GaN

• SST再添4员“猛将”，腾讯等已合作

  据《2026 AIDC数据中心储能与SiC/GaN技术应用报告》调研数据，当前台达电子、为光能源、伊顿等海内外超25家企业，已正式发布固态变压器产品或完成落地应用。近期，又有4家企业发布SiC固态变压器。 国电南瑞：发布第二代“瑞”系全场景固态变压器（SST）系列产品，与4家企业签约落地。 远景储能：发布AI电力系统，搭载2.5MW固态变压器，与腾讯达成合作。 米格电气：SiC固态变压器正式进入样

  行家说三代半

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  07/02 16:09

  SiC GaN
• OBC成本下探至700元？双向GaN降本潜力凸显

  氮化镓功率器件在车载OBC领域的产业化进程加速，尤其是双向氮化镓搭配单级拓扑技术路线备受关注。多家厂商如长安汽车、汇川联合动力、联合电子等已落地GaN OBC方案，并推动技术向商业化迈进。双向氮化镓器件因其成本下降、功率密度提升和系统降本优势，成为OBC技术升级的关键。然而，行业仍面临衬底电位自适应切换和驱动干扰等问题，需协同攻关。

  行家说三代半

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  06/30 05:16

  GaN 功率器件
• 智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，纳芯微推出110V半桥驱动芯片NSD2123

  随着AI算力需求爆发，GaN器件在AI数据中心电源的渗透率正加速提升，以突破功率密度瓶颈；与此同时，机器人关节驱动、光储、Class D音频等领域也对高效紧凑的电源方案提出需求，共同推动GaN技术从消费快充迈向泛工业市场。GaN器件凭借低损耗、高开关频率等优势，已成为新一代电源设计的核心选择，而其价值释放离不开专用驱动芯片的精准适配。 在此背景下，纳芯微全新推出110V半桥GaN驱动芯片NSD21

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  06/29 12:14

  数据中心 GaN

  
• 德州仪器（TI）：高可靠性GaN是800V AIDC规模化落地的关键

  AI数据中心的快速发展带来了对高效率、高功率密度供电系统的新需求。随着AI算力的增长，数据中心的单GPU功耗逐年攀升，传统低压供电架构逐渐无法满足需求。为此，业界正积极研究800V直流供电架构，以降低铜损和提升整体效率。氮化镓（GaN）技术因其高效率和低损耗特性，成为支撑下一代AI数据中心的关键技术之一。德州仪器（TI）凭借其丰富的GaN产品组合和长期的可靠性验证基础，推出了面向800VDC的完整电源架构，助力AI数据中心实现更高效的供电。TI不仅在器件层面提供高可靠性GaN解决方案，还在系统级供电支持方面展现出全面的能力，推动AI数据中心供电系统的整体优化。

  行家说三代半

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  06/26 17:26

  GaN 供电系统

  
• 麦格米特宣布采用GaN

  氮化镓技术正逐步占领LED显示屏电源市场，预计未来两年内市场规模可达2000万台，价值约25亿元。麦格米特电气将在InfoComm 2026展会上展示其氮化镓电源创新成果，强调该技术在提高转换效率和散热性能方面的优势，有望推动整个行业的技术升级。

  行家说三代半

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  06/15 22:44

  GaN 氮化镓
• 泰克高压差分探头家族迎来新成员：THDP0400助力高压高速功率测试

  随着新能源汽车、储能系统、工业自动化以及宽禁带半导体技术的快速发展，工程师对于高压高速信号测量的需求不断提升。在功率器件开关速度持续提高的背景下，如何兼顾测量带宽、安全性以及信号完整性，成为研发测试中的关键挑战。作为长期深耕功率电子测试领域的测试测量供应商，泰克持续完善其高压差分探头产品体系。近期，泰克正式推出THDP系列全新成员——THDP0400高压差分探头。 泰克全新发布THDP0400高压

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  06/11 09:55

  GaN 示波器

  
• 英飞凌推出面向 AI 数据中心电源设计的 EiceDRIVER 2EDL90xG3驱动芯片

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。这是一款120 V，兼容硅（Si）和氮化镓（GaN）器件的驱动芯片。随着AI数据中心向更高的功率密度迈进，电源工程师会希望在不更改 PCB 的情况下，能够灵活地评估和比较硅与氮化镓方案。这对 HV/MV IBC 设计尤为重要。2EDL90xG3直接满足了这一需求。其独特

