关于GaN的所有信息
Plessey 为 GaN-on-Silicon 单片 microLED 显示器

Plessey 是屡获殊荣的光电子技术解决方案的领先开发商,宣布已从 AIXTRON SE (FSE: AIXA) 订购了下一个反应器,AIXTRON SE 是半导体行业沉积设备的全球领先供应商。

论宽禁带半导体的应用与展望

今后的半导体产业,谁能在宽禁带半导体器件的竞争中占得先机,谁就能引领半导体产业发展的潮流。这是目前很多半导体从业者的心声。

充电机直流母线上的纹波会影响电池寿命吗?
充电机直流母线上的纹波会影响电池寿命吗?

这个问题,是国康问题的,我回家准备把这个问题稍微详细一些展开。从原则上来说,这个问题“Does the current ripple influences the lifetime of the battery?”其实还是比较平常的。

两个指标让GAN训练更有效

生成对抗网络(GAN)是当今最流行的图像生成方法之一,但评估和比较 GAN 产生的图像却极具挑战性。之前许多针对 GAN 合成图像的研究都只用了主观视觉评估,一些定量标准直到最近才开始出现。

中国宽禁带功率半导体产业到底要怎么发展?专家给你支个招

宽禁带功率半导体的研发与应用日益受到重视,其中碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。

氮化镓(GaN)技术可以为你做什么?

我们可以想象一下:当你驾驶着电动汽车行驶在马路上,电动车充电设备的充电效率可以达到你目前所用充电效率的两倍;仅有一半大小的电机驱动比目前应用的效率更高;笔记本电脑电源适配器小到可以放进口袋。

服务器电源、电动车(EV)以及无线充电成GaN增长三大源动力

氮化镓(GaN)已开始加速导入至各应用市场当中,其普及率也在这3~5年之间逐渐提升。 对此,GaN System台湾区总经理林志彦表示,服务器电源、电动车(EV),以及无线充电将是驱动GaN快速成长的三大关键市场。

射频半导体行业发展趋势解析

近两年,射频半导体行业取得了众多颠覆性的突破与进步,诸如持续整合MMIC市场,通过氮化镓GaN技术促进新型基站架构和射频能量应用的发展,5G也完成了独立组网标准,阵列天线、太赫兹技术等也取得了众多实质性进展。

【必看】GaN和Si的几大变化

虽然以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN) 为代表的宽禁带半导体材料由于面临专利、成本等问题放缓了扩张的步伐,但世易时移,新兴市场为其应用加速增添了新动能。

纳微半导体:GaN技术领域的后来者有多少机会?

基于GaN功率器件的前景可期,已吸引许多公司进入这个市场,EPC、GaN系统、英飞凌、松下和Transphorm已经实现商业化量产,Dialog、恩智浦、安森美半导体、德州仪器等实力选手也纷纷加入战局。在大厂云集的GaN功率器件市场,后来者还有哪些机会?

世界先进8英寸产能大旺,将打造全球首座8英寸GaN代工厂

从硅晶圆到8英寸晶圆代工报价调涨,世界先进8英寸产能供需吃紧一路畅旺到年底,并积极扩增氮化镓(GaN)产能,已有国际IDM大厂看好电动车产业后市,预先包下世界先进GaN产能,明年中GaN产出将快速放量,成为全球首座8英寸GaN代工厂。

Qorvo®推出适合雷达应用的超紧凑GaN X频段前端模块

移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.(纳斯达克代码:QRVO),今日宣布推出针对下一代有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达设计的高性能 X 频段前端模块 (FEM)--- QPM2637 和 QPM1002。

利用新的GaN工艺和NI awr软件设计一种紧凑型功率放大器解决方案

Media Alert: Wolfspeed Designs a Compact Power Amplifier Solution Using Novel GaN Process and NI AWR Software

一文读懂CMOS/FinFET/SOI/GaN工艺技术
一文读懂CMOS/FinFET/SOI/GaN工艺技术

真空管的发明是电子工业发展的重要动力。但是,在第二次世界大战之后,由于需要大量的分立元件,设备的复杂性和功耗显着增加,而设备的性能却不断下降,其中一个例子是波音B-29,由300~1000个真空管组成。

无线多协议SoC、NB-IOT模块、GaN MOS等 世强打造节能便捷的无线智能照明系统

目前在IoT应用领域中,“智能照明”已经展现其巨大的市场发展潜力,其可用在家庭和商业领域、并结合室内定位功能服务等创新应用,有望颠覆传统照明市场,为相关开发业者带来庞大商机。

一张图看懂氮化镓GaN功率元件市场发展趋势

2016年氮化镓(GaN)功率元件产业规模约为1,200万美元,研究机构Yole Développemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4.6亿美元,年复合成长率高达79%。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用,尤其是高阶低/中压应用,GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。

基于gan的NI电源放大器设计

Media Alert: NI AWR Software Featured in GaN on SiC Power Amplifier Design Webinar

Nexperia拿到科锐GaN专利组合,不包括技术转让

科锐今日宣布与荷兰Nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,Nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美国和国外专利,涵盖了HEMT(高电子迁移率场效晶体管)和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。

射频氮化镓快速崛起,已成为主流
射频氮化镓快速崛起,已成为主流

过去几年中,射频氮化镓(GaN)市场成长趋势引人注目,根据市调机构Yole Développement(Yole)在其最新研究报告中指出,截至2017年,射频氮化镓市场规模已近3.8亿美元。

TI推出业内最小、最快的GaN驱动器,扩展其GaN电源产品组合

德州仪器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出两款新型高速氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)驱动器,进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合,可在激光雷达(LIDAR)以及5G射频(RF)包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。