内外顶尖的宽禁带半导体技术带头人受邀参会，围绕宽禁带半导体卡脖子关键技术难题分享观点，展开讨论。
2021年国庆期间，新能源汽车的长途旅行充电难问题引起广泛关注。据报道，有车主在高速公路服务区为了给车充电花费5个多小时，原本8小时的路程，最终花了16个小时。充电难问题正在成为限制新能源汽车产业进一步发展的关键。在这方面，芯片产业有着很大的发挥空间，通过电池管理实现快速充电、通过能源管理提高续航里程，许多芯片企业均推出相关解决方案。当电
随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。
为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。
如今，单纯靠提升工艺来提升芯片性能的方法已经无法充分满足时代的需求，半导体行业也逐步进入了“后摩尔时代”。后摩尔时代的来临，给中国集成电路产业发展带来新的发展机会。
让我们来回顾一下半导体材料的发展史特，半导体材料发展到今天可以说分为四代。
在5G、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等新基建战略方向下，以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体成为全球半导体技术和产业竞争焦点。
近日，苏州吴江的英诺赛科半导体项目传来新动态。
攻克“卡脖子”技术难题 中国氢能汽车核心技术添“尖兵”。
日前，在海口国家高新区举行了海南自由贸易港建设项目(第二批)集中开工仪式。
在材料领域的第一代，第二代， 第三代 并不具有“后一代优于前一代”的说法。
由于可以在较高频率、电压和温度下工作且功率损耗较低，宽禁带半导体（SiC 和 GaN）现在配合传统硅一同用于汽车和 RF 通信等严苛应用中。
在宽禁带半导体产业小镇建设发展的重要时期，此次落户开发区的中鸿新晶第三代半导体产业集群项目（彩虹集团 LED）备受关注。
华润微电子作为央企，一直有着央企的担当，目前重庆8英寸产线全部采用国产硅片，无锡6英寸产线也全部采用国产硅片，公司有专门的国产装备和材料认证部门，我们愿意为国产装备和材料携手共进，共促中国半导体产业发展。
项目签约不是签字，更是重在要约。疫情之下，签约不是做秀，更要注重落地。千万不要弄成“云签约”，项目都在“九霄云外”。
宽禁带半导体(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于2eV，这类材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化镓、)AlN(氮化铝)、ZnSe(硒化锌)以及金刚石等。
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