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同步动态随机存取内存(synchronous dynamic random-access memory,简称SDRAM)是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机,对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(asynchronous DRAM)相比,可以有一个更复杂的操作模式。管线意味着芯片可以在处理完之前的指令前,接受一个新的指令。在一个写入的管线中,写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行,而不需要等待数据写入存储队列的时间。在一个读取的流水线中,需要的数据在读取指令发出之后固定数量的时钟频率后到达,而这个等待的过程可以发出其它附加指令。这种延

同步动态随机存取内存(synchronous dynamic random-access memory,简称SDRAM)是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机,对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(asynchronous DRAM)相比,可以有一个更复杂的操作模式。管线意味着芯片可以在处理完之前的指令前,接受一个新的指令。在一个写入的管线中,写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行,而不需要等待数据写入存储队列的时间。在一个读取的流水线中,需要的数据在读取指令发出之后固定数量的时钟频率后到达,而这个等待的过程可以发出其它附加指令。这种延收起

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  • DDR SDRAM技术发展历程概述
    DDR SDRAM技术自2000年起历经多代迭代,从DDR到DDR5,每一代都围绕“更高速度、更低功耗、更大容量”的目标进行技术创新。具体表现为:- DDR:2000年,首次提出“双倍数据速率”,工作电压2.5V;- DDR2:2003年,引入4bit预取,工作电压降为1.8V; DDR3:2007年,预取增至8bit,采用点对点“Fly-by”总线架构,工作电压1.5V;DDR4:2014年,引入Bank Group架构,工作电压1.2V;DDR5:2020年,采用32bit预取,工作电压1.1V。
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  • DDRX SDRAM中的预取技术说明
    DDRX SDRAM预取技术概述及其对数据传输率的影响。通过预取技术,DDR SDRAM能够在较低内存核心频率下实现高速数据传输。预取长度从DDR1的2n逐渐增加至DDR5的16n,每一代预取技术都通过不同方式优化数据传输效率,如DDR4引入Bank Group概念,DDR5采用双通道机制。预取技术虽能显著提升数据传输率,但也带来访问延迟增加的问题,需通过Bank Group等技术手段进行缓解。
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  • SDRAM中Bank和Rank的概念解析
    SDRAM中的Bank和Rank概念解析:Bank是芯片内部的独立工作区域,允许多个操作并行执行;Rank是由一组内存芯片组成的集合,提供与CPU数据总线宽度相同的数据位,通过分时复用提高整体效率。两者协同工作以最大化内存系统性能。
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  • DDRX SDRAM中ODT信号的作用
    ODT(片内终端电阻)在DDR2 SDRAM中用于动态调整终端电阻,以匹配信号传输线的特性阻抗,吸收信号反射,提高信号完整性。它解决了传统外部终端电阻占用空间大、成本高、功耗大的问题,并且在DDR3/4/5中进一步智能化,支持更多阻值选择和精细控制,显著提升了内存稳定性与频率。
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  • SDRAM详细分析- 10内存特性对比
    文章对比了DDR颗粒的时钟/带宽差异,介绍了DDR和LPDDR特性,探讨了不同DDR速率的比较,并解释了带宽和速率的区别及其影响因素。
    885
    2025/09/16
  • SDRAM详细分析—09 DDR3器件管脚描述
    本文介绍了DDR3 SDRAM颗粒的手册管脚描述及其功能解析,详细解释了各管脚的意义并对比了DDR3与DDR4原理图中的差异。
    1825
    2025/09/16
  • SDRAM-08 数据手册解读
    本文介绍了如何解读内存芯片MT46V的数据手册,详细解析了其容量、位宽、行地址、列地址、刷新机制、数据传输方式等内容,并通过实例展示了如何利用手册中的信息进行准确的数据计算和理解。
  • SDRAM详细分析—07 存储器阵列寻址
    本文分析了SDRAM内部寻址机制及内存单元分布方式,从小容量到大容量逐步迭代,介绍了1bit、4bit、1Kb、4Kb、16Kb和4Gb不同容量的存储颗粒的设计思路,强调了矩阵式排列的优势和多bank架构的重要性。
  • SDRAM详细分析—05 DRAM内部结构
    本文介绍了RAM的基本概念及其分类,重点讲解了SRAM和DRAM的区别,并详细描述了DRAM的读写过程。SRAM速度快但成本高,适合高速缓存;DRAM则因其低成本和大容量而广泛应用于内存条。
