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• 三极管放大电路时应该注意哪些技巧呢？

  放大电路的核心元件是三极管，主要关注其作用、放大原理、静态工作点及其设置目的和方法。图1展示了一种基本放大电路，其中C1、C2作为耦合电容，R1、R2为直流偏置电阻。静态工作点通常设置为Uce接近电源电压一半，以便信号正负变化有对称的空间。具体计算中，需考虑三极管的β值，并选择合适的电阻值以保证电路稳定性和性能。

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  02/26 10:32

  放大电路 三极管放大电路
• 四类恒流源电路

  本文介绍了几种常用的恒流源电路及其在集成运放中的应用。首先，镜像恒流源电路通过两个特性相同的晶体管形成镜像关系，提供稳定的静态电流。其次，比例恒流源电路通过增加发射极电阻来调节输出电流，提高稳定性。微变恒流源电路则通过减小发射极电阻，降低功耗并适用于低电流需求场景。最后，多路恒流源电路可根据不同需求生成多个输出电流，满足多级放大电路的需求。这些电路在集成运放中广泛应用，有效解决了静态电流控制的问题。

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  02/26 10:29

  恒流源电路
• RS485接口电路如何设计

  RS485接口6KV防雷电路设计方案概述了EMC设计要点，包括滤波电容、气体放电管、热敏电阻和TSS管的使用及其布局原则，强调了接口地和数字地的分离设计以增强抗干扰能力。

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  02/25 16:21

  RS485 接口电路
• 推挽电路知多少？

  推挽电路有两种结构：上P下N和上N下P。上N下P型输出信号与输入相同，受输出信号限制，易发热；上P下N型输出相反，需额外电阻隔离，增加成本并要求信号压摆率高。两者各有优劣，具体选用需综合考虑应用场景和性能需求。

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  02/25 16:18

  推挽电路
• 高密度功率引擎|650V增强型GaN功率晶体管

  GaN功率器件因其高频、高效、低损耗的特点，在电源设计中展现出巨大潜力。SKGM17N65-N88作为一款面向650V平台的应用，具有增强型常关特性，适合 Totem Pole PFC、AC-DC高频转换、DC-DC高密度电源等场景。其低反向恢复电荷和栅电荷使得高频开关更加容易实现，同时具备工业级认证和ESD防护，适用于大规模生产和严苛环境。

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  02/11 10:13

  GaN 功率晶体管

  
• 为高效率电力系统而生的核心器件

  时科推出Q-SSC05120-T碳化硅肖特基二极管，针对高压、高频、高效率应用设计，具备1200V/5A等级，显著优于传统硅二极管。其零反向恢复、无正向恢复特性，总电荷仅24nC，大幅降低开关损耗；在-55℃至175℃宽结温范围内保持稳定性能，适用于光伏逆变器、UPS、电机驱动与PFC电路等场景，助力高效电力系统发展。

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  02/11 10:13

  电力系统 碳化硅肖特基二极管

  
• 二极管钳位电路,你懂了吗？

  本文介绍了三种类型的二极管钳位电路及其工作原理，包括负钳位器和正钳位器的基本结构和应用场景。重点讲解了简单型和加偏压型电路的设计要点，以及如何通过参考电压和二极管方向确定输出波形的变化。

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  01/26 15:17

  二极管 钳位电路
• 电源设计最实用的公式解析！

  该文档主要介绍了反激式变换器的设计要点，包括MOSFET开关管的最大占空比计算、变压器原边绕组电流峰值计算、功率开关管的选择方法、变压器磁芯的选择及其损耗计算。

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  01/26 15:07

  电源设计

  
• MOSFET栅极驱动电路分享

  本文介绍了三种常见的MOS管驱动电路：IC直接驱动型、图腾柱电路增强驱动和加速MOS管关断电路。IC直接驱动简单但需要考虑驱动电流和MOSFET寄生电容的影响。图腾柱电路能提高驱动能力，加快充电过程。加速关断电路则利用二极管和电阻降低关断时间和损耗，同时保持电路可靠性。这些方法有助于优化MOS管的驱动性能。

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  01/26 15:05

  MOSFET 栅极驱动电路
• 赋能电路设计：時科DTC114系列带阻三极管的卓越表现

  时科DTC114系列带阻三极管凭借高效能、低功耗和多功能应用适应性，满足现代电子设备对小型化、节能化和高性能化的需求。其宽输入电压范围、高电流增益和耐温稳定性能，使它在消费电子、音频放大器、工业控制和嵌入式系统等多个领域展现出卓越的应用价值。

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  01/20 09:39

  三极管

  
• 从选型到应用：MOSFET性能优化的核心之道

  随着电子技术的进步，MOSFET在电源管理、电机驱动和功率转换设备中的作用愈发重要。选择优质的MOSFET是提高系统可靠性和能效的关键。時科推出的SKQ80N03AD N-MOS产品以其低导通电阻、高耐压和高效率等特点，适用于低压大电流场景，如DC-DC转换器和低压电源管理。该产品在不同条件下的导通电阻分别为5.1mΩ和11.1mΩ，且具备±20V的栅-源电压和80A的连续漏电流，适用于高功率应用。此外，SKQ80N03AD采用PDFN5060封装，具有优异的散热性能和广泛的温度适用范围，是电源管理和功率应用的理想选择。

