GaN

• 麦科信第三代光隔离探头：破解三相逆变桥测试难题

  摘要： 随着 SiC、GaN 等宽禁带半导体在光伏逆变器、电机驱动、车载 OBC 等领域的普及，三相逆变桥的开关频率和功率密度显著提升，由此带来的高压安全、强电磁干扰、高速开关瞬态捕捉等测试难题，对工程师和测量工具提出了全新挑战。 本文系统分析三相逆变桥调试中的五大核心痛点，提出以麦科信第三代光隔离探头MOIP 系列为核心的针对性解决方案。该探头基于独家 ADHOMT 模数混合激光调制技术与光纤隔

  Micsig麦科信

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  9小时前

  SiC GaN
• 进阶1250V DC！TDK新型高压共模扼流圈，助力打造更紧凑的SiC/GaN转换器

  共模扼流圈在EMI滤波器中的应用探讨，涉及SiC和GaN材料在高压电源系统中的优势。

  TDK

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  05/15 08:08

  SiC GaN

  
• 多家汽车Tier1厂商集体采用GaN

  氮化镓在车载领域的应用加速推进，多家厂商如联合电子、浩思动力、青山工业、法雷奥、镓未来、英飞凌等纷纷推出创新产品与方案，涵盖了车载充配电、电驱系统、增程系统等多个核心场景。例如，联合电子展示的新一代氮化镓车载充配电单元，功率密度达到6.3kW/L，OBC峰值效率达到96%；浩思动力推出甲醇灵活燃料增程系统，控制器效率高达99.79%；镓未来研发的双向氮化镓车载充电系统，峰值转换效率高达96.5%，功率密度达到3.5kW/L。这些创新推动了电动汽车技术的发展。

  行家说三代半

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  05/14 21:05

  GaN 氮化镓
• 3家SiC企业完成新一轮融资

  最近，又有3家企业顺利完成新一轮融资： 至信微：完成新一轮融资，在建SiC模块项目，规划年产能120万颗。 有熠科技：完成千万级融资，发力宽禁带半导体。 矽赫微：完成新一轮融资，聚焦先进封装和SiC/GaN键合设备。 至信微完成新一轮融资正在建设SiC模块项目企查查显示，近日，深圳市至信微电子有限公司完成了新一轮融资，由中国风投、天互基金、高卓未来联合投资。 截至目前，至信微已经完成6轮融资，引入

  行家说三代半

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  05/10 11:31

  SiC GaN
• 又一企业扩建8吋GaN产线

  瑞萨电子加速GaN晶圆厂建设，计划到2027年建成8英寸GaN晶圆厂，主要用于生产低压GaN芯片，并与EPC合作提升内部晶圆制造能力。此外，瑞萨在美国和日本拥有多个GaN晶圆厂，分别生产不同电压等级的GaN芯片。

  行家说三代半

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  05/10 11:29

  GaN 晶圆
• 意法半导体高速GaN驱动器为运动控制与功率转换应用增加智能保护功能

  意法半导体新推出两款高速半桥栅极驱动器，为各类功率转换和运动控制应用带来氮化镓 (GaN)技术的高能效、高散热性能和小型化优势。 STDRIVEG212和STDRIVEG612输出经过精准调控的5V栅极驱动信号，适合驱动高边工作电压高达220V和600V的增强型高电子迁移率氮化镓晶体管(GaN HEMT)。这两款栅极驱动器具有很高的集成度，在一个紧凑型QFN封装内集成高低边5V线性稳压器(LDO)

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  04/30 10:20

  意法半导体 GaN

  
• DB HiTek将参加2026年PCIM展会，加强其在欧洲市场的布局

  /美通社/ -- 领先的8英寸纯晶圆代工厂DB HiTek宣布，该公司将参加欧洲功率半导体领域顶级展会——2026年德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会(PCIM Europe)。该展会将于（当地时间）6月9日至11日在德国纽伦堡举行，此次参展标志着该公司持续拓展其在欧洲市场的业务版图。 在2025年PCIM展会上成功首秀后——该公司在2025年展会上与数十家客户进行了面对面交流，探讨了工艺技术及

