半导体位错：显著降低载流子迁移率

半导体位错会显著影响半导体材料的载流子迁移率，这是因为它破坏了晶体的长程有序性并引入局部的电荷与应力场。

在理想晶体中，载流子的运动主要受声子散射和杂质散射的限制，而位错的存在使得这种有序结构被局部扭曲，原子排列发生偏移，从而产生弹性应力场，让载流子在通过时发生轨迹偏转，增加了散射概率。

如果位错核心带电，还会在材料中形成长程库仑势场，导致额外的库仑散射作用，使迁移率进一步降低。

此外，位错常常在带隙中引入深能级，这些能级会充当非辐射复合中心，加速载流子的复合过程，缩短寿命并间接影响迁移率。

对于位错密度较低的硅材料，这种影响可能不显著，但在宽禁带化合物半导体中，高密度位错会导致迁移率急剧下降，成为限制器件性能的关键因素。

因此，控制和降低位错密度是提升载流子迁移率和器件性能的重要手段。

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