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碳化硅肖特基势垒二极管的特征及与碳二极管的比较
我们从SiC肖特基势垒二极管的结构开始介绍,如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结),结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征也是具备高速特性。
森国科
1114
2023/07/27
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Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD)
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列,共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品,以及 DIODES DSCxx120 系列,共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。 这些宽带隙 SBD 的优点包
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