碳化硅肖特基势垒二极管

• 碳化硅肖特基势垒二极管的特征及与碳二极管的比较

  我们从SiC肖特基势垒二极管的结构开始介绍，如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结），结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。

  森国科

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  2023/07/27

  二极管 肖特基势垒二极管

  
• Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD)

  Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120 系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。 这些宽带隙 SBD 的优点包

  与非网编辑

  523

  2023/02/08

  二极管 Diodes

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