  美通社

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  04/29 10:01

  SiC GaN

  
• 技术干货丨借助GaN双向开关革新电源设计

  瑞萨电子推出高电压GaN双向开关（BDS），助力打造高效、紧凑且低成本的单级功率转换器。这款器件支持单级AC/DC转换器，减少元器件数量，提高效率至97.5%，适用于AI数据中心、太阳能微型逆变器、电池系统和汽车充电器等领域。

  瑞萨电子

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  04/22 11:35

  GaN 电源设计
• 芯联集成2025年营收增25.67%， 2026年Q1毛利再提升， AI与新能源驱动业绩向好

  芯联集成（688469.SH）正式发布2025年年度报告及2026年第一季度报告。财报数据显示，公司2025年业绩稳步攀升，营收规模持续扩大，盈利能力显著改善；2026年一季度延续增长态势，毛利率进一步抬升，盈利持续修复，正在向“有厚度增长”迈进，并在AI市场实现突破。 财报披露，2025年芯联集成实现营业收入81.8亿元，同比增长25.67%；毛利率达5.51%，提升4.48个百分点；归母净利润

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  04/21 10:43

  GaN 新能源
• 800V AI算力时代，GaN从“备选”变“刚需”？

  AI数据中心正迈向800V高压直流架构，GaN因其高频、低损耗和高密度特性成为关键供电组件。GaN不仅适用于电源单元（PSU），也在电池备份单元（BBU）、中压中间母线转换器（IBC）等环节展现卓越性能。然而，工程师在将GaN集成到现有系统时面临挑战，包括PCB布局、热管理和磁性元件适应性等问题。英飞凌通过规模化制造降低成本，加速GaN在AI数据中心的广泛应用。

  夏珍

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  04/17 11:17

  英飞凌 数据中心

  
• Neway GaN系列模块的功率密度特性

  Neway GaN系列模块的功率密度特性表现为功率密度提升至120W/in³，较传统硅基IGBT功率模块提升5倍，体积缩减40%，封装尺寸最小达6.8mm×3.0mm。 一、技术原理支撑高功率密度 GaN材料特性：氮化镓（GaN）作为宽禁带半导体，其电子迁移率（2000cm²/Vs）和饱和漂移速度（2.5×10⁷cm/s）远超传统硅基器件，开关速度可达硅基的10倍。这一特性使得GaN模块在高频应用

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  04/14 17:13

  GaN
• 全球最薄！英特尔发布19微米超薄GaN芯片

  英特尔展示了基于300mm硅基晶圆的氮化镓（GaN）芯片，其硅衬底厚度仅为19微米，实现了功率器件与数字控制电路的单片集成，大幅提升了电源系统的效率和响应速度。通过层转移工艺，硅PMOS逻辑器件与GaN MOSHEMT集成在同一芯片内，减少了信号路径和寄生参数，降低了能量损耗。此外，GaN材料的优势在于高频、高温和高效率，适用于多种应用场景，如数据中心、无线基础设施和雷达系统。

  DT半导体

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  04/13 10:08

  GaN
• 南芯 SC3052C 集成 GaN 多模式反激 PWM 控制器 规格书 佰祥电子

  突破快充电源设计痛点！SC3052C：原生集成 GaN + 全负载高效控制的五大核心优势 传统反激方案控制器与 GaN 功率管分立，驱动电路复杂且整体体积大；轻载和空载工况下效率低，待机功耗难以满足全球能效标准；EMI 调试难度高，保护功能不全导致产品故障率高。作为设备供电的核心组件，反激 PWM 控制器的集成度、转换效率和可靠性直接决定终端快充产品的体积、能效和用户体验。作为南芯核心合作代理商，

