GaN

• 安森美：以系统级创新重塑AI供电与汽车架构

  在2026年的半导体产业版图上，AI数据中心与智能汽车已无可争议地成为驱动行业增长的双引擎。据Omdia分析，AI数据中心芯片市场规模已从2024年的1230亿美元暴增至2025年的2070亿美元；WSTS预测2026年全球半导体市场规模将逼近9755亿美元，同比增长26.3%。摩根士丹利更判断，到2030年全球半导体市场规模可达1.5万亿美元，其中AI半导体将占据半壁江山。汽车半导体同样高歌猛进

  高扬

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  07/16 09:42

  SiC 智能汽车

  
• 5家GaN企业披露合作进展，涉及AIDC等

  GaN企业在多个领域展开合作布局，包括消费电子、AI数据中心、机器人、5G基站等。例如，镓未来与山东大学共建研究中心，产品已进入小米、联想、惠普供应链；中晶新源与西电广研院共建GaN功率器件校企联合中心；宏湃半导体与浙财大科技金融重点实验室达成战略合作；红与蓝微电子与新加坡科研机构、大学展开GaN合作；PI则凭借GaN产品打入印度市场，服务于5G基站、电网和电视制造商。

  行家说三代半

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  07/15 17:10

  GaN
• 该GaN项目一期封顶，预计年内投产

  博威氮化镓微波产品精密制造生产线项目在石家庄市顺利推进，一期工程即将完工，预计2025年竣工并投入运营，主要面向5G通信等领域，总投资约2.5亿元。

  行家说三代半

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  07/14 17:29

  GaN 氮化镓
• 英飞凌2026战略重磅落地：重构业务，双线布局AI赛道

  英飞凌宣布2026年战略调整，将四大事业部整合为三大板块，聚焦汽车电子、电源系统和终端智能。公司推出“从电网到核心”的全链路电源管理方案，旨在降低数据中心供电能耗。同时，英飞凌拓展至飞行汽车和机器人等领域，采用复合材料策略应对市场需求变化，并加速本土化进程。

  夏珍

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  07/10 17:41

  与非观察 SiC

  
• 2家企业联手扩产GaN，产能拟提升50%

  三菱化学集团与日本制钢所株式会社计划大幅增加氮化镓衬底产能，目标到2027年产能比2026年提高50%，并将于2027年4月进一步扩大至2021年的3倍。双方正在扩建相关设施，并计划从4英寸转向6英寸甚至8英寸衬底。面对中国企业的竞争压力，三菱化学与JSW希望通过提前布局和技术迭代抢占市场先机。

  行家说三代半

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  07/10 14:39

  GaN
• 东微半导体：募资5.48亿元，投向SiC和GaN

  东微半导体计划发行可转债融资14.36亿元，主要用于新型功率器件技术研发及产业化、新一代功率管理芯片研发及产业化、研发中心建设，并补充流动资金。项目涉及SiC、GaN等高端功率器件的研发，目标是实现国产化，保障数据中心电源等关键领域的供应链安全。

  行家说三代半

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  07/06 22:30

  SiC GaN
• SST再添4员“猛将”，腾讯等已合作

  据《2026 AIDC数据中心储能与SiC/GaN技术应用报告》调研数据，当前台达电子、为光能源、伊顿等海内外超25家企业，已正式发布固态变压器产品或完成落地应用。近期，又有4家企业发布SiC固态变压器。 国电南瑞：发布第二代“瑞”系全场景固态变压器（SST）系列产品，与4家企业签约落地。 远景储能：发布AI电力系统，搭载2.5MW固态变压器，与腾讯达成合作。 米格电气：SiC固态变压器正式进入样

  行家说三代半

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  07/02 16:09

  SiC GaN
• 双向GaN商业化再提速，3家光伏微逆企业导入

  光伏微逆赛道迎来双向GaN技术大规模商用，Enphase和Eggtronic先后导入双向GaN方案，潜在市场需求规模约为4400万颗，价值约1.3亿美元。微逆厂商纷纷采用单极拓扑设计，如屹晶微电子、兆易创新、羲和未来等，展现出双向GaN在效率和成本上的优势。然而，双向GaN面临多源供应不足、可靠性要求高和驱动电路复杂等问题，需进一步解决。

