MOS开关_MOS开关是什么意思

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设计资料

AN5483应用说明-使用L99H02进行设计

意法半导体(ST)
100

2023/04/25
电机控制 SPI接口 h桥驱动
AN4439应用说明-L99ASC03G电流感测放大器偏移调整

意法半导体(ST)
351

2023/04/25
电机控制硬件设计无刷电机驱动

文章

日本SiC模块新技术：MOS开关速度提升10倍
我们都知道碳化硅功率半导体有很多的优势，而且已经在汽车、光储充等众多的市场大放异彩，但是，碳化硅潜力还未充分被挖掘和利用，例如受限于现有的驱动器设计，SiC功率器件的开关操作速度极其慢，这导致它固有的节能优势尚未得到充分发挥。最近，日本方面宣布他们已经解决了这个问题，并且展现出很好的效果。

行家说三代半

915

03/17 12:05

SiC 碳化硅功率器件
替代TPS2H160BQPWPRQ1智能高侧开关芯片
PC8916是双通道、高功率具有集成NMOS功率FET的开关，以及电荷泵。该设备集成了高级保护功能，例如负载电流限制，通过功率限制进行过载主动管理带可配置闭锁的超温停机。

集芯微电科技

1154

2024/03/05

高边开关 MOSFET驱动器
四通道 40V 50mΩRDS智能高侧开关芯片反向电流保护及电荷泵
PC8845/G是四通道、高侧功率具有集成NMOS功率FET的开关，以及电荷泵。该设备集成了高级保护功能，例如负载电流限制，通过功率限制进行过载主动管理可配置闩锁关闭的超温停机。全面诊断和高精度电流感应这些功能实现了对负载的智能控制。在里面电池状况相反，PC8845需要外部接地二极管，用于阻挡来自接地的反向电流到电池。而PC8845G不需要这样的接地二极管。

集芯微电科技

1034

2024/03/05

MOSFET 高边开关
单通道 40V 80mΩRDS智能高边开关芯片带保护和诊断功能
PC8818是一个80mΩRDS（ON）高侧开关，提供充分的保护和诊断功能。此设备有两个版本。对于版本A，设备报告FLTn引脚开路排水结构的故障情况。对于版本B，其ISNS引脚输出小电流与流经内部的电流成比例功率FET。用户可以从连接电阻器ISNS引脚接地。然后监测这个的电压电阻器，用户将知道负载条件，例如如正常操作、对地短路、开路负载等。

集芯微电科技

1132

2024/03/05

高边开关 MOS开关
直流电源开关TMI6240I/6250I——解决分立MOS开关易失效，安全更可靠
拓尔微自主研发设计了一款可以应用在各种需待机关断功能模块的PowerSwitch芯片——TMI6240I/6250I，具备高集成度、高稳定性、高可靠性的优势。

拓尔微电子

1059

2023/08/10

电源开关 MOS开关

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