  时科

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  01/20 09:36

  MOSFET

  
• 带阻三极管的多场景应用：時科DTC114系列的实践价值

  带阻三极管因其多功能性和可靠性，广泛应用于电源控制、调光控制、电机控制、音频放大器、开关电路、逆变器、电压控制电路和集成电路等多个领域。DTC114系列带阻三极管凭借高耐压、高输入阻抗、低功耗和多种封装形式，为这些应用场景提供了高效的解决方案。

  时科

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  01/20 09:32

  三极管

  
• 時科SKQ80N03AD N-MOS的核心优势解析

  時科SKQ80N03AD N-MOS是一款采用Trench工艺的低导通电阻、高效率、高耐压产品，具备低功耗、高性能和安全可靠的特性，适合高效能电源转换和大电流应用。

  时科

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  01/20 09:30

  NMOS

  
• Trench工艺与超低导通电阻，時科N-MOS 应用解析

  时科SKQ80N03AD N-MOS以其卓越性能、低功耗和高可靠性，在高效电源转换、智能电池管理和高功率应用中表现出色。它具备30V的最大漏-源电压、80A的连续漏电流、±20V的栅-源电压调节范围以及-55至150℃的工作结温范围，适用于多种应用场景，如电源开关、电池管理、负载开关、逆变器和整流器、汽车电子和工业控制等领域。

  时科

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  01/20 09:29

  导通电阻

  
• 什么是三端稳压管？

  三端稳压管是一种利用反向击穿特性的半导体器件，广泛应用于稳压电源与限幅电路。主要分为固定输出和可调输出两类。其作用是将电压降压并稳定输出，如7805可将小于35V电压降至5V。工作原理涉及放大管和调整管的协同效应，确保输出电压稳定。

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  01/19 14:22

  稳压管
• MOSFET和三极管ON状态有什么区别？

  MOSFET和三极管在ON状态下的参数使用有所不同，三极管通常用饱和Vce，而MOSFET则用Rds。三极管饱和区的Ice难以简单由Vce决定，故常用饱和Vce表示；MOSFET在ON状态处于线性区，Ids主要由Vgs和Vds决定，常采用Rds表示。此外，MOSFET的D和S端虽可互换，但在实际应用中，其特性仍取决于定义的D和S端，特别是对于功率MOS，有时会在D端做轻掺杂区耐压。

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  01/19 14:17

  MOSFET 三极管
• 肖特基二极管，SK10U100AA出色应用

  时科

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  01/19 07:13

  肖特基二极管

  
• 隔离与非隔离原来区别是这样的

  本文详细介绍了隔离电源和非隔离电源的区别及其各自的特点和适用场景。隔离电源由于可靠性高但成本较高，适用于涉及触电风险、电气隔离需求高的场合，如AC-DC电源和远程通信节点供电。而非隔离电源结构简单、成本较低、效率高，但在安全性和EMC特性方面稍逊一筹，适用于电路板内IC供电和电池供电场合。文中还提供了隔离电源的选型注意事项，强调了浪涌防护的重要性，并指出非隔离电源在节能和成本上的优势。总之，合理选择隔离或非隔离电源取决于项目的具体需求和应用场景。

  时科

  898

  01/16 13:52

  隔离电源 非隔离电源
• MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就“歇菜”？

  MOS管作为电源设计和驱动电路中的重要组件，因其高输入电阻和低栅源极间电容特性，使其易于遭受静电击穿。静电击穿分为电压型和功率型两种方式，其中电压型击穿涉及栅极薄氧化层击穿，而功率型则涉及金属化薄膜铝条熔断。现代MOS管，特别是大功率VMOS，通常配备二极管保护，有效降低静电击穿风险。静电放电形成的短暂大电流会导致局部过热，进而可能导致PN结短路或器件失效。静电对MOS管的危害表现为吸附灰尘、绝缘层破坏或过热损伤，且具有随机性。为了预防静电损害，应采取措施如使用金属容器包装、良好接地、穿戴防静电衣物等。同时，合理设置栅极电阻，既能提供偏置电压又能起到泻放电阻作用，保护MOS管免受静电干扰。

  时科

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  01/16 13:47

  MOS管
• 为系统安全而生的高可靠电源防护核心

  在当今电子系统持续向高集成度、高可靠性、高功率密度发展的趋势下，电源管理器件的安全性与稳定性正成为产品竞争力的核心指标。時科SK54M33HSQ 与 SK54M50HSQ 正是在这一行业背景下诞生的高可靠电源保护与调节解决方案，为各类电子设备构筑起坚实而稳定的电气安全防线。 01.以安全为核心的电源管理方案 SK54M33HSQ / SK54M50HSQ 定位于中低压系统的核心电源防护与管理器件，

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  01/15 14:39

  电源管理

  

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