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  06/10 10:15

  英飞凌 GaN

  
• 英飞凌 EasyPACK S 模块及封装方案支持实现紧凑化设计，适用于高功率密度应用

  无论是在电动汽车车载充电，还是 AI 数据中心供电等应用环境中，在空间愈发受限的情况下，对更高功率密度解决方案的需求却持续增长。为了满足这一应用需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在 PCIM Europe 2026展会上，推出了用于紧凑型设计的功率模块及封装方案EasyPACK™ S。EasyPACK S的封装高度仅为 5.6 mm，占板面积约为 33

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  06/09 10:00

  SiC 英飞凌

  
• 数据中心电源低压侧的博弈：硅基护城河与GaN渗透

  数据中心供电架构正从传统多环节向高压直流配电演进，未来有望升级至中压直供与SST固态变压器架构。SiC主要适用于中高压，GaN则在48V机柜级应用广泛，逐渐向高低压渗透。主板级电源面临严苛的物理限制，硅基方案通过数字多相控制器和DrMOS组合，有效解决高频波动问题。 玩家阵营分化明显：保守派如MPS、英飞凌和瑞萨电子坚守硅基器件；架构优化者如Vicor提出分比式电源架构；激进派如Navitas主张整体重构中低压供电架构。 国内Fabless公司晶丰明源、杰华特和矽力杰在低相数和周边电压轨方面取得进展，但与海外巨头在算法冗余和长期可靠性上仍有差距。国产特色工艺Foundry玩家如华虹半导体、晶合集成和粤芯半导体也在推动高集成度电源芯片的发展。 综上所述，在数据中心供电架构的演进过程中，追求全链路的输电效率、计算性能和系统可靠性是关键目标。尽管第三代半导体如GaN正在向高压和低压渗透，但在中压范围的SiC器件和Si基器件短期内仍将共存。未来几年，GaN在数据中心的重要看点将是高压渗透，尤其是400/800V的长时可靠性验证。

  半导体产业研究

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  06/08 10:59

  数据中心 GaN

  
• 该GaN企业投建新项目，营收大幅增长

  格晶半导体氮化镓功率模组西南总部项目在四川南充签约，公司成立于2017年，专注于第三代半导体氮化镓功率器件的研发、制造与销售。旗下江苏芯港半导体负责氮化镓外延片生产，江西万年晶半导体则专注于氮化镓晶圆制造。公司已实现氮化镓HEMT芯片及模组量产出货，并计划在2025年实现销售额翻倍。

  行家说三代半

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  06/05 17:56

  GaN
• 聚焦电动汽车与数据中心：SiC 与 GaN 的差异化发力之道

  在全球 “双碳” 目标推进与数字经济爆发的双重驱动下，电动汽车(EV)与 AI 数据中心已成为功率半导体的两大核心增长极。作为第三代半导体的核心材料，碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)凭借宽禁带、低损耗、高频化的特性，正逐步替代传统硅基器件，重塑功率电子产业链。面对两大主力市场，SiC 与 GaN 需立足材料特性差异，走差异化发力路径，实现优势互补与价值最大化。 一、材料特性定格局：SiC 与 G

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  06/02 15:03

  电动汽车 SiC
• 英飞凌加入 NVIDIA MGX AI Factory 生态系统

  全球功率系统与物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布加入NVIDIA（英伟达）MGX AI 工厂 （AI Factory）生态系统，助力推动下一代 AI 数据中心的供电架构转型。英飞凌的电源管理解决方案将支持 NVIDIA 的 MGX™ 架构与 800 VDC 电源架构——这是一套开放式、模块化的参考架构，专为 Agentic AI 时

