芯片制造

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  • “拿钱砸我也没用,真没货” ——半导体市场缺货实录
    2026年上半年,全球半导体产业遭遇结构性供需失衡,特别是8英寸晶圆产能短缺导致功率半导体、模拟芯片和电源管理芯片供应紧张。各大芯片制造商纷纷上调价格,交期延长,订单爆满。尽管如此,国产半导体企业凭借供应链安全、成本竞争力和技术创新的机会脱颖而出,正在逐步扩大市场份额,从“备胎”走向“主力”。
    “拿钱砸我也没用,真没货” ——半导体市场缺货实录
  • 特朗普官宣:苹果牵手英特尔,美国造芯!
    当地时间6月18日,美国总统唐纳德·特朗普在自家的Truth Social社交平台发文宣布,苹果公司已同意与英特尔合作,在美国本土设计并制造芯片。
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    06/22 10:07
    特朗普官宣:苹果牵手英特尔,美国造芯!
  • 传联电与英特尔3nm结盟,“宣战”台积电!
    英特尔与中国台湾第二大晶圆代工厂联华电子达成合作,共同开发12nm与3nm芯片制造工艺,旨在通过英特尔的美国工厂重新进入前沿半导体制造领域,争夺台积电市场份额。联电希望通过与英特尔的合作,借助英特尔的制造能力和自身丰富的代工服务经验,进入尖端制程市场。
    传联电与英特尔3nm结盟,“宣战”台积电!
  • 刚刚,英特尔公布1.8nm重大进展
    英特尔在2026年VLSI研讨会上公布其2nm级制程路线图,重点介绍Intel 18A-P系列的性能增强版。该系列在相同功耗下性能提升9%,或在相同性能下功耗降低18%,具备更好的热特性和设计灵活性。Intel 18A-P采用了新的晶体管结构和技术,如低功耗与高性能晶体管选项、Power Boost能效增强技术和改进的热管理措施。此外,英特尔还展示了GAA晶体管和背面供电技术的应用前景,以及面向未来的CFET、氮化镓+硅集成和减成法钌互连技术的研究进展。这些创新有助于提升芯片性能和能效,推动2nm制程竞赛升温。
    刚刚,英特尔公布1.8nm重大进展
  • 如何测量金属膜层厚度?
    金属膜层厚度测量与透明介电层不同,因金属对可见光不透明,传统光学方法无效。以下是几种主要方法及其特点:X射线荧光 (XRF):适用于0.01–50 μm,无损,精度±1–3%,同时测成分和厚度。四探针电阻法:适用于10nm–10μm,无损但有轻微印痕,精度±0.5%,仅限非磁性导电金属。