  深圳市佰祥电子有限公司

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  04/10 10:10

  GaN pwm控制
• 南芯 SC3053 集成 GaN 多模式反激 PWM 控制器 规格书 佰祥电子

  突破快充电源安全与能效痛点！SC3053：原生集成 GaN + 外置 OTP 温控的五大核心优势 传统反激方案控制器与 GaN 功率管分立，驱动电路复杂且产品一致性差；多数集成 GaN 芯片无外置温控接口，无法实现系统级精准过热保护；轻载和空载工况下效率低，待机功耗难以满足最新全球能效标准。作为设备供电的核心组件，反激 PWM 控制器的集成度、安全防护能力和能效表现直接决定终端快充产品的可靠性、体

  深圳市佰祥电子有限公司

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  04/10 09:44

  GaN 南芯半导体
• 明义微：数据中心供电挑战与GaN方案破局之道

  明义微将于4月10日在深圳举行的“800VDC数据中心能源变革——储能与第三代半导体协同发展论坛”上发表主题报告，探讨AI数据中心面临的电力挑战，并展示其基于GaN技术的高密度电源模块的优势。此次论坛汇集了半导体领军企业和储能领域的专家，讨论800VDC数据中心的发展趋势和技术突破。

  行家说三代半

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  04/07 21:59

  数据中心 GaN
• GaN与SiC：电机性能跃升的“双核动力”

  在工业自动化、电动汽车、航空航天等领域，电机性能的突破离不开材料创新。GaN（氮化镓）与SiC（碳化硅）作为第三代半导体材料，凭借高频高效、高功率密度、耐高温抗辐射等特性，正成为电机升级的核心驱动力，推动行业向智能化、绿色化加速迈进。 一、高频高效：打破效率天花板 GaN：开关频率突破1MHz，损耗降低50%以上，工业机器人效率达96%，能耗降10%-15%；高频驱动减少谐波，电机运行更静音，适配

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  04/07 11:02

  SiC GaN
• 低压GaN转换器栅极驱动和测量

  作者：Kurk Mathews，高级应用经理 Luis Onofre Lazaro，应用工程师 摘要 本文讨论了应用氮化镓场效应晶体管(GaN FET)时，对栅极电压进行精准控制和对栅极参数进行高精度测量的必要性。 引言 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)相较于硅FET，开关速度更快，封装更小，功率损耗更低。这些特性使得电源转换器能够在更高频率下运行，从而既能减小整体解决方案尺寸，又能保持高效率

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  04/03 10:35

  转换器 GaN

  
• 安森美发布中国战略，推动创新，加速全球增长

  安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）正式发布其中国战略，明确将以更加聚焦的方式深化在华布局。通过赋能区域领导力、拓展制造合作伙伴关系以及深化本土协作，安森美将进一步助力客户加速全球业务拓展步伐。作为该战略的重要组成部分，安森美正式将上海设为大中华区总部，并计划任命中国区总经理，以持续增强本土领导力与决策效率，并进一步深化与利益相关方的紧密合作。 “中国是全球最具活力、发展速度最快的科

  与非网编辑

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  03/31 14:51

  GaN 电源
• 能华半导体：GaN量产交付提速，车规认证稳步推进

  2025年，碳化硅与氮化镓行业取得亮眼成果，经历产业格局调整后，2026年迎来新机遇与挑战。能华半导体市场总监刘宝生分享了公司在技术、产能与市场拓展方面的进展，并预测未来五年第三代半导体行业将以“普及”为核心关键词，推动技术与应用场景不断扩展。

  行家说三代半

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  03/28 11:25

  GaN 氮化镓

  
• 三星电子：8英寸GaN产线预计今年投产

  3月20日，据韩国媒体THE ELEC报道，三星电子计划启动一条8英寸氮化镓功率半导体代工厂生产线，预计最早将于今年第二季度实现全面量产。 这一举措标志着三星在宣布进军氮化镓晶圆代工业务三年多后，正式落地相关布局、跻身这一赛道。据悉，三星目前已斩获一位客户，但受限于客户基础尚未完善，该氮化镓晶圆代工业务初期收入预计将低于1000亿韩元。 THE ELEC进一步透露，三星电子已将其产品定位为不含芯片

  行家说三代半

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  03/25 21:51

  半导体 GaN

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