  行家说三代半

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  06/30 22:35

  GaN 光伏逆变器
• OBC成本下探至700元？双向GaN降本潜力凸显

  氮化镓功率器件在车载OBC领域的产业化进程加速，尤其是双向氮化镓搭配单级拓扑技术路线备受关注。多家厂商如长安汽车、汇川联合动力、联合电子等已落地GaN OBC方案，并推动技术向商业化迈进。双向氮化镓器件因其成本下降、功率密度提升和系统降本优势，成为OBC技术升级的关键。然而，行业仍面临衬底电位自适应切换和驱动干扰等问题，需协同攻关。

  行家说三代半

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  06/30 05:16

  GaN 功率器件
• 智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，纳芯微推出110V半桥驱动芯片NSD2123

  随着AI算力需求爆发，GaN器件在AI数据中心电源的渗透率正加速提升，以突破功率密度瓶颈；与此同时，机器人关节驱动、光储、Class D音频等领域也对高效紧凑的电源方案提出需求，共同推动GaN技术从消费快充迈向泛工业市场。GaN器件凭借低损耗、高开关频率等优势，已成为新一代电源设计的核心选择，而其价值释放离不开专用驱动芯片的精准适配。 在此背景下，纳芯微全新推出110V半桥GaN驱动芯片NSD21

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  06/29 12:14

  数据中心 GaN

  
• 德州仪器（TI）：高可靠性GaN是800V AIDC规模化落地的关键

  AI数据中心的快速发展带来了对高效率、高功率密度供电系统的新需求。随着AI算力的增长，数据中心的单GPU功耗逐年攀升，传统低压供电架构逐渐无法满足需求。为此，业界正积极研究800V直流供电架构，以降低铜损和提升整体效率。氮化镓（GaN）技术因其高效率和低损耗特性，成为支撑下一代AI数据中心的关键技术之一。德州仪器（TI）凭借其丰富的GaN产品组合和长期的可靠性验证基础，推出了面向800VDC的完整电源架构，助力AI数据中心实现更高效的供电。TI不仅在器件层面提供高可靠性GaN解决方案，还在系统级供电支持方面展现出全面的能力，推动AI数据中心供电系统的整体优化。

  行家说三代半

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  06/26 17:26

  GaN 供电系统

  
• 麦格米特宣布采用GaN

  氮化镓技术正逐步占领LED显示屏电源市场，预计未来两年内市场规模可达2000万台，价值约25亿元。麦格米特电气将在InfoComm 2026展会上展示其氮化镓电源创新成果，强调该技术在提高转换效率和散热性能方面的优势，有望推动整个行业的技术升级。

  行家说三代半

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  06/15 22:44

  GaN 氮化镓
• 泰克高压差分探头家族迎来新成员：THDP0400助力高压高速功率测试

  随着新能源汽车、储能系统、工业自动化以及宽禁带半导体技术的快速发展，工程师对于高压高速信号测量的需求不断提升。在功率器件开关速度持续提高的背景下，如何兼顾测量带宽、安全性以及信号完整性，成为研发测试中的关键挑战。作为长期深耕功率电子测试领域的测试测量供应商，泰克持续完善其高压差分探头产品体系。近期，泰克正式推出THDP系列全新成员——THDP0400高压差分探头。 泰克全新发布THDP0400高压

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  386

  06/11 09:55

  GaN 示波器

  
• 英飞凌推出面向 AI 数据中心电源设计的 EiceDRIVER 2EDL90xG3驱动芯片

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。这是一款120 V，兼容硅（Si）和氮化镓（GaN）器件的驱动芯片。随着AI数据中心向更高的功率密度迈进，电源工程师会希望在不更改 PCB 的情况下，能够灵活地评估和比较硅与氮化镓方案。这对 HV/MV IBC 设计尤为重要。2EDL90xG3直接满足了这一需求。其独特

