Supplyframe Supplyframe XQ Datasheet5 芯耀 Findchips bom2buy Siemens Xcelerator
关注我们
  • 技术群
  • 地域群
  • 活动群

  • 存储/储能技术资源交流群

    加入

  • 电子技术交流群

    加入

  • AI人工智能交流群

    加入

  • 物联网技术交流群

    加入

  • 机器人技术交流群

    加入

  • 电源技术交流群

    加入

  • 广深工程师技术资源交流群

    加入

  • 上海区域工程师技术资源交流群

    加入

  • 北京区域工程师技术资源交流群

    加入
设计助手
电子硬件助手 电子硬件助手
元器件查询 元器件查询

扫码加入

加入星计划，您可以享受以下权益：

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入

雪崩击穿

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的电子将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子和空穴。新产生的自由电子在电场作用下撞出其他价电子，又产生新的自由电子和空穴。如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种碰撞电离导致击穿称为雪崩击穿，也称为电子雪崩现象。

材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的电子将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子和空穴。新产生的自由电子在电场作用下撞出其他价电子，又产生新的自由电子和空穴。如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种碰撞电离导致击穿称为雪崩击穿，也称为电子雪崩现象。收起

查看更多
类型
新鲜 热门
不限时间
暂无相关内容，为您推荐以下内容

正在努力加载...

热门作者 换一换
相关标签