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  • IEDM见证中国创新路径，长鑫存储展现DRAM关键技术攻
    近日，在第71届国际电子器件大会（IEDM）的议程内，一场由北京大学研究员主讲的研讨会引发关注。其主题为“面向边缘大模型的器件 - 阵列 - 系统协同优化：基于BEOL FeFET的高精度高吞吐量多位模拟存内计算（ACiM）宏单元”， 直指边缘计算场景中算力瓶颈的破解路径。 模拟存内计算长期被视为提升边缘大模型能效的关键技术，但其可靠性问题一直制约落地。北京大学的研究通过器件-阵列-系统三级协同优
    1053
    11/19 11:56
    dram 长鑫存储
  • 英特尔IEDM 2024大晒封装、晶体管、互连等领域技术突破
    在IEDM 2024（2024年IEEE国际电子器件会议）上，英特尔代工展示了包括先进封装、晶体管微缩、互连缩放等在内的多项技术突破，以助力推动半导体行业在下一个十年及更长远的发展。 英特尔通过改进封装技术将芯片封装中的吞吐量提升高达100倍，探索解决采用铜材料的晶体管在开发未来制程节点时可预见的互连微缩限制，并继续为先进的全环绕栅极（GAA）晶体管及其它相关技术定义和规划晶体管路线图。 这些技术
    2189
    2024/12/25
    英特尔 晶体管
    英特尔IEDM 2024大晒封装、晶体管、互连等领域技术突破
  • 获批“集成电路科学与工程”一级学科点的机构论文统计（IEDM、ISSCC、ISPSD、ICCAD等）
    芯思想统计了自1979年以来，中国内地机构在IEDM、ISSCC、ISPSD、DAC、ICCAD、JSSC等五大行业顶会和一个顶刊上的论文发表情况。IEDM（International Electron Devices Meeting，国际电子器件会议）是IEEE旗下的王牌会议之一，被认为是器件领域的“世界奥林匹克大会”。自1955年举办以来，IEDM见证了人类从电子管到晶体管一直到超大规模集成电路和纳电子器件的半个世纪发展历史。
    5271
    2024/12/15
    ICCAD ISSCC
  • 英特尔展示互连微缩技术突破性进展
    在IEDM2024上，英特尔代工的技术研究团队展示了晶体管和封装技术的开拓性进展，有助于满足未来AI算力需求。 IEDM 2024（2024年IEEE国际电子器件会议）上，英特尔代工展示了多项技术突破，助力推动半导体行业在下一个十年及更长远的发展。具体而言，在新材料方面，减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium）最高可将线间电容降低25%1，有助于改善芯片内互连。英特尔代工还率
    709
    2024/12/09
    英特尔 晶体管
    英特尔展示互连微缩技术突破性进展
  • 英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路
    在晶体管诞生75周年之际，英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍，并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管微缩。 在IEDM 2022（2022 IEEE国际电子器件会议）上，英特尔发布了多项突破性研究成果，继续探索技术创新，以在未来十年内持续推进摩尔定律，最终实现在单个封装中集成一万亿个晶体管。英特尔的研究人员展示了以下研究成果：3D封装技术的新进展，可将密度再提升10倍；
    481
    2022/12/06
    英特尔 晶体管
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