    1973
    2025/09/16
  • SDRAM详细分析——03 流水线内存访问和内存效率
    本文介绍了SDRAM内存访问中的流水线技术及其对效率的影响,并详细分析了影响内存效率的五个因素:刷新效率、读写效率、Bank冲突效率、命令冲突效率和数据效率。通过合理安排指令顺序和优化访问模式,可以显著提升SDRAM的内存效率。
    858
    2025/09/15
  • SDRAM详细分析——02 内存访问周期
    文章总结了SDRAM的基础知识,包括其多bank架构、行列结构以及基本内存访问周期。详细描述了激活、读写和预充电三个步骤,并解释了刷新操作对SDRAM性能的影响。
    885
    2025/09/15
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  • SDRAM详细分析—06 存储单元架构和放大器
    SDRAM存储单元采用矩阵阵列式结构,通过Word Line和Bit Line控制晶体管开关,实现电荷转移至Bit Line。双Bit Line架构增强了抗干扰性能,利用差分放大器提高读取准确性。
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  • SDRAM详细分析——04 内存控制器
    内存控制器由前端和后端两大部分组成,前端负责响应CPU及其他部分的读写请求并将其转换为DDR物理地址;后端则直接与内存颗粒交互,依赖于具体的内存类型。前端设计独立于内存类型,而后端需理解特定内存类型的指令集和时序参数。内存映射模块将逻辑地址转换为物理地址,仲裁器负责请求调度,命令生成器将抽象请求转化为DDR可执行指令,数据路径确保数据传输效率。
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  • SDRAM详细分析——01 SDRAM基础
    今天这篇文章,主要介绍一下最近学习的SDRAM相关内容。这个系列会分为4~5篇文章来介绍SDRAM是如何工作的。SDRAM(synchronous dynamic random-access memory)中文名称同步动态随机存取内存。SDRAM主要负责临时存储CPU需要处理的数据,但是呢,CPU又不能直接对SDRAM进行读取或写入数据,在他们之间有一个叫“内存控制器”的东西,负责CPU和SDRAM的打交道。
    1856
    2025/08/12
    SDRAM详细分析——01 SDRAM基础
  • DDR4 SDRAM规范知识体系总结大纲
    1. 标准定位:• JESD79-4标准定义DDR4 SDRAM最低要求,覆盖2Gb-16Gb容量x4/x8/x16配置器件。• 基于DDR3(JESD79-3)演进,优化信号完整性、能效和功能扩展。
    2288
    2025/04/08
    DDR4 SDRAM规范知识体系总结大纲
  • 加了ECC保护之后的运存性能有何影响?
    今天痞子衡给大家分享的是i.MXRT1170 XECC开启及Data Swap功能对于外部RAM的访问性能影响。我们知道 RT1170 上内部 FlexRAM ECC 模块使能后对 TCM 访问性能几乎无影响,那么 XECC 使能后对于挂在 FlexSPI/SEMC 接口上的外部 PSRAM/SDRAM 访问性能是否有影响呢?今天我们就来聊聊这个话题:
    2030
    2024/12/09
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  • 答疑系列:深入应用FPGA技术,对于人形机器人的实用化可能产生哪些影响?
    FPGA技术交流群目前已有十多个群,QQ和微信均覆盖,有需要的大侠可以进群,一起交流学习,共同进步。
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  • 答疑系列:自定义IP核给他人使用,不想显示源码,有什么办法?
    今天给大侠带来在FPAG技术交流群里平时讨论的问题答疑合集(五),以后还会多推出本系列,话不多说,上货。Q1:自定义的IP核给他人使用,不想显示源码。是不是只有生成.dcp这一种办法?A:除了生成.dcp 文件,还可以将 IP 核封装为网表(Netlist)形式提供给他人使用。不过生成.dcp 是一种较为常见和有效的方式,能够在一定程度上保护源码的隐私性。
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  • FPGA零基础学习精选 | SDR SDRAM 驱动设计
    本系列将带来FPGA的系统性学习,从最基本的数字电路基础开始,最详细操作步骤,最直白的言语描述,手把手的“傻瓜式”讲解,让电子、信息、通信类专业学生、初入职场小白及打算进阶提升的职业开发者都可以有系统性学习的机会。 本篇实现基于叁芯智能科技的SANXIN -B01 FPGA开发板,以下为配套的教程,如有入手开发板,可以登录官方淘宝店购买,还有配套的学习视频。
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  • Teledyne e2v的宇航级DDR4的硬件设计指南
    快速、高可靠和耐辐射的存储是复杂空间边缘计算系统的必备特性。DDR4 将使航天工业实现更高吞吐量的星上计算能力和更长的采集时间,从而支持全新的地球观测、空间科学和电信应用。
    238
    2021/07/06

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