DDR

DDR电源电路设计针对RK3588处理器，重点在于覆铜、过孔、去耦电容、走线拓扑和线宽标准五个方面。覆铜需满足电流需求并避免过多过孔分割；过孔设计应保证电源和GND过孔数量匹配，以增强去耦电容的效果；去耦电容布局要遵循就近原则，并精确对位；电源管脚走线需采用精准匹配和井字形拓扑，确保电流均衡；线宽与覆铜需分区管控，兼顾电流与空间需求。这些措施共同保障DDR电源电路的设计质量和稳定性。RK3588电路设计

高速先生成员--周伟 上一个案例《就挪动了一个电阻，DDR3竟神奇变好了，敢信吗？》，提到的设计没有考虑pin delay，后面只是调整了时钟的端接电阻就好了，而且速率也可以运行到1600Mbps，看来pin delay也不是那么至关重要嘛！千万别大意，我们也说了，DDRx的设计其实就是各种抠裕量，pin delay会占用一部分时序裕量，所以正常还是要考虑的。这不，今天我们就碰到了另一个案例，客户

本文介绍了DRAM和DDR的基本概念及其发展。DRAM是一种动态随机存取存储器，依靠电容存储电荷表示0/1，并且需要周期性刷新。DDR则是双倍数据率SDRAM，能够在同一个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据。 文章详细比较了DDR4和DDR5的关键区别，包括速率、电压、通道结构、Bank数量、单条容量、PMIC位置和ECC机制等方面。DDR5相比DDR4具有更高的频率、带宽、通道并行度、电压降低和更复杂的电源管理特性。 此外，文章还探讨了DDR5在信号完整性、电源管理和可靠性方面的挑战，以及其在封装和模组上的差异。最后，针对工程应用提出了何时选择DDR4还是DDR5的建议，强调了带宽需求和平台代际更新的重要性。

Chris在与硬件工程师交流时发现，现代硬件工程师不仅精通硬件原理，还深入了解PCB设计知识。他分享了一个关于DDR4拓扑优化的案例，指出分支长度和对称性对信号质量的重要性。一位客户提出了一个特殊的优化建议——使表底层走线长度不同，尽管他认为这种设计合理。Chris通过仿真验证，解释了为何即使保持表底层分支长度一致，改变主干道位置也能显著提高信号质量。最终，客户接受了理论与实践相结合的方法，认识到实际设计中信号质量受多种因素影响。

前言： 2025年，存储市场持续“高烧”—— - 国际大厂停产DDR3/4，减产LPDDR4/4X，涨价50%只是起步 - 国产料号月更、周更，同一料号不同Die，颗粒参数“开盲盒” - 更大的坑是：对于嵌入式产品而言，内存颗粒的微小差异都可能引发硬件兼容性问题，从而给系统稳定性带来了挑战。 别慌！眺望电子基于RK3588核心板，梳理出一套完整的【DDR颗粒五步压力验证法】，从环境搭建到多场景测试