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栅极驱动电路

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  • MOSFET栅极驱动电路分享
    本文介绍了三种常见的MOS管驱动电路:IC直接驱动型、图腾柱电路增强驱动和加速MOS管关断电路。IC直接驱动简单但需要考虑驱动电流和MOSFET寄生电容的影响。图腾柱电路能提高驱动能力,加快充电过程。加速关断电路则利用二极管和电阻降低关断时间和损耗,同时保持电路可靠性。这些方法有助于优化MOS管的驱动性能。
  • 优化效率:探索有源钳位正激转换器的二次整流电路设计和占空比的作用
    作者:GuangQi Hou,应用工程师 摘要 有源钳位正激转换器利用P通道MOS进行钳位,是公认的高效率电源拓扑。该设计支持将储存的电感能量反馈到电网,从而提高整体转换器效率。为了进一步提高效率,该设计还集成了基于MOSFET的二次自整流电路。本文探讨了二次整流电路面临的设计难题,强调了优化占空比的重要性。值得注意的是,有源钳位正激转换器中采用了广泛的电源技术,本文仅介绍了其中一种。 简介 对于
    优化效率:探索有源钳位正激转换器的二次整流电路设计和占空比的作用
  • 集成双极晶体管的MOSFET驱动电路以及外围器件选型设计讲解
    在MOSFET驱动电路中,经常会遇到使用集成双极晶体管BJT作为栅极驱动器的情况。这种设计在PWM控制或电机驱动中非常常见,尤其是在需要快速开关和高效率时。下面是一个典型的带有BJT的栅极驱动电路,上一篇文章讲解了VDRV电源处去耦电容的选型计算,今天,我就结合这个电路,聊聊如何设计栅极驱动电路。
    集成双极晶体管的MOSFET驱动电路以及外围器件选型设计讲解
  • PC86320隔离式双通道栅极驱动器
    描述 PC86320是一个隔离的双通道栅极驱动器具有可编程死区时间和宽温度范围。它设计有5A峰值源和6A峰值吸收电流来驱动电源高达2MHz的MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管开关频率。PC86320可以配置为两个低端驱动器,两个高边驱动器,或具有可编程功能的半桥驱动器卸载时间(DT)。输入侧与两者隔离输出驱动器由硅二氧化物隔离屏障,具有150kV/us典型共模瞬态抗扰度(CMTI)。两个
    PC86320隔离式双通道栅极驱动器
  • 分立式CoolSiC™MOSFET的寄生导通行为研究
    选择适当的栅极电压是设计所有栅极驱动电路的关键。凭借英飞凌的CoolSiC™MOSFET技术,设计人员能够选择介于18V和15V之间的栅极开通电压,从而使器件具有极佳的载流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面,栅极关断电压仅需确保器件保持安全关断即可。英飞凌鼓励设计人员在0V下关断分立式MOSFET,从而简化栅极驱动电路。