电子迁移率

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  • 半导体位错:显著降低载流子迁移率
      半导体位错会显著影响半导体材料的载流子迁移率,这是因为它破坏了晶体的长程有序性并引入局部的电荷与应力场。 在理想晶体中,载流子的运动主要受声子散射和杂质散射的限制,而位错的存在使得这种有序结构被局部扭曲,原子排列发生偏移,从而产生弹性应力场,让载流子在通过时发生轨迹偏转,增加了散射概率。 如果位错核心带电,还会在材料中形成长程库仑势场,导致额外的库仑散射作用,使迁移率进一步降低。 此
    半导体位错:显著降低载流子迁移率
  • 电子迁移率检测器
    电子迁移率检测器(Electron Mobility Detector,简称EMD)是一种用于检测材料中载流子迁移率的仪器。它可以测量材料中电子和空穴在外加电场下的迁移速率,进而计算出载流子的迁移率。
  • 电子迁移率的高低有什么用吗?电子迁移率与哪些因素有关
    电子迁移率是一个重要的物理参数,用于描述固体中电子在外加电场下的迁移能力。它反映了材料中电子导电性的特征,对于电子器件的设计和性能优化具有重要意义。以下将从电子迁移率的高低有什么用以及电子迁移率与哪些因素有关两个方面进行详细介绍。
  • 电子迁移率是什么 电子迁移率与哪些因素有关
    电子迁移率是指在某一物质中,电子在运动时遇到障碍物时,能够克服这种阻力向另一方向运动的能力。可以理解为电子运动的流畅程度或电子传导能力的强弱。