工艺库

• 工艺库研究之40nm单元库中有哪些layer

  在40nm节点的主流低功耗平台上，常见的物理层包括PO、VTUL、VTL、VTH、CO、M1至M7、VIA1至VIA6、RV、RDL、AP、OVERLAP和bump等。其中，PO层定义栅极几何形状；VTUL和VTL层用于低阈值器件的沟道掺杂；VTH层用于高阈值器件；CO层实现硅和poly的垂直电连接；M1至M7层分别负责不同层次的铜互连；VIA1至VIA6层作为信号路径的通孔；RV和RDL层用于顶层铝焊盘的信号/电源引出；AP层用于天线效应防护；OVERLAP层作为虚拟标记层；bump层则为flip-chip IO/pad库提供焊球落点参考。

  志芯

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  01/12 10:59

  工艺库

  
• 工艺库研究之单元库中的十个问题

  本文主要介绍了工艺库的相关知识，包括SSG和SSGNP的区别、HM_LVF_P_CCS.lib.gz中各字段的含义、LVF_P_CCS.lib和LVF_RAW_P_CCS.lib的区别、VT的不同类型及其含义、单元库按单元类型分类、BWPH210L6P57CNOD字符的含义、falt OCV、AOCV、POSV的历史演变、AOCV表中0pct/5pct/10pct的含义、base.lef和par.lef的区别以及CPODE层的含义。

  志芯

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  01/08 09:30

  工艺库 单元库

  
• 工艺库研究之memory库和standard cell库的类型

  本文介绍了内存和单元库的分类及其特点。内存按leakage功耗分为LP、HP、ULL、LL、BASE等类别，其中LP指低功耗内存，HP指高性能内存，ULL指超低漏电内存，LL指低漏电内存，BASE指标准阈值电压内存。单元库分为LP、GP、HP、ULP、GL、LE、FFCLL、ULL等类型，其中LP库适合对峰值频率要求不高、但对续航敏感的设计，GP库是默认逻辑库，HP库专为极限频率和高功耗容忍场景设计，ULP库针对纽扣电池和能量收集场景，GL库提供更好的栅氧完整性和速度，LE库通过增大沟道长度来降低漏电，FFCLL库通过背栅反向偏置和沟道长度偏置来降低漏电并保持高频能力，ULL库则通过最高阈值、加长沟道和近阈值电压来达到极低漏电水平。

  志芯

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  01/07 12:00

  内存 工艺库

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