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栅极驱动电路

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  • 分立式CoolSiC™MOSFET的寄生导通行为研究
    选择适当的栅极电压是设计所有栅极驱动电路的关键。凭借英飞凌的CoolSiC™MOSFET技术，设计人员能够选择介于18V和15V之间的栅极开通电压，从而使器件具有极佳的载流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，栅极关断电压仅需确保器件保持安全关断即可。英飞凌鼓励设计人员在0V下关断分立式MOSFET，从而简化栅极驱动电路。
    375
    2021/02/24
    MOSFET 高速开关
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