氮化镓（GaN）手机快充方案

一、氮化镓（GaN）器件介绍：

GaN器件分为两种类型：

耗尽型：耗尽型GaN晶体管常态下是导通的，为了使它截止必须在源漏之间加一个负电压。

增强型：增强型GaN晶体管常态下是截止的，为了使它导通必须在源漏之间加一个正电压。

GaN VS MOSFET：

他们的关键参数都是导通电阻和击穿电压。GaN的导通电阻非常低，这使得静态功耗显著降低，提高了效率。GaN FET的结构使其输入电容非常低，提高了开关速度。意味着GaN具有更高的效率，并可以使用更少的电磁学和被动元件。

二、手机快充介绍：

能在极短的时间内（0.5-1Hr）使手机电池达到或接近完全充电状态的一种充电方法。

实现手机快速充电方法：

1.电压不变，提高电流；

2.电流不变，提升电压；

3.电压、电流均提高。

手机快速充电技术目前分为“高压小电流快充”和“低压大电流快充”两种方案。VOOC闪充和Dash闪充属于后者“低压大电流快速充电”。快速充电对手机电池的寿命没有影响，现在的电池都可以承受大电流。

三、氮化镓（GaN）快充：

氮化镓（GaN）快充在已有的快充技术上通过改用氮化镓（GaN）核心器件，将手机快速充电器做到功率更大、体积更小、充电速度更快。

氮化镓（GaN）快充方案包含两个部分，充电器部分和电源管理部分

充电器部分：充电管理芯片根据锂电池充电过程的各个阶段的电器特性，向充电器发出指令，通知充电器改变充电电压和电流，而充电器接收到来自充电管理系统的需求，实时调整充电器的输出参数，配合充电管理系统实现快速充电。

电源管理部分：相应的芯片置于移动智能终端内，有独立的电源管理芯片，也有的直接集成在手机套片中，电源管理芯片对锂电池的整个充电过程实施管理和监控，包含了复杂的处理算法，锂电池充电包括几个阶段：预充阶段、恒流充电阶段，恒压充电阶段、涓流充电阶段。

转载自唯样电子资讯。