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  06/01 07:13

  英飞凌 GaN

  
• 斯坦福&卡内基梅隆大学发布新成果：金刚石+AlN双向散热攻克GaN散热难题

  GaN射频器件热管理研究：引入AlN缓冲层与多晶金刚石覆盖层显著提升热导率，实现高效散热，助力超高功率GaN器件发展。

  DT半导体

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  05/28 18:05

  GaN 金刚石
• 5家企业公布机器人GaN关节模组进展

  多家企业透露应用GaN技术并供货相关客户，英搏尔、步科股份、优联智能、真保科技和星元晶算分别在机器人关节、无人机、复合机器人、人形机器人和GaN芯片研发等方面取得进展。

  行家说三代半

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  05/25 18:14

  人形机器人 GaN
• 哈工大团队：GaN上厚膜金刚石生长取得新突破

  哈尔滨工业大学朱嘉琦研究团队提出一种SiNx/Si双中间层策略，成功实现了厚膜多晶金刚石在GaN上的稳定沉积，解决了高温下金刚石膜与GaN之间的界面剥离问题，为GaN高功率器件的热管理结构设计提供了新思路。

  DT半导体

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  05/22 20:53

  GaN
• AI浪潮下，8家电源厂商/10家SiC企业集体告增

  自ChatGPT推出以来，全球数据中心业务规模显著增长，预计到2030年资本开支可达3万亿至4万亿美元。AI产业链企业业绩普遍增长，特别是电源厂商和功率半导体企业表现突出。台达电子、光宝科技、科士达等头部厂商AI业务营收大幅上升，SiC、GaN等宽禁带半导体技术成为AIDC的关键元素。各大电源厂商业绩持续攀升，带动上游功率半导体企业业务加速。英飞凌、意法半导体、罗姆半导体等企业看好SiC在AI领域的增长潜力。展望未来，高压直流系统升级、固态变压器研发和高功率电源机架迭代将是SiC、GaN功率器件的主要发展方向。

  行家说三代半

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  05/21 20:13

  SiC GaN
• 麦科信第三代光隔离探头：破解三相逆变桥测试难题

  摘要： 随着 SiC、GaN 等宽禁带半导体在光伏逆变器、电机驱动、车载 OBC 等领域的普及，三相逆变桥的开关频率和功率密度显著提升，由此带来的高压安全、强电磁干扰、高速开关瞬态捕捉等测试难题，对工程师和测量工具提出了全新挑战。 本文系统分析三相逆变桥调试中的五大核心痛点，提出以麦科信第三代光隔离探头MOIP 系列为核心的针对性解决方案。该探头基于独家 ADHOMT 模数混合激光调制技术与光纤隔

  Micsig麦科信

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  05/19 14:25

  SiC GaN
• 进阶1250V DC！TDK新型高压共模扼流圈，助力打造更紧凑的SiC/GaN转换器

  共模扼流圈在EMI滤波器中的应用探讨，涉及SiC和GaN材料在高压电源系统中的优势。

  TDK

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  05/15 08:08

  SiC GaN

  
• 多家汽车Tier1厂商集体采用GaN

  氮化镓在车载领域的应用加速推进，多家厂商如联合电子、浩思动力、青山工业、法雷奥、镓未来、英飞凌等纷纷推出创新产品与方案，涵盖了车载充配电、电驱系统、增程系统等多个核心场景。例如，联合电子展示的新一代氮化镓车载充配电单元，功率密度达到6.3kW/L，OBC峰值效率达到96%；浩思动力推出甲醇灵活燃料增程系统，控制器效率高达99.79%；镓未来研发的双向氮化镓车载充电系统，峰值转换效率高达96.5%，功率密度达到3.5kW/L。这些创新推动了电动汽车技术的发展。

  行家说三代半

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  05/14 21:05

  GaN 氮化镓
• 3家SiC企业完成新一轮融资

  最近，又有3家企业顺利完成新一轮融资： 至信微：完成新一轮融资，在建SiC模块项目，规划年产能120万颗。 有熠科技：完成千万级融资，发力宽禁带半导体。 矽赫微：完成新一轮融资，聚焦先进封装和SiC/GaN键合设备。 至信微完成新一轮融资正在建设SiC模块项目企查查显示，近日，深圳市至信微电子有限公司完成了新一轮融资，由中国风投、天互基金、高卓未来联合投资。 截至目前，至信微已经完成6轮融资，引入

  行家说三代半

  880

  05/10 11:31

  SiC GaN

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