LTspice仿真_LTspice仿真是什么意思

近年来，工业电源市场对氮化镓(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高带隙器件的兴趣日益浓厚。GaN器件凭借显著降低的电荷特性，能够在较高开关频率下实现高功率密度，而MOSFET在相同条件下运行时会产生巨大的热损耗。在相同条件下，并联MOSFET并不能节省空间或提升效率，因此GaN FET成为一种颇具吸引力的技术。业界对GaN器件性能表现的关注，相应地催生了对各种GaN器件进行准确仿真以优化应用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，针对GaN FET驱动进行了优化。借助这些模型，设计工程师可以确定哪种GaN FET最适合特定应用，并尝试不同的组合以获得理想性能

亚德诺半导体

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10/15 10:57

GaN FET LTspice仿真

使用LTspice仿真来解释电压依赖性影响

本文说明如何使用LTspice仿真来解释由于使用外壳尺寸越来越小的陶瓷电容器而引起的电压依赖性（或直流偏置）影响。尺寸越来越小、功能越来越多、电流消耗越来越低，为满足这些需求，必须对元件（包括MLCC）的尺寸加以限制。因此，电压依赖性或直流偏置的影响也受到关注

亚德诺半导体

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08/12 10:55

电压 LTspice仿真

LTspice中的 .tf 仿真命令

本文介绍了LTspice仿真软件中的.tf命令，该命令可用于计算直流小信号传递函数、输入输出阻抗等参数。通过一个单管共射放大电路的实例，展示了如何利用.tf命令分析三极管在不同偏置电压下的放大倍数、输入阻抗和输出阻抗特性。仿真结果表明：当基极电压超过0.7V时输入阻抗骤降至1kΩ；输出阻抗在导通区下降，饱和区急剧降低；放大倍数在0.72V偏置时达到峰值-362。文章还演示了如何结合.step命令分析不同工作点下的传递函数特性，为电路设计提供了实用分析方法。（全文148字，包含关键参数和核心结论）

卓晴

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06/01 08:55

LTspice 输入阻抗

LTspice仿真数据特征

在前天使用 LTspice 仿真倍压整流电路中，对于耦合电容 C2 取值40个数据，分别得到了 40个仿真数据，时间长度为50毫秒。那么这些仿真数据时间的数据个数和时间间隔是否均匀呢？下面对于从 LTspice 中导出的数据进行对比和分析。

卓晴

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2024/10/28

LTspice LTspice仿真

精密系统的实用RTI计算

作者：Scott Hunt，应用工程师摘要本文简要介绍了精密系统中的参考到输入(RTI)的计算和仿真，以及如何从中获得尽可能多的重要信息。在设计用于模拟测量的信号链时，必须考量信号链中不同组件导致的误差和噪声，用于确定最高性能。规格可以用百分比（分数）表示，或者如果是线性系统，可以参考到输出或参考参考到输入。参考到输入的计算往往会造成误解，但能够提供有关系统性能的重要信息。噪声、误差和参考到

与非网编辑

716

2023/03/30

ADI RTI