GaN技术

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  • 新增5起GaN合作,涉及长安汽车/台积电等
    随着车规、消费电子等领域对GaN需求增加,产业链各方积极合作,推动GaN技术在多个领域的应用。平创半导体与长安汽车合作攻克车规级GaN功率芯片技术;红与蓝微电子与联颖光电加强GaN器件技术交流;格罗方德与台积电达成GaN技术授权;罗姆半导体与微星合作推广GaN适配器;英飞凌与海信携手推出GaN电视适配器。这些合作展示了GaN技术在不同应用场景中的潜力。
    新增5起GaN合作,涉及长安汽车/台积电等
  • 基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计
    作者:安森美 在科技演进浪潮中,能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器,从电动车到智慧城市,科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡,而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。 随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高,传统以硅(Silicon, Si)为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料,其中氮化镓(Gal
    基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计
  • 前线芯思路 | 基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计
    随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高,传统以硅(Silicon, Si)为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料,其中氮化镓(Gallium Nitride, GaN)无疑是最具代表性的技术之一。本文为第一篇,将介绍GaN技术优势、安森美iGaN概述、VDD, LDO旁路电容等。
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    08/12 11:10
    前线芯思路 | 基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计
  • 慕尼黑法院判决英飞凌控告英诺赛科专利侵权案胜诉
    德国慕尼黑地方法院(Landgericht München I)近日就英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)控告英诺赛科(Innoscience)关于氮化镓(GaN)技术专利侵权的一审判决中,判定英飞凌胜诉。该案的核心是英诺赛科未经授权使用了英飞凌受专利保护的氮化镓(GaN,以下同)技术。氮化镓技术在实现高性能及高能效的电源系统中发挥着关键作用,应用范围广泛涵盖可
  • 长城为何联手英诺赛科?解密背后的GaN技术创新
    4月9日,英诺赛科宣布,长城电源面向AI数据中心的钛金级电源中,采用了其先进的氮化镓(InnoGaN)技术。这一创新之举,使得电源的转换效率突破96%大关,轻松超越全球最高80PLUS钛金级能效标准,为行业树立了新的技术标杆。
    长城为何联手英诺赛科?解密背后的GaN技术创新