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  06/10 10:15

  英飞凌 GaN

  
• 英飞凌 EasyPACK S 模块及封装方案支持实现紧凑化设计，适用于高功率密度应用

  无论是在电动汽车车载充电，还是 AI 数据中心供电等应用环境中，在空间愈发受限的情况下，对更高功率密度解决方案的需求却持续增长。为了满足这一应用需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在 PCIM Europe 2026展会上，推出了用于紧凑型设计的功率模块及封装方案EasyPACK™ S。EasyPACK S的封装高度仅为 5.6 mm，占板面积约为 33

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  06/09 10:00

  SiC 英飞凌

  
• 数据中心电源低压侧的博弈：硅基护城河与GaN渗透

  数据中心供电架构正从传统多环节向高压直流配电演进，未来有望升级至中压直供与SST固态变压器架构。SiC主要适用于中高压，GaN则在48V机柜级应用广泛，逐渐向高低压渗透。主板级电源面临严苛的物理限制，硅基方案通过数字多相控制器和DrMOS组合，有效解决高频波动问题。 玩家阵营分化明显：保守派如MPS、英飞凌和瑞萨电子坚守硅基器件；架构优化者如Vicor提出分比式电源架构；激进派如Navitas主张整体重构中低压供电架构。 国内Fabless公司晶丰明源、杰华特和矽力杰在低相数和周边电压轨方面取得进展，但与海外巨头在算法冗余和长期可靠性上仍有差距。国产特色工艺Foundry玩家如华虹半导体、晶合集成和粤芯半导体也在推动高集成度电源芯片的发展。 综上所述，在数据中心供电架构的演进过程中，追求全链路的输电效率、计算性能和系统可靠性是关键目标。尽管第三代半导体如GaN正在向高压和低压渗透，但在中压范围的SiC器件和Si基器件短期内仍将共存。未来几年，GaN在数据中心的重要看点将是高压渗透，尤其是400/800V的长时可靠性验证。

  半导体产业研究

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  06/08 10:59

  数据中心 GaN

  
• 该GaN企业投建新项目，营收大幅增长

  格晶半导体氮化镓功率模组西南总部项目在四川南充签约，公司成立于2017年，专注于第三代半导体氮化镓功率器件的研发、制造与销售。旗下江苏芯港半导体负责氮化镓外延片生产，江西万年晶半导体则专注于氮化镓晶圆制造。公司已实现氮化镓HEMT芯片及模组量产出货，并计划在2025年实现销售额翻倍。

  行家说三代半

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  06/05 17:56

  GaN
• 聚焦电动汽车与数据中心：SiC 与 GaN 的差异化发力之道

  在全球 “双碳” 目标推进与数字经济爆发的双重驱动下，电动汽车(EV)与 AI 数据中心已成为功率半导体的两大核心增长极。作为第三代半导体的核心材料，碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)凭借宽禁带、低损耗、高频化的特性，正逐步替代传统硅基器件，重塑功率电子产业链。面对两大主力市场，SiC 与 GaN 需立足材料特性差异，走差异化发力路径，实现优势互补与价值最大化。 一、材料特性定格局：SiC 与 G

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  06/02 15:03

  电动汽车 SiC
• 英飞凌加入 NVIDIA MGX AI Factory 生态系统

  全球功率系统与物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布加入NVIDIA（英伟达）MGX AI 工厂 （AI Factory）生态系统，助力推动下一代 AI 数据中心的供电架构转型。英飞凌的电源管理解决方案将支持 NVIDIA 的 MGX™ 架构与 800 VDC 电源架构——这是一套开放式、模块化的参考架构，专为 Agentic AI 时

  与非网编辑

  626

  06/01 07:13

  英飞凌 GaN

  
• 斯坦福&卡内基梅隆大学发布新成果：金刚石+AlN双向散热攻克GaN散热难题

  GaN射频器件热管理研究：引入AlN缓冲层与多晶金刚石覆盖层显著提升热导率，实现高效散热，助力超高功率GaN器件发展。

  DT半导体

  995

  05/28 18:05

  GaN 金刚石

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